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CVD金刚石厚膜刀具及应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
热丝CVD法沉积金刚石厚膜为全晶质纯多晶金刚石材料,是制造切削刀具的理想材料。本文针对国内外CVD金刚石厚膜焊接刀具研究与应用中存在的关键技术问题,结合我所近期相关技术研究进展,重点介绍了其制造工艺及关键技术。 相似文献
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CVD金刚石膜材料具有优异的力、热、声、光、电学等性质并由于尺寸可控从而弥补了天然金刚石在尺寸、杂质方面的应用限制,因而具有广阔的发展前景。结合当前金刚石膜应用发展中遇到的技术及经济问题,从金刚石膜产品质量的提高及生产成本的控制两方面讨论了CVD金刚石膜在今后大规模产业化应用中应注意的细节。在提高金刚石膜产品质量上,应努力缩短与国外厂家在CVD设备设计及制造方面的差距,提高金刚石膜材料的机械强度以及增强金刚石膜与衬底材料间的结合力;在控制金刚石膜产品价格上,可通过循环利用反应气体,改进反应腔结构,合理调配功率等手段降低生产成本以增强CVD金刚石膜的市场竞争力。今后应针对金刚石膜材料的光学、声学、化学、电学以及生物学等领域不断开发更广泛的新用途。 相似文献
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CVD金刚石膜是重要的多功能材料,我国863计划已进行多年研发,取得一定进展,但未能实现产业化。主要问题是成本高。今提出在现有设备基础上采取二项重要措施:(1)甲烷催化裂解制氢制金刚石膜;(2)直流弧光喷射法制膜制氢综合利用,如能实现定会大大加速产业化。 相似文献
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多种材料上金刚石膜的成核和生长研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用改进的热丝化学气相沉积装置,在四类六种不同性质衬底材料上研究了金刚石膜成核与生长特性。研究了基片材料特性,沉积条件及基片预处理对金刚石膜成核与生长特性的影响。实验结果表明,在六种不同性质的材料上都能生长多晶金刚石膜,与是否形成碳化物中间层无关。反应气压,衬底温度和CH4/H2比例对其形貌,质量,成核密度的影响趋势是一致的,但也有它们各自的特点,对提高金刚石摸的质量及膜与基片的结构强度提出了一些 相似文献
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金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美、英、德、日、法等先进国家均已掌握了以高功率MPCVD法沉积高品质金刚石膜的技术。但在我国国内,高功率MPCVD装备落后一直是困扰我国高品质金刚石膜制备技术发展的主要障碍.首先综述国际上高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术的发展现状,包括各种高功率MPCVD装置的特点。其后,回顾了我国金刚石膜MPCVD技术的发展历史,并介绍北京科技大学近年来在发展高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术方面取得的新进展。 相似文献
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加硼金刚石膜的制造方法 总被引:1,自引:0,他引:1
刘月兰 《金刚石与磨料磨具工程》1999,(2):42-43
本专利涉及导电金刚石膜的制造方法,特别是化学气相沉积(CVD)法制造加硼金刚石膜的方法。多年来,一直采用碳源(如石墨)在高于50千巴的压力和1200℃以上的温度下,加入金属触媒如镍、钻或铁来合成金刚石。然而这种技术得到的金刚石总含有微量金属触媒。用化学气相沉积(CVD)技术合成金刚石亦是可能的。这种技术是对由氢和碳源(如碳氢化合物)组成的气体混合物施加充分的能量,使氢分解为原子氢,碳源分解为活性碳离子。碳原子或者CH游离原子团,将这些物质沉积在基体上,在那里形成金刚石。可以用不同的技术来完成气体的分解。例… 相似文献
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金刚石膜是一种具有巨大应用潜力的新型功能材料,但是它极高的硬度和化学稳定性使其难以被加工成型,因此如何对金刚石膜表面进行精确的图形化加工是实现制造金刚石器件的关键技术问题之一.在本研究中,我们用微波等离子体化学气相沉积法制备的金刚石厚膜,在其表面利用氢等离子体辅助刻蚀、铁薄膜的催石墨化作用下,对金刚石膜的形核面进行了选择性的刻蚀.结果表明,该方法具有较高的刻蚀速率(850 ℃,33.8 μm/h),较高的刻蚀选择比,可以对CVD金刚石膜进行较精确的图形化刻蚀,还可通过调节铁薄膜的厚度来实现刻蚀深度的控制.对氢等离子体在整个过程中的作用进行了阐述. 相似文献
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基于内涨鼓泡实验的金刚石膜附着强度精确定量评价 总被引:2,自引:0,他引:2
根据内涨作用下薄膜发生鼓泡变形的原理,开发了1种新的适用于金刚石膜附着强度精确定量评价的测试系统。并在传统的硅平面加工工艺的基础上发展了1种新的在沉积好的基片上制备自支撑窗口试样的方法,该方法可以保证在刻蚀基底形成自支撑窗口的同时不会损坏到薄膜。通过实验,实现了对硅基底金刚石膜结合强度的定量检测,实验得到的薄膜结合强度为4.28726J/m^2。实验所测得的附着强度结果与有限元仿真结果类比的吻合,证实了该模型的有效性,从而为金刚石膜的制备工艺优化及其质量的评估提供了可靠的依据和标准,对促进金刚石膜材料的深度开发和工程应用将具有积极的意义。 相似文献
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采用直流等离子体CVD法制备了金刚石膜,利用X射线衍射、光学显微镜、扫描电镜、激光拉曼光谱等技术研究了金刚石膜的微观组织,晶粒择优取向生长过程。结果表明:开始形核时,晶粒随机无择优生长;对基体表面氢刻蚀预处理,有利于晶胚形核长大。甲烷浓度对金刚石膜晶粒择优取向生长有重要影响:甲烷浓度较低时,金刚石膜(100)面择优生长,形成以(111)为主的八面体晶体,并且可以制取中心和边缘均匀、高质量光学级自支撑金刚石膜,但生长速率慢,效率低。同时也发现金刚石膜存在空位、孔洞等缺陷。 相似文献
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CVD金刚石应用的方方面面 总被引:1,自引:0,他引:1
静压法合成的金刚石单晶由于尺寸的限制而难以在热学、光学和电子学等领域发挥作用。直到金刚石膜的出现,才突破了这种尺寸上的限制,为金刚石在这些领域中的应用提供了可能,因而受到人们的极大关注。材料科学家把CVD金刚石膜称之为21世纪材料。并断言,CVD金刚石膜将成为金刚石材料未来发展的主流,不仅可以带来巨大的经济效益,而更重要的是,CVD金刚石膜可以把金刚石材料全方位特性应用发挥到极致。 相似文献