氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响.根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向.     

高精度蚀刻技术

本针对传统湿法蚀刻的固有弊端，提出了避免传统蚀刻方法固有弊端的四种高精度蚀刻。     

微电子制造工程专业课程体系建设

微电子制造工程为综合性边缘学科，它包含了机械、微电子学、精密控制、精密激光加工技术、微电子组装和封装技术、集成电路制造技术、元件检测技术等多学科的专业。学生知识面广，就业面宽，且微电子产品为国内及国外的第一大产业，人才需求大，是一个非常有发展前途的朝阳产业。它的发展得益于以下几个方面：     

真空微电子器件的栅极制造技术

本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构．在现有的条件下进行了栅控场致发射特性的测试，并通过实验曲线计算出了栅控场致发射的三个参数．     

微带蚀刻工艺影响因素探讨

本文阐述了在微带精密蚀刻过程中影响蚀刻速率变化的诸多因素,探讨了酸性氯化铜蚀刻液工艺控制应该注意的问题和解决办法。     

蚀刻技术

本文着重叙述具有代表性的光蚀刻短波长化和超分辨率技术、以及电子束的高速化、X射线高精度化等最新蚀刻技术动向和最新技术课题.     

“微电子制造科学与技术”计划概观

“微电子制造科学与技术”计划概观刘英清摘编编者的话：半导体制造技术一直是电子工业高速发展的推动力。虽然，现今所用的器件按比例缩小技术还可继续使用到０．１μｍ特征尺寸的器件，但是，随着电路集成度的提高，及其性能和可靠性的进一步改善，产品的制造成本也在不...     

微电子制造科学与技术计划中的干法刻蚀工艺及传感器

微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）规划中大多数刻蚀工艺都是在德克萨斯仪器公司设计并制造的先进的真空工艺设备中实现的。反应离子刻蚀设备和微波刻蚀技术结合现场传感器，并且与一个工厂联网的计算机集成制造（ＣＩＭ）系统相连接，传感器和计算机集成制造（ＣＩＭ）系统通过提供实时控制能力有助于实现工艺要求，还使得某些工艺的逐批控制和其他工艺的标准统计工艺控制成为可能。     

用于微电子制造的高速高精度运动系统关键技术

从机构设计、驱动方式、控制策略以及实时监测等方面对用于微电子制造的高速精度运动系统关键技术进行综述，提出有待深入研究的方向：1）并联机构在系统中的应用；2）解决柔性结构振动问题的控制策略；3）用于实时动态全闭控制模式的视觉伺服技术。     

半导体激光诱导液相腐蚀精度的提高方法

从半导体激光诱导液相腐蚀的工艺原理出发,对影响刻蚀精度的主要因素进行了分析研究,从刻蚀图像分辨率、侧壁垂直度及底面平坦度、表面均匀化三个方面提出了改善刻蚀精度的方法。     

基因芯片中的微电子刻蚀技术

基因芯片是运用微电子加工技术以及基因分子的自组装技术在微小芯片上组装成千上万个不同的DNA微阵列,实现以基因为主的生命信息的大规模检测。本文利用氧化、光刻、蒸发、溅射等一系列集成电路刻蚀技术,研究了适于电化学检测的基因芯片微阵列的制备,并提出了这种芯片中微流路的制备工艺方案。     

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率，并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果，分别利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和俄歇电子能谱（AES）对比Ar^＋干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分，并制作了单元可见盲器件，测试其反向漏电流，发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。     

Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.     

Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.     

凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制

介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题.通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm.槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深.因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率.     

OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀

试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ,ＨＥＭＴ器件最大跨导为３０５ｍＳ／ｍｍ,最大饱和电流密度为３５０ｍＡ／ｍｍ。完成了实现ＯＥＩＣ光接收机的关键一步。     

MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究

TMAH具有刻硅速率高、晶向选择性好、低毒性和对CMOS工艺的兼容性好等优点，而成为MEMS工艺中常用的刻蚀剂。但TMAH在刻蚀过程中合形成表面小丘，影响表面光滑性。文章重点研究了MEMS工艺中的TMAH湿法刻蚀获得光滑刻蚀表面的工艺。实验结果表明，要获得理想的刻蚀效果，刻蚀液配方和刻蚀条件的选择是非常重要的因素，实验中也得到了一些与其它报道不同的数据。     

Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究

针对硅湿法刻蚀中常见的SiO2、Si3N4掩模的缺点,提出了以Cr薄膜层为刻蚀掩模的新方法,并进行了相应的试验.试验结果表明,Cr掩模湿法刻蚀技术可用于硅半导体器件的制作.此项工艺为硅湿法刻蚀加工提供了一条新的技术途径.     

锑化铟的腐蚀特性研究

研究了不同的腐蚀液对InSb表面及台面腐蚀特性,利用金相显微镜和轮廓仪对样品表面形貌和制作精度进行了表征.通过大量的实验对比,得到一种对InSb有很好腐蚀特性的腐蚀液,腐蚀速度易于控制,晶片腐蚀后的表面比较光滑、均匀;对台面的钻蚀小,提高了台面的制作精度及器件的性能,解决了现有工艺中的难题.