Li_2Ti_3O_7晶体的生长、相变和物性

用提拉法生长了定向的、亚稳态Li_2Ti_3O_7晶体,单晶的尺寸可达φ20×20mm,研究了籽晶取向、生长气氛和掺杂剂对晶体生长的影响及晶体的相变过程,并测量了晶体的光学和声学特性。     

四磷酸钕锂晶体的生长和性能

用熔剂法生长了四磷酸钕锂晶体,获得尺寸为9×5×2mm的单晶。测得其密度为3.40g/cm~3,硬度为520kg/mm~2,折射率(白光)为n_α=1.605,n_b=1.011,n_c=1.617。测定了晶体的光谱特性,并用若丹明6G染料激光器泵浦获得了1.047μm激光输出。     

LSFM晶体生长与缺陷的研究

用缓慢降温法生长出一水甲酸锂钠(LSFM)晶体。系统地研究了生长溶液的稳定性、生长习性和晶体缺陷。用光学效应法测定了LSFM和LFM晶体的溶解度曲线,而LSFM溶液的准稳定区用改进的膨胀计测量,发现准稳定区宽度(ΔT)随溶液饱和点(T_c)的增高而增大。用化学侵蚀法研究了LSFM晶体的位错,在显现的晶面上观察到三种类型的蚀坑,位错密度变化范围由0.7×10~2/cm~2到3×10~2/cm~2。描述了宏观生长缺陷及其起源,文中提出了一些有效方法以减少这些缺陷。另外,发现低碱性溶液(pH=8-11)有利于LSFM晶体生长。最后,使用+z方向籽晶、降温速率为0.02—0.3℃/d和生长溶液的pH值为9时,获得了尺寸为43×33×62mm高质量LSFM单晶。     

Nd:YVO_4晶体的原料制备及合成条件研究

本文详细介绍了液相法掺钕钒酸钇晶体的原料合成 ,并讨论了影响原料纯度的制备条件。用本方法合成出的原料已生长出 30× 40mm的大尺寸优质掺钕钒酸钇单晶     

Nd:YV4晶体的原料制备及合成条件研究

本文详细介绍了液相法掺钕钒酸钇晶体的原料合成,并讨论了影响原料纯度的制备条件.用本方法合成出的原料已生长出φ30×40mm的大尺寸优质掺钕钒酸钇单晶.     

6H-SiC单晶的生长与缺陷

采用升华法,在一定的温度、气体压力和流量的条件下,生长了尺寸ф50．8mm的6H—SiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察,发现了SiC晶体内的典型缺陷,如：负晶、微管、碳颗粒等,并对它们的形成机理进行了讨论。     

四硼酸钾（K2B4O7.4H2O）晶体的生长和性能

本文报道了四硼酸钾晶体的生长,采用缓慢降温法自水溶液中首次生长出透明的大单晶体,尺寸为35×55×30mm。晶体的粉末倍频强度大于KB_5晶体。测量了晶体的透光光谱,压电和介电常数。     

大截面KDP晶体的生长与位错的检测

本文介绍了大截而KDP杆晶的培养和单晶的生长以及用光学、X射线形貌术和双晶衍射方法对大截而[xy≥200×200(mm)~2]KDP晶体中位错密度的检测。并根据生长锥的形态对位错密度的影响,提出了对控制位错的看法。     

α-LiIO_3大单晶的光学均匀性

本文对本所生长的α-LiIO_3大单晶的透过率、吸收、折射率、双折射率、散射颗粒、生长条纹及生长扇形等进行了观测和讨论。其双折射率不均匀性小于6×10~(-6)cm~(-1),折射率不均匀性小于 2×10~(-5)cm~(-1)。用直径为 1mm、功率为 1 W 的氩激光束扫描未见到散射颗粒。吸收系数很小,一般无生长层。由于生长扇形的影响,晶体中央部分的光学品质优于其它部分。晶体受其双折射率不均匀性影响而引起的倍频功率变化小于1％。因此,α-LiIO_3 大单晶已经具有很高的光学品位。     

掺钛白宝石的生长和光谱

用提拉法已生长出高光学质量的掺钛白宝石单晶(毛胚尺寸大于Φ15×100mm)。晶体直径成功地采用熔体称重法自动控制。从长出的晶体中切取了Φ7mm×62mm的激光棒。 测量了5—300K温度范围内Ti~(3+):Al_2O_3的光谱特性。首次观察出6166(?)零声子吸收线和平均分裂为194cm~(-1)的一系列电子振动线。研究了紫外区域的光吸收。用四次谐波Nd~(3+):YAG激光器为泵浦源激励Ti~(3+):Al_2O_3晶体发现非单一指数衰减的蓝光发射,同时还观察到红光发射。讨论了这些发光特征和可能的机理。     

Yb^3＋：La2CaB10O19晶体的生长

以CaB4O7为助熔剂生长出尺寸为31 mm×32 mm×12 mm、质量较好的掺Yb3+的摩尔分数分别为10%,15%的Yb3+∶La2CaB10O19(Yb3+∶LCB)单晶,生长工艺参数是降温速率＜0.5 ℃/d,转速＜12 r/min.测试了晶体的X射线粉末衍射谱、透射光谱和粉末倍频效应,结果表明Yb3+∶LCB晶体的粉末衍射峰与LCB的衍射峰一致;Yb3+∶LCB晶体在925, 975 nm附近有明显的吸收峰,其中975 nm附近吸收很强;倍频效应与KDP同一量级.     

二二甲亚砜合硫氰酸镉（DSTC）晶体的合成、结构、表征与晶体生长

合成了金属有机配合物晶体二二甲亚砜合硫氰酸镉Cd(SCN) 2 (C2 H6 OS) 2 (简称DSTC)。用X射线四圆衍射方法确定了此化合物的晶体结构。用元素分析、红外光谱对其进行了化学表征。首次在DMSO/水的溶剂中 ,生长出尺寸为 3 5mm× 12mm× 11mm透明单晶。     

过氯酸铵(AP)大单晶生长的研究

本文报道了用来制作近代火箭推进技术中夹心件(Sandwich)的NH_4ClO_4大单晶的生长。测量了该晶体的溶解度、过溶解度和T_s-pH曲线。发现了该晶体溶液准稳区具有相对过冷度极小的特点。观察到该晶体中主要的缺陷是“云层”,分析了该缺陷产生的内因和外因;提出了排除云层的关键措施。本文还就pH对籽晶恢复和透明生长的直接影响进行了分析讨论,寻找出AP大单晶生长溶液的最佳pH范围。 我们首次在1000ml的小育晶瓶内成功地生长出40×40×20mm的透明大单晶。     

引上法生长可调谐激光晶体BeAl_2O_4:Cr~(3+)

用高频感应加热引上法生长出 φ20×100mm光学均匀的紫翠玉晶体毛胚,由此加工得φ5×90mm的c 轴激光棒。进行激光试验已获得可调谐激光输出。给出了晶体光谱特性曲线。对晶体生长中BeO污染的防止,铝酸铍相形成动力学和熔体老化等问题进行了讨论。     

大尺寸Cr^3＋：LiSrAIF6晶体生长

采用提拉法生长出了一系列不同Cr3+(0.8%～8%,摩尔分数)不开裂、无明显散射颗粒、无气泡的Cr:LiSAF晶体毛坯,尺寸从φ 25mm,φl29 mm×135 mm到φ226 mm,φl30 mm×158 mm不等. 测定了晶体中的散射损耗约为1×10-3 cm-1. 详细讨论了引起晶体开裂的主要原因,并在此基础上基本解决了晶体开裂的难题.     

温梯法生长φ110 mm×80 mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析

利用导向籽晶温度梯度法（ＴＧＴ）生长了φ１１０ｍｍ×８０ｍｍ的蓝宝石单晶,应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况、发现在晶体放肩处的（１１２０）面位错密度约为１０＾４ｃｍ＾－２量级,等径生长过程中造晶体中心处（０００１）面位错密度为（３￣４）×１０＾３ｃｍ＾－２,靠近坩埚壁处（０００１）面晶体位错密度为（５￣６）×１０＾４ｃｍ＾－２,用同样方法分析     

大尺寸Cr~(3 )∶LiSrAlF_6晶体生长

采用提拉法生长出了一系列不同Cr3 ( 0 .8%～ 8% ,摩尔分数 )不开裂、无明显散射颗粒、无气泡的Cr∶LiSAF晶体毛坯 ,尺寸从s2 5mm ,l2 9mm× 1 3 5mm到s2 6mm ,l3 0mm× 1 58mm不等 .测定了晶体中的散射损耗约为 1× 1 0 - 3cm- 1.详细讨论了引起晶体开裂的主要原因 ,并在此基础上基本解决了晶体开裂的难题 .     

旋转圆盘法(RD法)LATGS/P单晶的生长研究

采用RD法生长工艺,以H_3PO_4部分取代H_2SO_4,并掺入适量的L-丙氨酸进行TGS晶体的改性研究。掌握了晶体的生长习性,找到了较好的生长条件,获得面积>100×50mm~2的优质单晶。该晶体介电常数ε为25—28;损耗tanδ为3×10~(-4)—1.0×10~(-3);热释电系数p达4.1×10~(-3)C/cm~2·K;内偏场E_b为3—5kV/cm。晶体质量均匀,利用率高。已用于制作热释电红外探测器和热释电红外摄像管。     

ZnO单晶的KOH碱液法生长和表征(英文)

采用自发成核方法,以KOH碱液作助熔剂,在银、镍和铁坩埚中分别生长了透明、棕绿色和棕色的纤维锌矿氧化锌单晶。X射线衍射和电感耦合等离子体原子发射光谱分析表明:晶体的颜色与所含的杂质有关,这些杂质来源于所使用的坩埚。采用光致发光(photoluminescence,PL)光谱对所生长的晶体进行了表征,结果显示,从银坩埚中生长的氧化锌晶体质量较高,其室温下用325nm波长光激发的PL光谱显示381nm强的紫外发射峰。在此基础上,从200mL银坩埚中生长出了尺寸为φ3mm×34mm氧化锌晶体。     

2-氯-4,6-二硝基间苯二酚的结晶动力学研究

采用间歇动态法测定了2-氯-4,6-二硝基间苯二酚(CDNR)的结晶动力学参数,并回归了CDNR的结晶动力学方程,分析了结晶动力学的影响因素。通过回归结晶成核速率方程和生长速率方程的计算,得到了一定温度、一定搅拌速度下的成核、生长速率常数,温度27℃、搅拌速度180 r.min-1时成核速率常数和成长速率常数分别为9.17×106和2.17×10-12,温度33℃、搅拌速度240 r.min-1时成核速率常数和成长速率常数分别为2.02×108和7.10×10-12。