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相似文献
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1.
混合氧化物系列组成的物质,其结构和性能具有一些特点,近年对它研究较多。K_2O—Nb_2O_5系列组成的物质,有多种稳定和不稳定的化合物。有人用X射线方法对它们作过研究。已报导的X射线分析结果颇不一致。本工作所用的K_6Nb_(44)O_(113)晶体由熔体提拉法生长。针状,淡黄色,将晶体研碎,撒在微栅网上制成透射电镜样品。用EM—400T电镜作电子衍射研究,用JEM—200CX电镜作高分辨电子显微观察。  相似文献   

2.
用直拉法生成了直径8—10mm长40—50mm的四方钨青铜K_3Li_2Nb_5O_(15)(KLN)单晶.用相对比〈011〉容易的〈100〉和〈110〉各种生长方向研究了晶体生长.沿〈001〉生长的晶体与另一大晶胞的青铜型晶体Ba_(2-z)Sr_(?)K_(1-y)Na_yO_(15)(BSKNN)相似具有方型截面.像BSKNN一样,KLN晶体具有强的纵向效应,如.ε_(11),d_(15),k_(15)和r_(51),表明它很适于声表面波(SAW)、电光和光折变上的应用.  相似文献   

3.
采用传统固相法制备Zn0.7Co0.3(Ti1-xSnx)Nb2O8(x=0.1,0.15,0.2,0.25,0.3,0.35)微波陶瓷。研究了Sn取代Ti对Zn0.7Co0.3(Ti1-xSnx)Nb2O8微波介质陶瓷的物相结构与介电性能的影响。XRD研究表明,Zn0.7Co0.3(Ti1-xSnx)Nb2O8陶瓷主晶相为ZnTiNb2O8,有极少杂相Zn0.17Ti0.5Nb0.33O2存在;随着Sn含量的增加,陶瓷晶格常数增大,晶胞体积变大,陶瓷密度增大;电子扫描显微镜(SEM)显示随着Sn含量增加陶瓷结构致密;相对介电常数εr逐渐变小,温度系数τf逐渐变小,Q×f值逐渐增大;当Sn含量为0.35时,烧结温度为1 080℃,εr=30.5,Q×f=46 973GHz,τf=-45.4×10-6/℃。  相似文献   

4.
本文报导 Ce-Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6单晶的全息照相性能及某些应用试验的结果。晶体组分配比、Ce 杂质含量、曝光功率及晶面取向等因素都对全患照相性能有影响。Ce-Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6的最高衍射效率可大于90%;当衍射效率为10%时,曝光量为14毫焦耳/厘米~2。用 Ar~+激光记录时,光存储灵敏度较高,用 He-Ne 激光亦可记录、读出和擦除。  相似文献   

5.
本文讨论分别采用KCl+NaCl、LiCl+KCl、0.365Na_2SO_4+0.635Li_2SO_4三种复合盐,KCl、NaCl、LiCl、Na_2SO_4、Li_2SO_4五种单盐作熔盐合成PbBi_2Nb_2O_9材料,及在经固相反应合成的PbBi_2Nb_2O_9中分别加入上述三种复合盐进行高温处理的研究结果,用SEM观察上面不同方法合成的PbBi_2Nb_2O_9微晶,分析合成条件与合成的PbBi_2Nb_2O_9微晶晶形的关系,找出有利于晶粒定向的微晶粉末。  相似文献   

6.
提出一种新的陶瓷掺杂稀有金属元素的制备方法,即首先合成掺杂稀有金属元素的微晶粉体,然后采用该粉体为原料完成陶瓷的制备。该文采用此法研究了Bi2O3含量对KSr2Nb5O15微晶形貌和陶瓷微观结构的影响,通过实验结果分析证实,Bi 3+进入KSr2Nb5O15微晶晶格中,合成了掺Bi的KSr2Nb5O15微晶粉体;Bi 3+的掺杂减弱KSr2Nb5O15陶瓷晶粒晶界能的各向异性,成功抑制了晶粒的异常生长。  相似文献   

7.
现已制备和研究了分子式为(Sr_(1-x)Ba_x)_(1-3y/2)R_yNb_2O_6的稀土元素改性的铁电晶体,这里R=La,Nd,Sm,Gd,和Lu。当R=La,Nd,x(?)0.5和 y=0.02时,在室温,改性材料的热电系数为没改性Sr_(1-x)Ba_x Nb_2O_6(x=0.5)的两倍,介电常数是它的四倍。由于加了稀土元素的杂质,所以使居里温度下降,介电常数增加,然而损耗因数和探测器信噪比几乎保持不变。根据测量性能计算的灵敏度与实际探测器测量的相符合。这些性质暗示出对于小尺寸或多元热电红外探测器的应用,改性的SBN是好材料。  相似文献   

8.
用一种简单、高灵敏度的方法测量了 KTa_(0.62)Nb_(0.38)O_3晶体的二次电光系数,结果为 g_(11)-g_(12)=0.217,g_(44)=0.167m~4/c~2。  相似文献   

9.
钛合金中ω相晶体结构的HREM研究刘维,助台荣一(中国科学院物理研究所,北京100080)(日本冈山理科大学)钛合金(Ti-Mo)经过时效处理后,在体心立方结构的母相中会形成粒子状的w相。w相的产生使合金变脆、影响使用,是很不希望出现的一个相。本工作...  相似文献   

10.
我们曾用HREM的方法研究铜的初期氧化物,确定了Cu_4O,Cu_8O和Cu_64O等几种初期氧化物的存在和结构。本文报导我们继续上述研究又获得的另一铜的初期氧化产物—Cu_4O_(1-0.25)。它比Cu_4O少1/4氧原子,可看作Cu_4O的缺氧结构。这种缺氧结构的氧原子排列有几种形式,它们具有相同的电子衍射谱,但HREM像的特征却不相同。本研究报导其中的三种,称其为α、β和γ型。Cu_4O_(1-0.25)是在与生成Cu_4O相同的氧化条件下生成的,常常可以观察到Cu_4O与Cu_4O(1-0.25)相毗邻存在。图1a是Cu_4O[100]取向的晶体结构投影,黑点表示Cu原子,圈表示氧原子的分布,圈中的数字表示氧原子的高度,小方框是Cu_4O单胞的投影。从图可知,处于O高度和1/2高度的氧原子列密度是相同  相似文献   

11.
本文讨论了Nb_2O_5在(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3系PTCR陶瓷中的作用。试验与分析表明,用Nb_2O_5作半导化剂,不但陶瓷半导化效果明显,而且还能有效地防止Pb挥发,防止晶粒长大,得到性能优良的半导体陶瓷材料。  相似文献   

12.
研究了不同BaCu(B2O5)(BCB)掺杂量对2.5ZnO-2.5Nb2O5-5TiO2(ZNT)陶瓷烧结行为、介电性能及与Ag相容性的影响规律。添加BCB可有效地将ZNT陶瓷的烧结温度从1 100℃降低至900℃。BCB添加量为3.0wt%,900℃烧结3h所制得的ZNT陶瓷的微波性能良好:εr=48,Qf=15 258GHz,τf=41×10-6/℃。且在BCB掺杂ZNT陶瓷与Ag共烧样品中未检测到新生相和Ag的扩散,表明3.0wt%BCB掺杂的ZNT陶瓷与Ag的相容性良好,是一种很有潜力的LTCC材料。  相似文献   

13.
采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。  相似文献   

14.
研究了不同BaCu(B2O5)(BCB)掺杂量对2.5ZnO-2.5Nb2O5-5TiO2(ZNT)陶瓷烧结行为、介电性能及与Ag相容性的影响规律。添加BCB可有效地将ZNT陶瓷的烧结温度从1 100℃降低至900℃。BCB添加量为3.0wt%,900℃烧结3h所制得的ZNT陶瓷的微波性能良好:εr=48,Qf=15 258GHz,τf=41×10-6/℃。且在BCB掺杂ZNT陶瓷与Ag共烧样品中未检测到新生相和Ag的扩散,表明3.0wt%BCB掺杂的ZNT陶瓷与Ag的相容性良好,是一种很有潜力的LTCC材料。  相似文献   

15.
以Li2O-B2O3-SiO2(LBS)玻璃为烧结助剂,研究了掺入LBS玻璃的M-相Li1.0Nb0.6Ti0.5O3(LNT)陶瓷的低温烧结行为及其微波介电特性。研究结果表明,掺入LBS玻璃能有效降低LNT陶瓷的烧结温度,而对LNT陶瓷的微波介电特性影响很小。XRD分析结果表明:在掺入少量LBS玻璃的LNT陶瓷中没有出现第二相。掺杂LBS质量分数为0.75%的LNT陶瓷在875℃烧结0.5 h后获得了优异的微波介电特性:εr=63.26,Q·f=4 821GHz(f=4.432 GHz)。  相似文献   

16.
1 Introduction In recent years short wavelength coherent radiation lying in th blue and UV range has attracted wide attention for a variety o applications, including laser printing, undersea communicatio etc. In view of this, several studies of nonlinear-…  相似文献   

17.
电子显微术可以提供晶体微区的三维对称性,能显示原子尺度范围的结构和缺陷,所以是研究象Li_2O.3Nb_2O_5(LN_3)这一类复杂氧化物很好的手段。我们同时用CBED和HREM分别测定了LN_3的空间群和观察了微结构。 LN_3的CBED带轴图(ZAPS)表明,LN_3的最高镜面对称是m,如[001]ZAP和[103]ZAP(图1,图2)所示,所以LN_3属单斜晶系;在垂直于镜面的[010]方向有一2次旋转轴,所以点群是2/m。高阶劳厄带投影到零阶上的衍射点表明,LN_3有简单格子。图1[001]ZAP给出,在垂直于全图镜面的方向,在中心透射盘两旁的衍射盘内,可见明显的消光线,这是动力学消光线,表明垂直于电子束方向有2次螺旋轴。图2[103]ZAP给出,在平行于全图镜面的方向,在中心透射盘两旁的衍射盘内,可见交替出现的动力学消光线,表示平行于电子束有一滑移面。事实上,点群2/m中的2次旋转轴即为2次螺旋轴,镜面即为滑移面。所以LN_3的空间群是P2_1/a。  相似文献   

18.
系统地研究了 x Pb(Y1 / 2 Nb1 / 2 ) O3- (1- x) Pb(Zr1 / 2 Ti1 / 2 ) O3三元系铁电陶瓷材料 ,测量并计算了不同组分时的压电常数 (d33 )、介电常数 (εT3 3/ ε0 )、机电耦合系数 (kp、k31 )、以及弹性柔顺系数 (s E1 1 、s E1 2 、s E3 3 ) ,对 0 .0 7Pb(Y1 / 2Nb1 / 2 ) O3- 0 .93Pb(Zr1 / 2 Ti1 / 2 ) O3材料 ,d33 为 32 7× 10 - 1 2 C/ N,介电常数 εT3 3/ ε0 为 135 0 ,机电耦合系数 kp 大于 0 .6 ,弹性常数 SE1 1 和 SE3 3 均大于 17× 10 - 1 2 m2 / N。实现发现 ,当 x大于 0 .5 5时 ,x Pb(Y1 / 2 Nb1 / 2 ) O3- (1- x) Pb(Zr1 / 2 Ti1 / 2 ) O3不再是铁电材料  相似文献   

19.
光折变晶体Sr_(0.6)Ba_(0.4)Nb_2O_6压电系数和电光系数的测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
要用干涉法测最了光折变晶体Sr_(0.6)Ba_(0.4)Nb_2O_6的压电系数和电光系数,结果为 d_(33)=108.9,d_(31)=-20.8,d_(15)=59.5×10~(-12)C/N;γ_(33)=184.2,γ_(13)=21.2,γ_(51)=-18.6×10~(-12)M/V。  相似文献   

20.
3G移动通信事业的迅速发展对应用于基站的微波介质谐振器陶瓷材料的Q值提出了更高的要求。Ba(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷材料因为具有很高的Q值、接近于零的τf和适宜的εr而备受关注。介绍了Ba(Zn1/3Nb2/3)O3系列微波介质陶瓷的结构和性能、改性研究、纳米化制备工艺及Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-Ba(Co1/3Nb2/3)O3复合技术,以期对该领域其他研究者有所帮助。  相似文献   

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