Sb_2Se_3单晶纳米带的水热制备、表征及性能

采用水热法制备大量高长径比的Sb2Se3纳米带。十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为形貌控制剂在纳米带的形成过程中起了至关重要的作用,借助X射线粉末衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等对所得产物进行系统表征。结果表明,所制备出的Sb2Se3纳米带是沿[001]晶面方向生长的,带的宽度在1μm以内,厚度有100nm左右,长度可达几十个微米。对Sb2Se3纳米带的生长机制和光学性质进行了初步的讨论和研究。     

表面活性剂辅助水热法制备ZnS纳米线

用十二烷基硫醇做表面活性剂,用水热法在180℃,12 h条件下制备了ZnS纳米线.实验发现硫醇可以诱导ZnS纳米粒子沿着一维方向生长.所得产物ZnS纳米线为六方纤锌矿结构,直径为50 nm～100 nm,长度10 μm～20 μm.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光发射光谱(PL)和紫外漫反射光谱(UV)等手段对所得纳米线进行了表征,并初步探讨了硫醇在限制ZnS纳米晶一维方向生长的机理.     

氨化Ga2O3 /Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究

采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50nm,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

硫化铋纳米棒的制备与表征

以L-胱氨酸为硫源,采用溶剂热法在不同的溶剂中反应,制备出硫化铋(Bi2S3)纳米薄片和纳米棒,采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等分别对所合成的Bi2S3晶型结构、表面形貌进行表征。结果表明,所合成的Bi2S3为典型的Bi2S3正交结构。以DMF为溶剂,在160℃下反应5d,得到了长为4000～8000nm、宽为200～300nm的正交相Bi2S3纳米棒。根据实验结果对所合成的Bi2S3的形成机制进行简单探讨。     

水热法合成和表征有序排列BiFeO3纳米线

以硝酸铋和氯化铁为原料，NaOH为矿化剂，水热条件下制备了有序排列BiFeO3纳米线。利用透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）和X射线衍射仪（XRD）对样品进行了表征。研究了矿化剂浓度和反应温度对产物结构和形貌的影响，结果表明在160-180℃制备了有序排列的BiFe03纳米线，纳米线的直径为50～100nm，长为200-500nm。     

采用溶胶-凝胶法在多孔氧化铝模板上制备立方相WO3纳米线

采用溶胶-凝胶法在纳米孔氧化铝模板上成功制备形貌各异的WO3纳米线.X射线衍射分析表明所制备的WO3纳米线为立方相结构.经扫描电子显微镜观察发现产物多数为菊花状WO3纳米线,其直径约10～80 nm,长约几微米.与空气气氛相比,氩气气氛更有助于WCl6三嵌段共聚物溶胶在多孔氧化铝模板上形成形貌各异的WO3纳米线.     

直流电弧等离子体法制备In(Sn)-O及Sn(In)(Sb)-O系纳米颗粒（英文）

采用一种新的直流电弧等离子体法,通过对熔融的金属进行爆破(或气化),制备出了单相SnO_2、In_2O_3纳米颗粒以及In_2O_3:Sn(ITO)、SnO_2:Sb(ATO)和SnO_2:In:Sb(IATO)多元复合纳米颗粒。XRD结果表明,所制备的SnO_2和In_2O_3基多元复合纳米颗粒均为单相结构,没有其它杂相;TEM结果表明,直流电弧等离子体所制备的单相纳米颗粒分散性好,尺寸20～50 nm。该法合成的纳米ITO和ATO颗粒所制备的ITO靶材和SnO_2电极密度高、电阻率低,表明所制备的ITO和ATO纳米颗粒可以应用于平板显示和导电电极领域。     

Sb_2O_3/聚氯乙烯复合材料的制备及阻燃性能

以聚氯乙烯(PVC)为基体,微米级和纳米级Sb2O3为阻燃剂,采用熔融共混的方法制备了Sb2O3/PVC复合材料。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)对复合材料和燃烧产物的形貌进行表征,通过极限氧指数仪(LOI)和垂直燃烧实验对复合材料的阻燃性能进行了研究。结果表明:与纯PVC相比,Sb2O3/PVC复合材料能够形成有效的Sb-Cl阻燃体系,对软质PVC塑料的阻燃性能有明显的提升;相比于微米Sb2O3,纳米Sb2O3由于其粒径的优势,使其与PVC基体的相容性更好,同时增大了燃烧区Sb2O3分解反应的平衡常数,生成了更多的Sb Cl3和Sb OCl,相应的也促进了气相中活性自由基捕获反应的进行,从而使得燃烧更容易被终止;纳米Sb2O3与PVC的质量比为1.85∶100时,Sb2O3/PVC复合材料可达到难燃级别,氧指数和UL-94等级分别为27.1%和V-1级;而微米Sb2O3与PVC的质量比为3∶100时,Sb2O3/PVC复合材料才可达到难燃级别。     

Sb2Se3纳米线的水热合成和表征

分别以SbCl3和不同的硒源(SeO2、Se粉)为原料,采用水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,用水热法在150 ℃下反应24 h后合成Sb2Se3纳米粉末。通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、场发射电子扫描电镜(FESEM)以及高分辨透射电镜等分析方法对产物的物相成分和形貌等进行表征。结果表明, 产物的结构为正交晶系的Sb2Se3纳米晶体,其微观形貌为一维纳米线结构。采用不同硒源合成产物的微观形貌基本相似,其中以SeO2作为硒源水热合成的Sb2Se3纳米线比以Se粉作为硒源合成的纳米线要更加窄而薄,而且纳米线尺寸比较均匀一致。纳米线晶体沿[001]方向生长,这与Sb2Se3独特的晶体结构有着密切的联系     

掺杂硅纳米线的光电特性

采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究.结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15 nm,由直径11nm的晶核和2 nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间距为4 nm,硅纳米粒子链的阀值场强为6 V/μm,优于未掺杂的硅纳米线的阀值场强(9 V/μm).X射线光吸收谱可以补充提供常规电流-电压测量得不到的信息,并提示掺杂分布的细节.