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本文对柏林固体激光研究在高功率固体激光和工业应用方面的最新进展,包括高功率板条,管状和二极管泵浦固体激光器,光学谐振腔,激光光束质量诊断,以及高功率固体激光材料加工等,作了报道。 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1998,35(3):11-12
1997年1月27~29日在佛罗里达奥兰多举行的第12届先进固体激光器主题会议上,新型团体激光器的发展和非线性频率转换技术方面的新进展成了本次会议的主题。在这个由美国光学协会发起的三天会议中,包括了内容涉及固体激光器在投影电视、生物分析、光刻和防务方面应用的全体会议和介绍固体激光材料、器件进展的技术分会和张贴分会。虽然目前技术和会上所介绍的应用尚存在差别,但在发展二极管激光泵浦的高功率红外激光器和光参量振荡器方面已取得重大进展。还报导了能产生200~300urn范围紫外光的新增益介质和非线性晶体的研究结果。由于可得… 相似文献
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二极管泵浦的Q开关固体激光器现已广泛应用于加工业.如半导体电子器件、印刷电路板、陶瓷和塑料等器件的加工。激光器在工业加工中应用范围之广意味着激光器制造商必须根据波长、功率、重复率、脉冲宽度、峰值功率扩大其产品生产的范围。目前在加工领域,激光器的研究和 相似文献
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王广昌 《大气与环境光学学报》1997,(6)
安徽省光学学会激光与光电子专业委员会’97学术交流会于11月29日~30日在巢湖市召开.来自安微省备大专院校和科研院所的29位代表参加了会议,会议收到论文11篇,9位代表在会上宣读了论文.会议就无粒子数反转激光器、灯泵钛宝石激光器、固体染料激光器、光纤放大器和微型光学等前沿领域及激光在文物恢复中的应用、激光调阻技术、激光红外传感器在煤矿瓦所探测中的应用等激光应用领域进行了交流和介绍,并对明年激光和光电子专业委员会的工作作了安排.会议时间虽然很短,但开得紧凑、活泼,对科技工作者学术交流、沟通信息、开拓思路和增… 相似文献
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1引言 自超短脉冲光学问世以来,已经历了约25年的发展历程,飞秒激光器现已在工业加工中得到应用. 飞秒光纤激光器利用支撑光通信发展的光纤技术实现了集成化,使超小型激光器达到了高可靠性.最新研制的系统巧妙地利用光纤中的非线性现象,使其脉冲能量接近以往利用再生放大和盘形激光技术的固体激光器的能量.这种飞秒脉冲光纤激光器有望应用于超微细加工领域.目前,光纤单模传输技术的开发已取得进展,更高能量、更高功率的光纤激光器不久将展现在人们的面前. 相似文献
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激光焊接已经成为工业激光器应用中发展最快的领域。新型高效激光光源,如降低每瓦成本的盘形激光器的发展可以使激光加工的效率大大提高。TKUMPF在几年前引入了盘形激光器,今天它已经成为市场上最可信赖的激光工具。盘形激光器卓越的光束质量和高达10kW的输出功率使其在汽车工业以及厚片焊接中(如重型建筑和造船业中)具有重要应用。本文综述了TRUMPF盘形激光器的最新发展以及在切割、焊接、遥感焊接和复合焊接等领域的应用,并介绍了盘形激光器在增加功率方面的发展前景以及在进一步提高生产力和经济发展中的重要作用。 相似文献
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透镜阵列光束整形技术在激光材料加工市场崭露头角.LIMO公司的Vitalij Lissotschenko和Paul Harten介绍了半导体激光器直接应用于激光焊接和激光切割领域的状况. 大功率激光光源现已广泛应用于多种材料的加工领域.目前最普遍的应用包括:焊接、钎焊、切割、钻孔、激光退火、微机械、烧蚀以及微光刻等.对于激光材料加工而言,除了选择合适的激光光源外,选取能够产生适当光场剖面的高效能光学元件也至关重要. 相似文献
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激光微细加工:新的发展与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
准分子激光微细加工已成为一种成熟的加工技术,在工业中有着广泛的应用,如喷墨打印机喷嘴的钻孔、传感器的生产和显示板的加工等。本文描述了准分子激光加工系统的重要概念,给出了在微细加工领域中已被开发出来的各种新方法。重点描述了用于加工复杂的、多层次三维微细结构的各种加工技术,并用加工出来的结构实例说明了它们的相关应用。此外,还给出了用亚纳秒固体纤维激光器进行微细加工获得的初步结果。最后叙述了用超短脉冲激光器进行激光微细加工这个快速增长的技术领域。 相似文献
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激光器出现不久,在材料加工方面便获得了应用。经使用证明,激光加工同以往的任何机械加工方法比较起来,它的加工速度快,质量好,而且还能加工某些用机械加工法不能加工的工件,尤其特殊的是在精密微型加工方面。激光加工主要包括打孔、焊接、切割、划线以及微调、蒸发、破碎和局部热处理等。它的应用面已涉及到各个科学技术领域,特别是对电子工业、精密仪表、航空及机械工业等起着促进作用。近二三年来,激光加工技术进展迅速,在若干工业领域中已达到实际应用水平。主要原因之一,就是固体激光加工设备的价格有了下降,可靠性、稳定性、可调谐性和重现性等大 相似文献
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A simple noise model of a microwave MESFET (MODFET, HEMT, etc.) is described and verified at room and cryogenic temperatures. Closed-form expressions for the minimum noise temperature, the optimum generator impedance, the noise conductance, and the generator-impedance-minimizing noise measure are given in terms of the frequency, the elements of a FET equivalent circuit, and the equivalent temperatures of intrinsic gate resistance and drain conductance to be determined from noise measurements. These equivalent temperatures are demonstrated in the case of a Fujitsu FHR01FH MODFET to be independent of frequency in the frequency range in which 1/f noise is negligible. Thus, the model allows prediction of noise parameters for a broad frequency range from a single frequency noise parameter measurement. The relationships between this approach and other relevant studies are established 相似文献
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"杀手锏"、"产业链"问题及创新与发展策略 总被引:17,自引:1,他引:16
随着3G的演进与宽带多媒体业务的发展,用户需求、市场运营模式已发生了本质改变,在这种多方依赖、共赢合作的环境中,必须处理好技术驱动与市场驱动关系,以及“杀手锏”和“产业链”问题,企业才能作出正确的战略决策,在激烈的市场竞争中取得成功。本针对这些情况,并结合中国国情,介绍了应关注的新技术,重点论述“杀手锏”、“产业链”问题及持续发展与不断创新关系的一些策略考虑。 相似文献
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21世纪是人类历史的一个蓬勃发展的时代。在信息高速发展的今天,科学技术迅速发展,带动了人类社会的进步,但是同时也带来了人类的生存危机。人类应该正确看待科学技术,使科学造福于人类,而不成为祸害。 相似文献
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Vapor-phase etching of (111), (111), (110) GaAs and (111), (111) GaP wafer in H2 + HBr or H2 + PBr3 gas mixtures has been conducted. The results of two cases, with liquid-forming metal (gold) layers or without coatings, are compared. Etching rates as a function of temperature in the range of 600? to 950? C were measured in Arrhenius coordinates. For both materials and for different gas environments, low-, medium- and high-temperature regions are distinguished, the activation energies in the low-temperature region (below about 650?c) being quite different for the two cases. The kinetic results are correlated with morphological changes arising from temperature variations. Some conclusions are made about the mechanisms of chemical vaporization in various temperature regions. The vaporization mechanisms have much in common with those for AII - BVI compounds. 相似文献