先驱体法制备氮化硼陶瓷材料的研究进展

氮化硼陶瓷是一种性能优异并有很大发展潜力的新型陶瓷材料,但是传统的高温合成法无法制备高质量的BN纤维、薄膜、泡沫、涂层或复杂形状的复合材料,只能通过先驱体法实现。简单介绍了先驱体陶瓷技术,重点综述了先驱体法制备氮化硼陶瓷纤维和氮化硼陶瓷复合材料的研究进展,并对先驱体法制备氮化硼陶瓷的发展趋势做了展望。     

先驱体法合成氮化硼研究进展

综述了无氧有机先驱体法合成氮化硼的研究进展 ,系统介绍了由硼烷、硼吖嗪、卤化硼合成氮化硼的工艺条件 ,及由这些化合物制备聚合物先驱体的合成途径及其陶瓷转化 ,概述了先驱体法待研究的问题 .     

制备工艺对 CaO - MgO - Nb2 O5-TiO2微波介质陶瓷结构与介电性能的影响

采用普通固相合成法和铌铁矿前驱体法合成了CaO-MgO-Nb2O5-TiO2微波陶瓷粉体,讨论了这两种粉体制备方法对CaO-MgO-Nb2O5-TiO2微波陶瓷微观结构和介电性能的影响.两种方法相比:前驱体法合成制得的CaO-MgO-Nb2O5-TiO2陶瓷粉体具有物相纯,粉体煅烧温度较低的特点;在1300℃下烧结保温5 h获得的陶瓷材料晶粒均匀、致密,并且其微波陶瓷的介电性能得到了改善.     

六方氮化硼颗粒制备方法研究进展

概述了六方氮化硼颗粒制备方法及研究现状。介绍了先驱体法、化学气相沉积法、传统高温法、水(溶剂)热法等不同的制备方法,对合成六方氮化硼颗粒的工艺条件对颗粒形成的影响做了深入的综述。经过分析进一步得出高温精制及在焙烧时加入适量的助剂将会提高产物的结晶度和纯度,指出了各种制备方法的优劣及如何避免合成中存在的问题,并进一步展望了各种制备方法的前景。     

分散介质对钛酸锶系电流变液电流变性能的影响

采用前驱体法、溶胶-沉淀技术合成了一种新型的电流变材料--钛酸锶，对其进行表征，并将其分散于不同的介质中形成电流变液，考察了分散介质对钛酸锶微粒的电流变效应的影响。     

前驱体法制备六方氮化硼颗粒及高温精制

以三聚氰胺和硼酸为原料,通过共沉淀法合成了二硼酸-三聚氰胺,在最佳工艺条件下以二硼酸-三聚氰胺为前驱体在氨气气氛中烧结制得六方氮化硼颗粒。采用IR、XRD、TG、SEM等测试方法对中间物和产物进行了表征,确定了中间物及产物的组成、物相、粒度及形貌。研究结果表明:以二硼酸-三聚氰胺为前驱体在1200℃烧结4h,可制得高纯度、晶型好的六方氮化硼。经过高温精制后的六方氮化硼颗粒具有较高的结晶度和致密度,其粒径可以达到20μm以上,纯度为98.5%。     

GaP纳米晶对溶剂热合成氮化硼的物相和微观形貌的影响

研究了溶剂热方法合成氮化硼纳米晶过程中异种晶粒对氮化硼微现形貌和物相的影响,结果表明：在不改变反应原料种类的情况下,当体系内加入GaP纳米颗粒时．制备的氮化硼纳米晶呈现“树枝”状形貌．且样品中立方氮化硼为主要物相。文中对这种微观形貌的成因进行了简单讨论。     

氮化硼纤维的研制

研究了用先驱体法制备氮化硼（ＢＮ）纤维的全过程。以ＰＢＣ１３和（Ｍｅ３Ｓｉ）２ＮＨ为原料直接合成具有纺丝性能的聚硼氮烷，经纺丝、不熔化处理离温烧结等一系列工艺处理，制得了ＢＮ纤维。纤维的平均直径３６μｍ，连续长度６０ｃｍ，拉抻强度１１０ＭＰａ。探讨了制备工艺过程中的一些基本规律．     

氮化硼纳米材料的合成与应用研究进展

新型氮化硼纳米材料拥有优越的导热性、介电性、耐温性和稳定性等。不同形态的氮化硼纳米材料,如纳米球、纳米片和纳米管等,在日用化学品、光电子和高分子材料等许多应用领域中有着十分优秀的表现,其合成工艺也日趋进步。对氮化硼纳米材料的合成和应用研究进行简述和展望。     

立方氮化硼薄膜生成机制及其应用

近几年来,薄膜合成在表面改性技术领域中得到迅速地发展,具有代表性的超硬质材料金刚石薄膜和立方氮化硼薄膜的合成已取得成功。立方氨化硼薄膜同金刚石薄膜一样具有高的硬度、高的耐磨性、良好的热传导性及绝缘性,尤其化学稳定性更好。目前已逐步地应用于电子、半导体、放热基板、光电开关、工具以及耐热、耐酸、耐磨等各种涂层。 为了更好地使立方氮化硼薄膜应用于工业生产,国内外学者对立方氮化硼薄膜合成的机构进行了大量的研究。本文重点介绍立方氮化硼生成的机制及其在生产中的应用。 一、立方氮化础薄膜生成机制”。一立方氮化硼薄膜…     

超声配位前驱体法合成锂离子电池正极材料LiMn2-xCrxO4

采用超声配位前驱体法制备了锂离子电池正极材料LiMn2-xCrxO4（0≤x≤0．1）．利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、循环伏安（CV）和充放电测试对样品进行了表征．结果表明，用该方法合成的LiMn2-xCrxO4（0≤x≤0．1）样品形貌规整，具有较高的放电容量和较好的循环性能，同时该方法的提出开辟了锂离子电池正极材料制备的新途径．     

反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响

研究了不同反应温度对苯热合成立方氮化硼的影响,研究结果表明以Li3N和BBr3为原料制备立方氮化硼时,温度对产物中立方相含量有很大影响,在200～400℃,产物主要为六方相氮化硼,随温度升高,立方氮化硼的含量随之增加;继续升高温度立方相含量在480℃达到极大值,这时样品中仍然是六方相氮化硼与立方氮化硼共存,但立方氮化硼占优势;继续升高温度,立方氮化硼迅速减少,六方氮化硼含量增加.     

高温高压下立方氮化硼晶体的生长机制

在４．５－５．０ＧＰａ，１５００－１８００℃范围内，对在Ｌｉ基复合氮化物或氮硼化物和催化体系中以及其中添加Ｌｉ８ＳｉＮ４后合成ｃＢＮ进行了研究。探讨了ｃＢＮ晶体的表面构造和生长机制，研究了由六方氮化硼向立方氮化硼转变过程中硅的存在在行为。本实验中合成的立方氮化硼为具有光泽的棕色透明单晶。     

纳米硫氰酸亚铜制备与应用

综述了纳米硫氰酸亚铜的制备方法,包括液相沉淀法、电沉积法、连续离子层吸附与反应法、前驱体法等,及其在太阳能电池、防污涂料和电存储材料等方面的应用,并对其应用前景进行了展望。     

电致发光材料PPV的合成研究──Ⅰ.PPV前驱聚合物的合成

报道了新型电致发光材料-聚对苯撑乙烯前驱聚合物的合成方法。研究了各中间体的合成工艺。并对前驱聚合物进行了性能测试，结果表明所选择的合成方法合理可行，并为PPV的合成提供参考数据。     

电致发光材料PPV的合成研究——I.PPV前驱聚合物的合成

报道了新型电致发光材料－－聚对苯撑乙烯前驱聚合物的合成方法，研究了各中间体的合成工艺。并对前驱聚合物进行了性能测试。结果表明所 合成方法合理可行，并为ＰＰＶ的合成提供参考数据。     

氮化硼纳米管的研究现状

详细介绍了氮化硼纳米管自发现以来的研究情况,阐述了氮化硼纳米管的结构与性质,对目前已有的合成方法进行了归类与总结,同时分析了各自的优缺点,概述了其应用研究的进展情况,并提出了今后研究和应用的发展方向.     

球磨-退火法合成氮化硼纳米管及其表征

氮化硼纳米管(BNNTs)以其耐高温、抗氧化、抗化学腐蚀、热传导性好、韧性好、稳定的电学性质等优良性能,在纳米复合材料、高温绝缘材料、电子材料等应用领域中前景广阔。氮化硼纳米管的强度和韧性都远远优于任何纤维材料,但高产量、高纯度的合成还有很大困难。同时,人们对氮化硼纳米管的生长机理还不是很清楚,这严重阻碍了氮化硼纳米管的发展。因此有必要对氮化硼纳米管的制备及其性能进行研究。本文以B粉、NH_3为主要原料,以Fe_2O_3为催化剂,采用球磨-退火法制备了氮化硼纳米管。实验的最优配方为1g B粉,0.5g Fe_2O_3,球磨8h,烧成温度1000℃,保温2h,可以得到转化率高达88.5%的氮化硼纳米管。使用粉末衍射仪、扫描电镜、透射电镜等检测方法对制备的氮化硼纳米管进行了充分表征。     

以氯化铵为添加剂制备高比表面六方氮化硼多孔材料及性能研究EI北大核心CSCD

本研究以廉价易得的硼酸和三聚氰胺为原料,氯化铵为添加剂,通过湿化学法制备前驱体C3N6H6·2H3BO3,再采用高温热解法制得高比表面氮化硼。运用XRD,FT-IR,SEM,TEM,BET对所制备的样品进行表征。结果表明,产品主要为带状形貌、内部多孔的六方氮化硼,比表面积为456.68m2/g,平均孔径为3.8303nm,总孔容为0.4373cm3/g。     

Cu2S纳米材料的制备及应用研究进展

综述了纳米Cu2S的制备方法,包括水热法、溶剂热法、热注入法、前驱体法等,以及纳米Cu2S的应用研究进展,包括催化剂、太阳能电池、场发射、锂离子电池、生物传感器等。阐述了相关制备方法的实验机理,并对Cu2S的发展趋势和应用前景进行了展望。