新型异质结LaCO3OH/In(OH)3/In2S3的制备及其可见光下催化降解罗丹明B的性能

采用原位湿化学方法合成了LaCO3OH/In(OH)3/In2S3异质结光催化剂。采用XRD、 SEM、 XPS、 BET、 TG等表征技术对所制备LaCO3OH/In(OH)3/In2S3异质结光催化剂的组成、结构和形貌等进行分析。以可见光下(λ≥420 nm)降解罗丹明B(RhB)为探针反应,研究了LaCO3OH含量不同时LaCO3OH/In(OH)3/In2S3异质结光催化剂的光催化活性。结果表明,当La/In的摩尔比为15mol%时, LaCO3OH/In(OH)3/In2S3异质结光催化剂具有最高的降解活性,与In(OH)3/In2S3相比,活性提高约一倍。这可能是由于LaCO3OH/In(OH)3/In2S3异质结光催化剂具有较高的比表面积、合适的能带结构和较好的吸附性能。以对苯二甲酸为探针分子,光催化实验证明羟基自由基(·OH)是重要的活性物种。并提出了可能的降解机制。     

In2O3纳米棒的制备与表征

以非离子表面活性剂作为形貌控制剂，采用溶胶-凝胶法制备In2O3纳米棒前驱物，经500℃煅烧1h，成功制备了长约120nm，直径20nm的In2O3纳米棒。根据综合热分析（TG—DSC）结果，前驱体是In（OH）3部分脱水的In2O（OH）4干凝胶；计算表面活性剂分子的几何排列参数P在1／3～1／2之间，确定体系形成的是棒状胶团，并对其影响因素和机理进行了讨论。     

Ag掺杂In2S3薄膜的拉曼光谱研究

利用拉曼光谱结合XRD与SEM测试对未掺杂与Ag掺杂的In2S3薄膜进行分析了研究。XRD测试结果确定了In2S3的物相,并表明掺杂后晶粒尺寸发生一定的变化;拉曼光谱研究表明,掺杂后232、272及300cm-13条拉曼谱线发生红移,这是由于掺杂后晶格膨胀引起的。结合部分拉曼谱线半高宽的展宽证实了掺杂后薄膜中存在间隙Ag原子;SEM的测试结果进一步证实Ag掺杂后In2S3晶格存在膨胀,并说明了In2S3薄膜的生长方式     

不同形貌和结构In2S3微球的微波辅助法制备

以硝酸铟作为铟源,用硫代乙酰胺或者2-甲基硫代丙酰胺为硫源,在低温开放系统中采用微波辅助加热制备得到硫化铟(In_2S_3)微球。分别采用包括表面光电压谱(SPV)及紫外-可见漫反射(DRS)在内的诸多方法对产物进行表征,并探究了不同硫源及pH值对In_2S_3的结构、尺寸及光学性质的影响。以硫代乙酰胺作为硫源时,微波温度90℃下,制备得到实心In_2S_3微球;以2-甲基硫代丙酰胺为硫源时,微波温度85℃下,制备得到空心In_2S_3微球。空心In_2S_3微球的表面光电压高于实心,说明空心In_2S_3微球的光激发电荷分离效率优于实心。     

化学水浴法制备In2S3薄膜的组织和性能研究

采用化学水浴(CBD)法在InCl3·4H2O和CH3CSNH2的酸性混合溶液体系中分别通过改变pH值、溶液nIn∶nS浓度比及溶液温度参数依次制备In2S3薄膜,并通过X射线衍射、扫描电镜及紫外/可见/近红外分光光度计等手段系统研究不同工艺下制备In2S3薄膜的晶相结构、表面形貌及光学性能.研究发现:溶液pH值对制备In2S3薄膜有很大的影响,在pH为1.8制备的In2S3薄膜性能较好;溶液nIn∶ns浓度比影响薄膜的致密性,在1∶4时相对较好;CBD法制备薄膜最佳溶液温度为80℃.在优化工艺参数下制备的In2S3薄膜可见光透过率在90％以上,禁带宽度为2.72eV,能够满足CIGS太阳能电池缓冲层薄膜的要求.     

纳米In2O3／TiO2介孔复合体的制备及其光致发光性能研究

本论文利用尿素水解均匀沉淀法制备锐钛矿型纳米TiO2介孔粉体，然后在硫酸铟溶液中浸泡一周，并在650℃下退火处理5h，制得纳米In2O3／TiO2介孔复合体。采用X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）谱表征In2O3／TiO2介孔复合体的组成结构和发光性能，并对相同温度退火处理下的介孔TiO2粉体进行比较，结果表明：经过650℃退火后，在激发波长380nm，发射波长570nm附近，纳米In2O3／TiO2介孔复合体产生荧光增强效应。     

AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点的制备及表征

采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点,物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm,Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm,即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移,AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命,分别为169ns和162ns,结合生物组织光学窗口范围限制,相对Ag—Z—In—S,AgInS2量子点更适用于生物标记。     

氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜

研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.     

In2Se3/CuSe核壳结构微纳粉的合成及其喷涂热处理制备CuInSe2薄膜

分别采用超声微波溶剂热法、常压溶剂热法及高压溶剂热法制备In₂Se₃/CuSe粉体, 研究不同方法制备In₂Se₃/CuSe粉体的物相、形貌, 并利用涂覆-快速热处理法制作薄膜太阳电池吸收层。通过XRD、Raman、FESEM和TEM对样品的物相、形貌和组成进行了表征。结果表明: 超声微波溶剂热法和常压溶剂热法得到的产物是以In₂Se₃+CuSe混合相的形式存在, 高压溶剂热法合成的In₂Se₃/CuSe粉体则呈核壳结构, (以In₂Se₃为核, CuSe为壳)。涂覆-快速热处理法制备CIS薄膜的FESEM照片结果表明, 高压溶剂热法合成的In₂Se₃/CuSe更容易获得平整致密的薄膜。将该CIS薄膜直接用于电池器件的组装, 获得的光电性能参数: V_oc为50 mV, J_sc为8 mA/cm²。     

水热／溶剂热法制备Mn3O4纳米材料的研究进展

Mn3O4广泛应用于催化、电化学、软磁材料、空气净化等领域。近年来，采用多种新技术研制Mn3O4新材料，如电子级Mn3O4、Mn3O4超细粉体、Mn3O4纳米带、纳米棒、纳米纤维、纳米空心球等。重点评述了近几年水热／溶剂热法制备纳米级Mn3O4新材料的研究进展，并展望了Mn3O4新材料制备技术的发展方向。     

MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究

用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法以三甲基铟为源材料，以O2为氧化气体，在蓝宝石衬底（0001）面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和（222）方向择优取向生长，电阻率～6．40×10^-3Ω·cm，在可见光区域的平均透过率达到了90％以上。     

纳米In_2O_3的制备与结构表征

介绍了以同纯精铟为原料,采用化学沉淀法在一定的实验条件下制备纳米级In2O3粉体的实验过程,通过XRD、TEM、BET及化学分析等多种检测及分析手段对所制得的粉体的性能进行了初步表征,结果表明:采用化学沉淀法制备的In2O3为高纯单相类球形的黄色粉末,其平均粒径小于30nm。     

氨化Si基Ga2O3/In制备GaN薄膜

研究了Ga2O3/In 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.     

NiO/In2O3纳米复合材料的制备及气敏性能研究

采用水热法结合水浴法制备出了NiO/In2O3纳米复合材料,利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)等对其微观形貌和晶相进行表征分析。表征结果表明,制备所得In2O3纳米微球直径为200~300 nm,其表面均匀包覆厚度约为20 nm的NiO纳米片。气敏测试结果表明,基于NiO/In2O3异质结纳米复合材料的气体传感器对甲醛的最佳工作温度为220℃;在最佳工作温度下,对浓度为1×10^-5的甲醛气体响应可达到20,响应/恢复时间分别为4 s/16 s,且具有较好的重复性和选择性。最后,对分级结构及p-n异质结对其气敏机理进行了探讨。     

掺Sb,Sn和Cd的In2O3的电性研究

本文研究了掺杂Sb、S_n及Cd的In_2O_3的电性质,并与纯的In_2O_3进行比较,得到一些有意义的结果。IO的电导率及载流子浓度主要由氧缺位所致;ITO和ISO的电导率和载流子浓度,主要由掺杂元素所致;掺Sn的电导率、载流子浓度和迁移率高于掺Sb,其原因在于在同样掺杂浓度的条件下,ITO中的中性杂质浓度低于ISO及掺Sn后使电子离域程度增大。在掺Cd浓度高时,随着Cd浓度增加,电导率和载流子浓度均降低。     

反应蒸发技术制备高性能In2O3和ITO薄膜

在真空状态下,在两个石英坩埚分别装入纯In,In、Sn（Wt=10％）合金,并按所沉积膜的种类（In2O3或ITO）将某一石英坩埚装入加热器,当真空度达到要求后,通入氧气并开启加热器,可在玻璃基板上制备In2O3或ITO薄膜。制备的ITO薄膜的方块电阻为10Ω/□,可见光平均透过率≥90％,制备的In2O3薄膜的方块电阻为35Ω/□,可见光平均透过率≥90％。是太阳能光伏产品及显示器件导电膜的理想选择。     

硝酸铁直接热分解制备γ—Fe2O3纳米粒子及其性能术

以硝酸铁为原料,三乙二醇（TEG）为溶剂,采用热分解法制备了γ-Fe2O3纳米粒子,通过X射线衍射fXRD）、差热-热重分析、N2吸附-脱附（BET）和磁性分析（VSM）等测试手段对制备的样品进行表征,并考察了硝酸铁浓度和反应时间对γ-Fe2O3晶粒尺寸及性能的影响,结果表明,硝酸铁在TEG中高温热分解后能够产生γ-Fe2O3纳米粒子,并且随着硝酸铁浓度和反应时间的增加,γ-Fe2O3纳米粒子的晶粒尺寸和饱和磁化强度都有增大的趋势。     

溶胶-凝胶水热法制备纳米晶体PbTiO3

以醋酸铅和钛酸丁酯为原料，乙二醇单甲醚为溶剂，分别用溶胶－凝胶直接水解法和溶胶－凝胶水热合成法制备纳米晶体PbTiO3，用XRD、TEM、Raman、ICP和氮吸附表面积测量等测试手段对纳米PbTiO3进行了分析。单纯sol-gel直接水解法（无酸催化）合成样品经400℃处理后仍为无定形结构，但同样条件下经溶胶－凝胶水热过程处理过的样品经400℃热处理可得到形状均一，颗粒较小，平均粒径在20－30nm左右，具有单相钙钛矿结构的钛酸铅纳米粉。在sol-gel酸性条件下水解合成的样品300℃形成晶相，但颗粒分布不均匀，经400℃处理的样品平均粒径在50nm左右。     

In2O3的掺杂及气敏性能研究

较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况,并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析,发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高,改善了In2O3的气敏性能,同时还探讨了In2O3对不同气体(H2、H2S、NO2、O3,Cl2、C2H5OH)的敏感机理.     

溶剂热合成法制备聚乳酸及其性能

以丙交酯为原料,氯化亚锡为催化剂,通过热溶剂法在170℃反应12h开环聚合制得聚乳酸。采用乌氏黏度计,红外光谱(FT-IR),差示扫描量热(DSC)和凝胶渗透色谱(GPC)等对所得聚合物进行了分子量测定和结构性能表征,证实了溶剂热合成方法制备聚乳酸的可行性。同时研究了氯仿,丁酮和甲苯三种溶剂对最终合成产物结构及分子量的影响,并用GPC和DSC考察了受阻酚和亚磷酸酯类的抗氧化剂组合对聚乳酸分子量和熔融结晶行为的影响。