Co3O4纳米片阵列的制备方法及其在超级电容器中的应用研究进展

氧化钴(Co_3O_4)纳米片阵列具有比表面积大、环境友好以及成本低等优点,同时具备比电容高、循环稳定性好、电容量大等电化学性能,是应用前景广阔的超级电容器材料。综述了Co_3O_4纳米片阵列的制备方法及其在超级电容器中的研究进展,并对其未来发展进行了展望。     

钙钛矿型稀土纳米复合氧化物的制备与应用

纳米级钙钛矿型稀土复合氧化物在许多领域表现出了突出的作用。本文介绍了钙钛矿型稀土纳米复合氧化物的主要合成方法，说明其优缺点，简要分析了该类材料的性能用途，并对其今后的发展方向提出了几点建议。     

SnO2纳米片阵列的制备及其在新能源器件领域的研究

SnO_2纳米片阵列作为一种具有独特介孔结构的三维纳米材料,不仅具备SnO_2纳米片具有大的比表面积,规则有序的孔道结构,狭窄的孔径分布特点,其三维立体结构也提高了材料的电化学性能,具有极好的导电、氧化和催化性能,是理想的储能电池电极材料和生物传感器的检测材料。综述以各种制备高质量,大比表面积SnO_2纳米片阵列的方法及其在新型能源器件方面的应用现状为主,并对其未来发展趋势进行了展望。     

一维纳米ZnO阵列的制备及其在染料敏化太阳能电池方面的应用研究进展

一维定向生长的纳米ZnO阵列具有较高的高温强度、硬度、优异的化学稳定性和物理化学特性,在气敏传感器、场发射、纳米结构染料敏化太阳能电池等方面有着广泛的应用.制备一维ZnO结构的方法多种多样,如水热法、化学气相沉积法、超声化学法等.综述并比较了一维纳米ZnO阵列的结构特点、生长机理、制备方法及其在染料敏化太阳能电池方面的应用进展和光电特性,分析了一维纳米ZnO阵列的光电传输机理及国内外研究现状、应用前景和发展趋势.     

固体氧化物燃料电池(SOFC)制备方法的研究进展

固体氧化物燃料电池(SOFC)是解决未来能源问题的一种重要的方法.而制备方法是SOFC研究的一个重要的方向.介绍了SOFC电极材料以及制备方法在国内外的研究进展,介绍了固体氧化物燃料电池(SOFC)的阳极、电解质、阴极的制备及几种合成方法以及所取得的成果.     

纳米氧化铬制备方法及其进展

概述了现有的各种制备纳米氧化铬的方法,包括机械化学法、等离子气相合成法、激光诱导气相沉积法、有机金属化学气相沉积法、微乳液法、溶胶-凝胶法、辐射化学合成法、超临界流体脱溶法、水热法,并展望了其未来的发展方向.     

ZnO纳米线/棒阵列结构制备原理及方法概述

概述了ZnO纳米线/棒阵列结构的用途、制备原理和方法,重点介绍气相合成法和液相合成法中的几种典型制备ZnO阵列结构方法。展望了ZnO纳米线/棒阵列结构的发展方向及应用前景。     

一维纳米阵列制备及其在电化学生物传感器中的应用

电化学生物传感器是一种高效、准确检测物质浓度的一种手段,在过氧化氢、尿酸、葡萄糖、胆固醇、硝酸盐以及DNA等物质的检测中取得了丰硕的科研成果。采用一维纳米阵列为基体构筑电化学生物传感器可以改善其综合性能,获得良好的可重复性、较高的灵敏度、较低的检测极限等。本文综述了在过去五年时间内一维纳米阵列的主要合成方法,回顾和总结了近年来基于一维纳米阵列的各种电化学生物传感器的研究进展。     

铜氧化物纳米阵列转化膜阳极氧化法制备及比电容特性

阳极氧化法可以直接在铜集流体表面生成铜氧化物转化膜以提高电极性能。采用恒电流阳极氧化一步法和两步法在高纯铜片上制备铜氧化物转化膜,对转化膜的形貌和物相进行表征和分析,并探索其比电容特性。结果表明:通过对电流密度、温度和添加剂的优化,采用一步法可以直接在高纯铜片表面获得CuO和Cu₂O两相共存的纳米片阵列转化膜;阳极氧化两步法首先在高纯铜片获得氢氧化铜转化膜,然后通过煅烧处理得到铜氧化物纳米线阵列转化膜,组成主要为CuO,伴有少量的Cu₂O。两种方法获得的铜氧化物转化膜电极的面积比电容在1m A/cm2的电流密度下,分别能达到108 m F/cm2和96 m F/cm2。同时由于纳米线阵列转化膜具有较高的比表面积,是一种理想的基底材料,通过进一步的复合改性有望获得更佳的电化学性能。     

纳米胶囊的制备与应用进展

扼要阐述了纳米胶囊的制备方法,包括乳液聚合法、凝聚相分离法、无机物化学镀膜法、聚电解质交替吸附法,以及界面溶剂交换技术、逐层纳米自组装技术、双乳液蒸发技术和超临界流体技术等新型制备技术。介绍并展望了纳米胶囊在生物医药、塑料及相变材料等领域的应用及发展趋势。     

功能氧化物纳米晶的液相法制备

对适用于制备有序结构纳米功能材料或器件的功能性氧化物纳米晶的液相法制备技术的最新研究进展进行了综述,从晶粒成核生长的物理化学原理出发,分析了各种制备方法的特点,并在此基础上指出了高分散、单一尺寸和形状可控的功能性氧化物纳米晶制备研究中仍需解决的问题和发展的方向.     

SiO2纳米球的粒径均一性研究及其在硅光学共振纳米柱阵列中的应用

近年来, 半导体纳米结构材料的光学共振效应作为一种重要的光调控手段被广泛应用于各类光电子器件。本文用改进的两步Stober法制备了粒径在270~330 nm之间的单分散二氧化硅纳米球, 通过优化工艺参数有效改善了纳米球的粒径均一性。采用恒温加热蒸发引诱自组装方法将纳米球在硅半导体上自组装成单层膜作为掩膜, 采用感应耦合等离子体技术刻蚀制备了硅纳米柱阵列并测试了其光反射谱。光谱结果表明直径在300~325 nm之间的硅纳米柱阵列可以激发四极子Mie光学共振, 其在可见光波段的最低反射率低于5%, 具有良好的光调控性能。     

氧化物纳米管的制备及其应用

氧化物纳米管由于其优异的性能,近年来受到人们极大的关注.介绍了氧化物纳米管的最新研究进展,分析了氧化物纳米管的制备方法(如模板法、水热法等),综述了氧化物纳米管的功能化应用,重点介绍了几种典型氧化物如ZnO、TiO2、V2O5等纳米管的应用.最后简要论述了尚需进一步研究的问题与发展趋势.     

电化学方法制备钛(Ⅳ)化合物纳米丝阵列

采用直流和脉冲电沉积法在阳极氧化多孔氧化铝薄膜的孔隙中制备了钛化合物纳米丝阵列。通过扫描电子显微镜、循环伏安曲线等手段研究了沉积条件如电子信号和电压等对所制备的纳米丝密度的影响。结果表明,应用脉冲电沉积法可制备致密的钛化合物阵列。     

二氧化硅纳米颗粒的反应离子刻蚀及其在硅纳米针尖制备中的应用

系统地研究了硅衬底上二氧化硅纳米颗粒的反应离子刻蚀（R IE）过程,并在此基础上制备了可用于场发射的硅纳米针尖阵列.首先,采用改进的蒸发法在硅衬底上实现二氧化硅纳米颗粒的单层密排结构,再采用典型的刻蚀二氧化硅的RIE技术同时刻蚀硅衬底和二氧化硅纳米颗粒,在对纳米颗粒尺寸随刻蚀进行而改变的电镜照片分析的基础上,获得了相应的二氧化硅纳米颗粒刻蚀模型,计算得到横向和纵向的刻蚀速率;当刻蚀后的二氧化硅纳米颗粒从衬底上脱落后,进一步对硅衬底的刻蚀可以得到锐利的硅纳米针尖阵列,初步的实验结果表明,所制备的硅纳米针尖具有较好的场发射特性.     

负载型纳米氧化物材料的制备方法设计

依据玻璃分相原理设计了制备负载型纳米氧化物的新方法:熔融-分相法.以Na2O-B2O3-SiO2玻璃系统为基本组成,引入一定量的TiO2(SnO2),在高温下熔融、淬冷,经热处理和化学处理,制备了负载于富硅多孔载体的纳米TiO2(SnO2)材料.结果表明,得到的晶体尺寸和载体的孔径尺度均小于100 nm;负载型纳米TiO2具有良好的光催化性能,负载型纳米SnO2对CO具有催化氧化性能.     

三维石墨烯纳米球的制备及其在锂离子电池中的应用

采用直流电弧放电法制备出一种三维石墨烯纳米球材料。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱和X射线衍射光谱(XRD)等测试方法对三维石墨烯纳米球的形貌和结构进行了表征和研究。通过交流阻抗(EIS)、恒流充放电和循环稳定性测试等电化学测试手段来研究三维石墨烯纳米球作为锂离子电池负极材料的电化学性能。结果表明, 在电流密度为0.05 A/g下, 三维石墨烯纳米球作为锂离子电池负极材料的首次放电容量为485.9 mAh/g, 高于炭黑作负极的放电容量(401 mAh/g); 当电流密度为1 A/g时, 三维石墨烯纳米球负极材料仍然具有185.4 mAh/g的放电容量。在电流密度分别为0.5 A/g和2.5 A/g下, 充放电循环100次以后, 三维石墨烯纳米球的比容量几乎没有衰减, 这表明三维石墨烯纳米球作为锂离子电池的负极材料比炭黑具有更大的容量, 同时具有优异的循环稳定性。     

纳米碳管及其在锂离子电池中的应用

对纳米碳管的微观结构及其制备方法作一简单介绍,对纳米碳管在锂离子电池中的应用作一综述。提出以纳米碳管作为锂离子电池的负极材料是很有希望的。     

PbX(X=S,Se)纳米结构材料的制备方法

PbX(X=S,Se)纳米结构材料因其良好的光电性能,在太阳能电池等方面有着较好的应用前景,目前已成为半导体领域的研究热点.概括和总结了几种制备PbX纳米材料的经典和新型方法,其中包括水热法、溶剂热法、化学气相沉积法、中孔材料模板法、熔盐籽晶法、纳米晶的取向附属物法和微波法等,并分析和讨论了各方法的特点及对应产物的特征.     

钒元素对纳米钨粉在高温加热过程中颗粒长大的抑制作用

采用V(NO3)5为抑制剂,分别加入到溶胶-凝胶反应前的钨酸铵溶液中及溶胶反应后的凝胶体中,制备含V前躯体粉,并经二阶段低温还原法制备纳米W粉.采用XRD表征了纳米W粉经650～950 ℃保温30 min处理过程物相的组成及相的变化,用FESEM观察分析了纳米W粉的颗粒形貌.用定量金相测定了不同处理温度下的颗粒尺寸.初步探讨了以V(NO3)5为抑制剂对纳米W粉在还原阶段及加热保温阶段长大的抑制效果.结果表明,V(NO3)5作为抑制剂的加入可有效抑制纳米W粉在还原阶段及加热保温阶段的长大.