湖北华光新材料公司大尺寸ZnSe单晶填补国内空白

据中国兵器工业集团网站报道,最近,中国兵器工业集团湖北华光新材料公司在消化吸收从国外引进的小直径ZnSe单晶生产技术的基础上,成功研制出了直径达到82mm的ZnSe单晶。     

第五届全国温度测量与控制技术学术交流会征文通知

据中国兵器工业集团网站报道,最近,中国兵器工业集团湖北华光新材料公司在消化吸收从国外引进的小直径ZnSe单晶生产技术的基础上,成功研制出了直径达到82mm的ZnSe单晶。     

半绝缘ZnSe衬底上的外延双生长ZnSe

目前对ZnSe材料的研究工作不断深入,因为ZnSe是一种有潜力的蓝色发光二极管材料,具有2.67eV的直接带隙。从过去的实践中可以看出。高质量的ZnSe单晶是很难生长的。由于良好的光电器件需要高质量的材料,因此需要有不同的制备方法以获得高质量的ZnSe单晶。除了生长高质量ZnSe体单晶外,也有其它的方法,如GaAs或其它衬底上的ZnSe外延生长也可以用来生长ZnSe光电器件用的外延层。但很少有人用ZnSe衬底来生长外延层。为了更进一步地了     

0.5～22μm宽光谱ZnSe单晶窗口制备

采用电阻加热水平物理输运法对生长ZnSe晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%).利用Bridgman单晶生长方式生长ZnSe晶体,所得晶体尺寸为φ35 mm×100 mm.在对晶体性能进行分析后,寸晶体进行切割、研磨、抛光,获得粗糙度为光学四级的晶体器件.晶体抛光后未镀膜,在0.5～22μm的波艮范围,平均透过率达到60%以上.晶体镀膜后,在波长为10.6μm处的透过率可达98%以上.     

减压甲基化合物MOCVD制备优质ZnSe薄膜

日本 MEI 公司光电研究室的科学家最近报导了第一次用甲基化合物代替Ⅵ族氢化物进行 MOCVD 外延生长,制备出高质量 ZnSe 薄膜及各种测试结果。低压系统生长出界面清晰的异质界面和实现了很好的选择生长。     

热壁外延ZnSe单晶薄膜

介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。     

湖北凯乐科技正式成为中电元协光电线缆分会会员

湖北凯乐新材料科技股份有限公司于2002年建立光缆实业部之初，即向中国电子元件行业协会光电线缆分会递交了入会申请。协会分会经过近两年时间的考察，在2004年11月份召开的中国电子元件行业协会光电线缆分会五届一次会员大会上批准我公司成为正式会员单位，并颁发了会员证书，     

白光发射二极管

日本东京Sumitomo电气工业有限公司已研制成一种光发射二极管,其结构是在ZnSe单晶基底上沉积ZnSe蓝光发射层。蓝光被基底吸收,并且光致发光是黄一绿到红光的宽光谱范围的荧光。此光与ZnSe发出的蓝光混合产生白光。Nichia化学工业公司已经生产出在发蓝光的发光二极管单片上沉积荧光材料的实用白光发射二极管单片。Sumitomo公司研制的单片式白光发光二极管部件数量和成本部比已有的发光二极管少。通常这种半导体基底发光是由光致发光的结果。至到现在,发光二极管研究主要     

基于光抽运-太赫兹探测技术的ZnSe纳米薄膜的光致载流子动力学特性

利用光抽运-太赫兹探测技术,研究了ZnSe纳米 薄膜的载流子弛豫过程和太赫兹波段 电导率的时间演化过程。通过监测THz探测脉冲的变化,系统地研究了ZnSe纳米晶在光激发 载流子诱导下的瞬态光电导特性,并用Drude-Smith模型对瞬态电导率进行了拟合。在400 nm 的激光脉冲激励下,太赫兹脉冲的负透过率呈现出超快的上升和双指数衰减现象。时间常数 为5ps的快速衰减过程主要由ZnSe纳米晶界面缺陷处的光载流子后向散射控制,而时间常数 大于1ns的慢衰减过程主要是由载流子从导带到价带的复合引起的。瞬态电导率随时间的演 化表明,ZnSe纳米材料是制备超快THz开关的很好的备选材料。     

北京波谱华光科技有限公司

北京波谱华光科技有限公司位于北京市中关村电子科技园区内，是专业从事红外热成像、安防监控等系统集成的科研、生产与销售的综合性高新技术企业。在多年经验和技术积累的基础上，公司拥有成熟的红外整机和光电系统研制能力，研制并生产了多个系列、