注入锁定型半导体激光放大器的响应特性研究

本文讨论了注入锁定(IL)型半导体激光放大器的功率响应、频率响应特性,分析了锁定相位、注入光功率等对这些特性的影响。     

IL型半导体激光放大器的噪声

IL型激光放大器(LA)可以用做光功率放大器,也可以用做中继放大器代替复杂的光-电中继器.IL型LA的噪声性能对相干光通信系统的性能至关重要,它直接影响到系统的误码率.我们对IL型LA的强度噪声谱和频率飘移谱,进行了数值计算,并讨论了注入光的噪声谱、注入光功率和锁定相位等对噪声谱的影响.     

8毫米雪崩注入锁定放大器

简述了注入锁定放大器的基本原理。对基本电路结构进行合理选择与改进,实现电路与崩越器件的最佳阻抗匹配。采用特殊措施抑制崩越管特有的低频振荡现象,防止器件烧毁。所研制的8毫米雪崩注入锁定放大器在33～36GHz内,最大输出功率600mW,带宽达1 000MHz,增益13dB。     

注入锁定半导体激光器的噪声

本文用半经典理论研究了注入锁定半导体激光器(LD)的FM噪声和AM噪声,讨论了注入光功率、锁定相位等对噪声特性的影响。     

固体激光注入锁定技术

一、引言随着激光技术应用的发展,对如何压缩其振荡线宽提高功率(能量),获得高稳定度的窄带宽高功率激光输出,已成了引人注目的课题,其中注入锁定技术就是一项很有价值的新的激光技术。大家知道,低功率激光器可以在腔内插入光谱选择元件(标准具或光栅等)使线宽得到压缩,但很难达到理想的窄带和长期稳定,而且输出的功率大幅度下降;且在高功率激光器中,这些元件将导致不能容许的损耗和元件的损伤。高功率激光器一般都具有若干个在阈值以上的纵模组成的宽带频谱,为了解决这一矛     

注入锁定半导体激光器的量子噪声

本文给出了注入锁定半导体激光器(LD)的强度和相位噪声谱。分析表明,注入锁定可以大大降低LD的量子噪声。     

铜蒸气激光注入锁定的数值模拟

利用铜蒸气激光动力学模型模拟了注入锁定过程，分析了注入脉冲强度、宽度和延时对激光输出的影响，获得两点重要结论，即注入光出现的最佳延时与增益开始时刻相一致，注入光最佳脉宽与净增益时间宽度相一致。     

注入锁定对激光锁相环性能的影响

本文研究了注入锁定对半导体激光锁相环性能的影响,给出了注入锁定半导体激光器作为激光锁相环本振的相位传递函数及激光锁相环的噪声特性.     

注入锁定对激光锁相环性能的影响

本文研究了注入锁定对半导体激光锁相环性能的影响,给出了注入锁定半导体激光器作为激光锁相环本振的相位传递函数及激光锁相环的噪声特性.     

外注入锁定对FP激光器强度噪声的抑制

采用较强的外注入光锁定FP激光器,获得了理想的强度噪声抑制效果. 在自由运转的FP激光器的弛豫振荡峰处,最大噪声抑制强度可达9dB. 研究了注入光功率和频率失谐对于强度噪声抑制效果的影响. 此外,通过实验研究了理想噪声抑制范围与激光器稳定锁定范围之间的关系：它们都随着注入光功率的增加而增大;但在相同的注入光功率下,稳定锁定范围允许更大的频率失谐.     

外注入锁定对FP激光器强度噪声的抑制

采用较强的外注入光锁定FP激光器,获得了理想的强度噪声抑制效果.在自由运转的FP激光器的弛豫振荡峰处,最大噪声抑制强度可达9dB.研究了注入光功率和频率失谐对于强度噪声抑制效果的影响.此外,通过实验研究了理想噪声抑制范围与激光器稳定锁定范围之间的关系:它们都随着注入光功率的增加而增大;但在相同的注入光功率下,稳定锁定范围允许更大的频率失谐.     

Nd:YAG激光注入锁定技术的研究

本文在理论分析的基础上,用连续单纵模Nd:YAG激光注入混合型非稳腔Q开关付振荡器,获得了带宽50.7MHz、脉宽20ns、峰值功率10.5MW的单纵模激光输出。     

结型场效应晶体管放大器的噪声

本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源，首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式，估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声，为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。     

用于冷原子干涉仪的拉曼激光的注入锁定

原子干涉仪通常采取拉曼脉冲序列对原子波包进行相干操作,高功率的拉曼光可让更多的原子参与速度敏感型受激拉曼跃迁,有利于实现信噪比高的原子干涉仪条纹。研制高功率的拉曼激光器对冷原子干涉仪的实验研究具有重要意义,文章报道了基于注入锁定技术实现的高功率拉曼激光器的实验结果。主激光器经过1.5 GHz声光调制器产生1级衍射光作为拉曼光的种子光,注入到两个从激光器后锁定,并实现功率放大。两个拉曼光的频率相差3.0 GHz,频率调谐范围为200 MHz。     

使用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器

提出了一种利用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器,激励信号直接注入子谐波振荡器的共源连接点.原理上,正交振荡器的相位噪声性能会比子谐波振荡器的相位噪声性能好.该正交振荡器已经采用0.25μmCMOS工艺实现,测试结果表明该正交振荡器的振荡频率约为1.13GHz,在偏离振荡频率1MHz处的相位噪声约为-130dBc/Hz.该振荡器采用2.5V电源电压,消耗的电流约为8.0mA.     

使用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器

提出了一种利用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器,激励信号直接注入子谐波振荡器的共源连接点.原理上,正交振荡器的相位噪声性能会比子谐波振荡器的相位噪声性能好.该正交振荡器已经采用0.25μmCMOS工艺实现,测试结果表明该正交振荡器的振荡频率约为1.13GHz,在偏离振荡频率1MHz处的相位噪声约为-130dBc/Hz.该振荡器采用2.5V电源电压,消耗的电流约为8.0mA.     

改善FM接收的前置放大器

目前调频广播台信号接收满意的范围只有40公里,超过40公里,如大城市的边缘地区,由于FM信号过弱,接收效果就相当差,这是调频台利用VHF频段发射的固有缺点。要改善这种情况,可采用带偶极子天线的前置放大器,如附图。 电路核心是一级由高频晶体管TI(C2570或C1730)组成的放大器,接成共基极方式并工作于低