适合高压BIMOS应用的DMOS晶体管

LDMOS晶体管下面埋层的优化布局扩大了高压BIMOS集成电路中器件的用途。将resurf效应和掩层栅的基本理论相结合产生了高压性能未受影响的LDMOS晶体管:其源—漏雪崩击穿电压大于300伏,沟道—衬底穿通击穿电压大于200伏。制作这种高压LDMOS晶体管的工艺是结隔离外延工艺。采用这种工艺能在同一集成电路上实现高速发射极功能逻辑和高压驱动器功能。本文还叙述了实现高压掩埋栅LDMOS晶体管所需的工艺改进和器件设计。 为了比较高压NPN和LDMOS晶体管的工艺要求,介绍了计算NPN晶体管集电极—发射极击穿的一种新方法。具有高于20MHz时钟速率的高速逻辑的一种高压等离子驱动器表明了该工艺和最佳LDMOS晶体管的广泛用途。     

用于军事和航空航天领域的高可靠性技术

高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术选择。该技术将高功率密度、高强度与高于双级设备的增益和效率相结合。此外,因为基于高容量的Si制造流程,高压LDMOS的可靠性众所周知且已经过市场验证。LDMOS的固有特性使其可承受+5dB的过驱动,且无故障风险,灵活性的提升有助于实现不同的脉冲格式并防止热失控,从而使整体系统设计比既有的双极技术更简单。     

LDMOS模型设计及参数提取

近年来,LDMOS由于其漏极、栅极和源极都在芯片表面,易于和低压器件集成,因而被广泛应用到功率集成电路和射频领域,一直以来,高压LDMOS的建模是一个十分复杂的问题。文章通过分析高压LDMOS的结构和物理特性,得到高压LDMOS的准饱和特性、自热效应和漂移区的压控电阻特性,这些特性类似JFET的特性,从而建立了高压LDMOS器件的MOS+JFET新的电路模型。通过设计一套1.0μm 40V LDMOS的模型版,在CMOS工艺线上流片提取参数,实验结果表明该模型的解析值和实测值符合良好,而且还体现了LDMOS器件的固有特性。因而该种新模型的建立可以很好地指导LDMOS器件的工程应用。     

基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺

针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V.     

一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件

高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路，高压集成电路的研究与发展，主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件，并对该器件结构进行了耐压分析，给出了该器件的击穿特性；等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明，该结构具有比较高的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，不失为一种提高集成电路耐压的新途径。     

基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺

针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V.     

高压工艺下针对射频LDMOS器件栅氧的静电保护设计

由于高压工艺的独特性以及静电保护在不同工艺下不可移植的特点,针对射频LDMOS需要进行全芯片静电保护设计与研究以防止器件受到静电损伤。本文针对射频LDMOS栅氧进行了静电保护设计并探究了高压工艺下器件参数对静电保护鲁棒性的影响。通过对实验和二维器件仿真结果的分析讨论,为射频LDMOS栅氧设计了具有高维持电压和静电保护窗口灵活可调特性的级联NMOS作为集成静电保护器件。     

有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制

提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.     

三端自由高压LDMOS器件设计

应用RESURF原理，设计了三端自由的高压LDMOS器件。采用虚拟制造技术，分析比较了多种结构，对器件结构进行了优化。设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺。采用虚拟制造，得到NMOS和PMOS虚拟器件，击穿电压分别为350V和320V。     

有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制

提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p－降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.     

Properties of the Lateral Electromagnetic Field of a Vertical Dipole and Their Applications

The Formullas For The Electromagnetic Field In Region 1 (Z ? 0, K1) Due To A Vertical Electric Dipole Also In Region 1 Near Its Plane Boundary With Region 2 (Z ? 0, K2; |K2|2 << |K1|2) Are Reviewed. The Corresponding Formulas For The Field In Region 2 Are Then Determined. Use Is Made Of This Field To Determine The Locus Of The Poynting Vector And The Maximum Depth Of Penetration Into Region 2 Of The Lateral-Wave Part Of The Field. Application Is Made To The Use Of The Vertical Antenna In The Sea For The Measurement Of The Conductivity Of The Oceanic Crust.     

场致发射平面显示器的发展及应用前景

介绍了场致发射平面显示器(FED)的工作原理及研究现状,分析了LCD,PDP,FED等平板显示器的特点,并对FED显示器的应用前景作了展望.     

GPU加速混合场积分方程求解导体目标散射问题

利用图形处理单元（GPU）加速混合场积分方程（CFIE）分析导体目标电磁散射问题。较电场积分方程（EFIE）和磁场积分方程（MFIE）,CFIE消除了内谐振问题,并且具有更好的条件数。求解的数值方法为基于 RWG基函数的矩量法（MoM）。所有计算步骤均在 GPU上实现,包括：阻抗元素填充、电压向量填充、矩阵方程的共轭梯度（CG）求解、雷达散射截面（RCS）计算。在保证数值精确度的前提下获得了数十倍的速度提升。     

高压JTE终端边界元电场分析

在半导体高压终端研究中，重要的工作之一是终端电场电位分析。国内外以往报道的JTE分析结果除采用解析方法外，数值方法主要采用差分或有限元法。作者利用边界元数值技术，采用“边界元临界电场分析法”，用自主开发的统一的边界元终端分析软件，从新的角度，以单区、双区JTE为例，详细讨论了新的边界元分析法，研究了极值电场分布等情况，得到了物理概念清晰，描述较准确而又简明直观的优化结果。边界元算法独特，优点显著。现有程序不但可用于JTE终端优化分析设计，还可直接用于场板、JTE加场板等终端结构场分析。     

Modelling the field soft error rate of DRAMs by varying the critical cell charge

The Field Soft Error Rate (FSER) has been determined by the variation of the critical charge and the measurement of the charge collection volume determined by alpha-particle irradiation. The modelled FSER versus critical charge dependence agrees well to the one of the Field Soft Error measurements. The results futher show, that the impact of the on-chip Alpha-Particle flux can be neglected.     

Programmable Analog/Digital Arrays in Control and Simulation

This paper presents an investigation of dynamically reconfigurable mixed-signal circuits implementing adaptive controllers and plant simulators. Motorola Field Programmable Analog Array described in this paper are used to build adaptive controllers and plant simulators for predictive control. The reported experimental studies describe performance and programmability of the Field Programmable Analog Array necessary for application in adaptive control and simulation. The experimental structure is based on 2 parallel Field Programmable Analog Array chips, analog multiplexer and multiplexer's control logic, which is steered by a digital system such as a desktop computer or a Field Programmable Gate Array. Dynamic reconfiguration is used in this system for adaptive control or adaptive processing in general. Modeling and measurements of the transitions in the internal blocks of the two Field Programmable Analog Array chips working in parallel, and analysis of limitations resulting from hardware imperfections are presented.     

平视显示器的装机工程设计研究

介绍了平视显示器的装机工程设计过程中应遵循的一般设计准则,以保证平显安装定位后有较大的下视角和合理的总视场与瞬时视场位置关系.     

分布式算法在FIR数字滤波器实现中的应用

文章提出了一种利用FPGA实现FIR数字滤波器的设计方案,在设计过程中应用了分布式算法(DA).FPGA有着规整的内部逻辑阵列和丰富的连线资源,特别适合于数字信号处理任务.分布式算法(DA)是一项重要的FPGA技术,它使得在FPGA中实现FIR滤波器的关键运算--乘加运算,转化为了查找表,大大提高了FIR滤波器的速度.文中给出了VHDL语言编写的程序和仿真波形.     

基于扩域分组的多码率QC-LDPC码设计

分析了伽罗华域的一些基本性质,同时,给出了准循环低密度奇偶校验码的基本构造思路与方法。在此基础之上,提出了基于伽罗华域扩域分组方法构造多码率QC-LDPC码的方法。通过对扩展域中线性独立的元素的分组,可以很容易地实现不同码率QC-LDPC码的构造。仿真显示,提出的方法在10-5误码率条件下,与基于大衍数列构造的QC-LDPC码性能接近,有0.1dB的差距,但是,与基于斐波那契构造的QC-LDPC码相比,有0.8dB的增益。与IEEE 802.16e构造的QC-LDPC码相比,提出的方法有1dB的差距,还有很大的改进空间。     

卫星光通信链路新型宽视场角捕捉方案探讨

本文提出了一种在卫星光通信链路建立中利用原子滤光器多峰特性的新型捕捉系统方案,可以将原子滤光器等效带宽减少到０００７ｎｍ,在实现宽视场角接收情况下进一步减少捕捉时间,并能满足卫星运动中的多普勒频移要求．此外本文讨论了该系统中原子滤光器等效带宽与接收视场角、信标发散角、最大捕捉时间等捕捉系统主要性能参数之间的关系．