微波介质陶瓷及器件研究进展

现代移动通信、无线局域网、全球卫星定位系统等技术的革新，对以微波介质陶瓷为基础的微波电路器件提出了更高的要求，各种微型化、高频化、片式化、模块化的新型微波介质陶瓷器件及相关介质陶瓷得到迅速发展。综述了近几年在高介电常数、高频、低温烧结微波介质陶瓷方面的进展，对不同材料体系的离子取代、离子置换、低熔点烧结助剂对微波介质陶瓷结构、介电性能的影响进行了分析讨论。概述了介质谐振型、叠层型、功能模块型微波介质陶瓷器件的研究和生产情况，重点论述了与低温共烧技术相关的介质陶瓷、器件及模块的进展，探讨了材料特性、微波器件结构与微波特性之间的关系，并指出了今后微波介质陶瓷及器件的发展方向。     

低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

介绍了四种典型的相对介电常数在10-15之间的低介微波介质陶瓷系列(Al2O3系、Mg4Nb2O9系、Mg5(Nb,Ta)4O15系、R2BacuO5系)的晶体结构和微波介电性能,并指出其目前存在的普遍问题和解决的方法.     

CaTiO_3-LaAlO_3微波介质陶瓷的研究进展

从发展历程、晶体结构、制备及反应过程、介电性能等方面介绍了具有中等介电常数的CaTiO3-LaAlO3微波介质陶瓷的研究进展,讨论了目前该体系微波介质陶瓷存在的问题,并指出了以后的发展方向。     

高性能陶瓷微波介质材料

微波介质陶瓷可使微波通信和其他微波设备小型化,是有良好发展前景的一种介电材料。目前已经研制出许多具有高介电常数、高品质因数、低介质损耗及小谐振频率温度系数的优质微波介质陶瓷。本文综述近年来微波介质陶瓷在制备工艺、改良介电性能及应用方面的最新进展,并指出了今后的研究方向。     

超低温烧结微波介质陶瓷研究进展EI北大核心CSCD

超低温烧结微波介质陶瓷作为无源集成技术的主要介质材料,可广泛应用于无线通讯、可穿戴电子、物联网和全球定位系统等领域,其相关研究具有重要的应用价值和理论指导意义,是目前功能材料领域的研究热点之一。本文综合介绍了超低温烧结微波介质陶瓷材料的应用背景和主要的材料体系,以及主要材料体系的介电性能和优缺点,探讨了材料组分、介电常数、Qf值、频率温度系数之间的关系,阐述了超低温烧结陶瓷材料的性能调控手段,并指出了今后超低温烧结微波介质陶瓷材料的主要发展前景和研究方向。钼酸盐基超低温烧结陶瓷兼具超低烧结温度、系列化介电常数和低损耗等优点,有望实现在超低温共烧技术中的应用。离子取代和多相复合是有效调控材料微波介电性能的方法,使材料更利于应用。     

MgTiO3基微波介质陶瓷研究进展

本文综述了MgTiO3基微波介质陶瓷的性能与最新研究进展,分析了不同添加剂对MgTiO3微波介电性能的影响;总结了MgTiO3材料改性研究的途径及性能;指出了MgTiO3基材料存在的问题与今后的发展方向.     

固有烧结温度低的微波介质陶瓷

微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料。在制备多层微波介质片时,为了使用Cu、Ni等低熔点电极,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。开发固有烧结温度低(<1060℃)同时具有良好性能的微波介质材料成为必然的选择。本文简要介绍了7类固有烧结温度低的微波介质陶瓷的烧结特性与微波介电性能,同时也指出了研究中存在的一些问题。     

微波介质陶瓷

微波介质陶瓷作为广泛应用于微波谐振器、滤波器、介质基板、移相器等现代移动通信设备的核心材料,大大促进了现代通信事业的飞速发展。本文综述了近几十年来微波介质陶瓷的研究现状,以及各类体系微波介质陶瓷发展的最新进展,同时对微波介质陶瓷的发展趋势进行了讨论。     

微波介质陶瓷的研究进展及其粉末合成方法

在现代通讯技术中,微波介质陶瓷是其微波通信电路中谐振器、滤波器、振荡器等重要元件的关键基础材料,它的研究越来越受到人们的重视.本文介绍了低介电常数、中介电常数、高介电常数三类微波介质陶瓷的研究现状,总结了其粉末制备的新方法.     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

微波介质陶瓷的研究现状及展望

微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料,它的应用日益受到人们的重视。本文综述了四类微波介质陶瓷的研究现状,并对其未来的发展进行了展望。     

钛酸锌锂微波介质陶瓷研究进展

Li₂ZnTi₃O₈陶瓷因其较低的烧结温度和良好的微波介电性能受到研究者的广泛关注,有望成为低温共烧候选材料之一。本文主要介绍Li₂ZnTi₃O₈陶瓷的几种制备方法及其优缺点,以及离子置换改性、氧化物掺杂改性和低温共烧对微波介质陶瓷综合介电性能的影响,并对下一阶段Li₂ZnTi₃O₈微波介质陶瓷的研究与应用进行了展望。     

合成和烧结工艺对微波介质陶瓷性能的影响

综述了微波介质陶瓷的性能与最新的研究进展,分析了合成方法对微波介质陶瓷介电性能的影响,总结了微波介质陶瓷的烧结工艺对其性能的影响,指出了微波介质陶瓷的问题及今后的发展方向。     

0.7CaTiO3-0.3Sm1-xAlO3陶瓷微波介电性能研究

采用固相反应法制备了0.7CaTiO3-0.3Sm1-xAlO3(CTSA,0≤x≤0.1)微波介质陶瓷,研究了Sm缺位对CTSA陶瓷的晶体结构、微观形貌以及微波介电性能的影响。结果表明,制备的CTSA陶瓷均为正交钙钛矿结构。少量的Sm缺位能够降低CTSA陶瓷的烧结温度,晶粒尺寸增加,同时气孔率增大,陶瓷的Q×f值也有显著提升。当x=0.025、烧结温度为1450℃时,CTSA陶瓷具有最佳微波介电性能:εr=45.2,Q×f=47280GHz和τf=+4.8 ppm/℃。     

TiO_2含量对微波介质瓷Zr_xTi_(1-x)O_2致密化、微结构及介电性能的影响

制备了一系列ZrxTi1-xO2(x =0.40~0.60)微波介质瓷,对其致密化、微结构及介电性能进行了研究. XRD物相分析样品为单一均相的ZrTiO4. 在相同的烧结温度下,TiO2含量越高,样品越不易致密,相对密度越低,晶粒越易长大. 样品的相对密度越高,其介电常数和品质因数越大. 相对密度高于90%时,对样品介电性能的影响可以忽略,成份起主导作用. 随着TiO2含量增加,样品的介电常数增大,品质因数降低.     

微波介质陶瓷的助烧与掺杂改性

为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度.文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能.     

几种典型的微波介质陶瓷材料的研究现状

微波介质陶瓷是现代通信技术快速发展的关键材料.按照应用领域的不同,介绍了几种典型的微波介质陶瓷,详细探讨了各种体系下微波介质陶瓷烧结性能的特点,并指明了今后微波介质陶瓷的发展方向.     

BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2四元系微波介质陶瓷

本文研究了Bi2O3、PbO及Sm2O3对BaO-Nd2O3-TiO2(简称BNT)系陶瓷材料微波性能的影响.实验表明,在BNT系材料中掺入Bi2O3或PbO可降低材料的频率温度系数τf,但同时也使材料的tgδ增大.采用Sm取代部分Nd,形成BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(简称BNST)四元系陶瓷材料,可有效降低材料的τf,改善频率温度稳定性,而不会降低材料的品质因素Q0.当Sm2O3∶Nd2O3=7∶3(mol比)时,可得到εr=80.80,tgδ=2.92×10-4(2.7GHz测),τf=23.63ppm/℃的高性能BNST四元系微波介质陶瓷材料.