Li2B4O7晶体的X射线衍射分析

本文用X射线衍射法对Li_2B_4C_7晶体进行了分析,得到了它的点阵参数、晶面指数、重要晶带中的晶面夹角值和主要面族间的夹角值.利用以上数据绘制了三种标准极图.这些结果可用于Li_2B_4C_7单晶生长研究、晶片加工以及以它为基片的SAW器件设计.     

用深能级瞬态谱作半导体器件失效机理分析

本文是用深能级瞬态谱(DLTS)研究器件的失效机理.利用DLTS技术,区别是属于表面失效,还是属于体内缺陷引起为失效,并且还研究了深能级杂质对器件电参数的影响.发表于《1986年半导体和集成电路国际会议论文集》,北京     

电池管理技术漫谈

手提式器件中电池的能量一旦耗尽,本来设计好的所有特性和功能便同告失效。为了避免集成电路芯片掉电,可考虑装上一只小型的充电控制器,就可以维持设备继续工作,不致间断。     

集成电路失效分析方法与技术探究

集成电路的应用十分广泛,随着集成电路向着更小工艺尺寸,更高集成度方向发展,集成电路失效分析扮演着越来越重要的角色。一块芯片上集成的器件可达几千万,要想找到失效器件实属大海捞针,因此进行集成电路失效分析必须具备先进、准确的技术和设备,并由具有专业知识的半导体分析人员开展分析工作。     

GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究

提出了一种快速评价GaAsFET可靠性寿命的新方法.利用GaAsFET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数.     

GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究

提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数.     

红外激光引发CF_3CF=CF_2+O_2和CF_3CF=CF_2+C_2F_4+O_2反应

本文报道了在TEA CO_2激光P(28)线<00°1-02°0>照射时,红外激光引发CF_3CF=CF_3+O_2反应和CF_3CF=CF_2+C_2F_4+O_2反应。在反应中,得到的主要产物是CF_2O。根据反应产物可以推论在激光引发这二个体系反应过程中,存在着CF_2(~3B_1)卡宾,由于CF_2(~3B_1)卡宾和O_2反应生成CF_2O。当反应体系中存在C_2F_4时,由于C_2F_4参与CF_2O_2+C_2F_4→     

耿二极管工作寿命试验及其失效分析

在探明耿二极管工作失效原因的同时,为了找出获得高可靠性二极管的筛选条件,把用同一制作过程制成的9组140个 K 波段耿二极管进行了14000小时的工作寿命试验。其结果用威伯尔图表示时,可以清楚地划分为形状参数 m=0.25的1000小时内的初期失效期和1000小时后的 m=1.0的偶然失效期。在到达失效的过程中,器件参数表示出恶化的失效模型出现在工作试验的初期,其余都是在本质上不属于恶化倾向的短路失效。失效比例在各组间有很大差异,已推断出它与材料特性、二极管特性相对应的短路失效是由于有源层厚度和杂质分布不恰当引起的电场击穿所导致的。如果把所获得的这些结果作为选择二极管的标准来剔除失效器件时,则可望获得失效率在880×10~(-9)以下的耿二极管。     

如何使用半导体器件分析程序——SEDAN输入格式介绍

SEDAN是Semiconductor Device Analysis的简称,是美国斯坦福大学集成电路实验室开发的一个半导体器件分析程序.这个程序已由复旦大学大规模集成电路研究室修改、移植成功. SEDAN执行半导体器件的一维分析,从杂质分布出发解出半导体器件的电特性.若杂质分布的输入直接用集成电路工艺模拟程序SUPREM-2的输出,即SUPREM-2同SEDAN联用,则可直接由已知工艺条件参数算出器件的电特性. 本文介绍如何使用半导体器件分析程序SEDAN,即介绍SEDAN输入文件的书写格式.     

6倍数字信道倍增设备问世

南京邮电学院研制成功6倍数字信道倍增设备,该设备采用一系列高新电子技术和新型器件,综合了数字信号处理中的新技术和语音插空技术,通过信源编码利用语声猝发特性,有效地在2mb,码速码型(HDB_3)不变的情况下,使原有接纳的电路数扩大6倍,关键器件采用大、中规模数字集成电路,具有信增、监控、诊断、话务特收、告     

2微米CMOS工艺工程技术研究

本文把工艺工程技术作为一个专门的技术领域,从集成电路制造工艺技术中分离出来,并对它进行了系统的分析研究。一个完整的大规模和超大规模集成电路制造工艺技术应包括两个大的方面:一个是单项工艺技术,另一个是工艺集成技术,亦即工艺工程技术。工艺工程技术包括:(1)器件设计,亦即器件的纵向横向结构参数和主要电参数的设计;(2)工艺设计规则设计;(3)器件电路的工艺流程设计     

集成电路制备中金属杂质与微缺陷的自吸除

用高温扩散法制备集成电路,结区会造成金属杂质聚集与晶体缺陷大量导生,这将导致结电特性降低和集成电路失效。本文通过实验分析了在集成电路制备中快速扩散金属杂质和晶体缺陷的一些重要规律特性。根据这些规律特性和双极型集成电路制备的工艺特点,对扩散版图进行了特殊设计;实现了电路制备过程中对快速扩散金属杂质与微缺陷的自吸除,对提高集成电路成品率、产品质量和减少失效均获得了显著效果。文中最后还对浓硼区吸除微缺陷的机理模型进行了探讨。     

两种脉冲对集成电路损伤的相关性研究

在分析集成电路器件EMP损伤模式的基础上,给出了一种从器件热失效的角度出发对方波脉冲和ESD脉冲进行相关研究的途径:即当器件属于能量型损伤时,在一些失效机理下,可以根据器件在高压瞬态过应力作用下的功率和能量参量进行某种相关,这种相关是指可用能对器件产生相同热作用的方波脉冲来替代ESD脉冲。利用已经建立起来的器件损伤参数与脉冲参数之间的关系模型和器件的失效阈值模型,给出了这种相关的方法并讨论了这种方法在理论上的可行性以及它的适用性和局限性。     

高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响

基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体（Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS）的静电放电（Electrostatic discharge, ESD）防护性能进行研究。由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实际应用中受到限制。本文通过计算机辅助设计技术仿真及传输线脉冲实验研究了工艺参数及版图结构对器件ESD防护性能的影响。结果表明,增加漂移区掺杂浓度可以有效提高器件失效电流;加强体接触和增加漂移区长度可以提高器件的维持电压,但失效电流会有所下降,占用版图面积也会更大。     

用于超大规模集成电路硅材料的电学标准

直拉硅单晶将继续是制造超大规模集成路的主要材料,而且还会把我们带到ULSI的时代。充分了解硅材料的各种特性与集成电路制造和设计之间的相互关系是成功地制造超大规模集成电路的关键。那些为了有效地设计和制造优质电路产品而需要致力于研究硅片和电路之间密切关系的厂家,将是获得经济实用电路的优胜者。文中还评述了几种对推动DRAM电路工艺发展有用的试验器件的电学参数。并图示说明了这些试验器件电学参数与硅片参数的相互关系。这些硅片参数可分为:结构参数、化学参数和机械参数。这种探讨可以得到原始硅材料特性与DRAM电路特性之间更加实用的关系,而且可以拟定出更加合理的原始硅材料规格。     

25μm Au丝引线键合正交试验研究

通过分析键合工艺参数,为25μm Au丝引线键合的应用提供实验依据。采用正交试验法对键合工艺参数进行试验研究。起决定性作用的是因素间的交互作用和劈刀的安装长度,其次为压力、超声功率、超声时间、热台温度、劈刀温度。各因素影响力大小为A>B>F>C>D>E,较优工艺方案为A_2B_2C_1D_2E_1F_1,回归模型为Y=13.124+0.731A-0.393B-0.057C+0.022D+0.013F。除以上主要影响因素,Au丝弧度也是需要考虑的。给进一步研究引线键合提供重要依据。     

用深能级瞬态谱作器件失效机理分析

深能级瞬态谱(DLTS)是一种研究半导体深能级、界面态、非晶态、检测分析微量深能级杂质和缺陷的重要技术.本文利用DLIS技术,对器件的失效机理作分析探讨得到以下两点体会:(1)用DLTS技术,不必将失效器件启封,就可以区别是属于体内失效还是表面失效,为进一步开展失效机理分析提供了重要的信息;(2)对于由深能级杂质影响电参数的器件,采用DLTS技术,可以有效地进行失效机理分析.     

导致集成电路标记失效原因研究

标记是器件的标识,其打印方法有油墨打印和激光打印两种方式,油墨打印具有方便、价格便宜等特点,而激光打印具有打印字迹清晰、存留时间长等特点。耐溶剂性试验、交变湿热试验和盐雾试验是可以用来检验集成电路标记的三种方法,采用该三种方法分别时经过油墨打印和激光打印的器件进行试验,针对在试验中器件标记失效现象进行了探讨,并得出了油墨质量、盖板镀层质量、固化不好等问题是影响器件标记的因素。最后,提出了解决标记问题的几种方法。     

可靠性工程与环境工程

Y2000-62295 00141671999年 IEEE 第七届集成电路物理与失效分析国际研讨会会议录=1999 IEEE proceedings of 7th internation-al symposium on the physical & failure analysis of inter-grated circuits[会,英]/IEEE Electron Device Society.—IEEE,1999.—162P.(EC)本会议录收集了于1999年7月5～9日在新加坡召开的集成电路物理与失效分析研讨会上发表的42篇论文,内容涉及失效分析技术,工艺与器件,封装与金属化,介电材料,热载流子,静电应力/静电放电与锁存器,专用器件的物理分析与可靠性。Y2000-62344 00141681999年 IEEE 辐射效应数据专题研讨会会议录=1999     

不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应

对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的直流、交流、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明,将铁电存储器置于不同的偏置条件下,铁电存储器的功能失效阈值不同,原因可能是偏置不同造成了辐射损伤的短板电路模块不同。