类金铡石薄膜内应力的测试

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积法制备出类金刚石薄膜，用弯曲法测定薄膜的内应力。类金刚石薄膜中存在１－４．７ＧＰａ的压应力，沉积工艺对薄膜的内应力有很大影响，薄膜的内应力随极板负偏压的升高而降低，随Ｃ２Ｈ２气体一的增加而增大。     

热灯丝CVD法金刚石膜负偏压增强核化机制的研究

利用扫描电镜、原子力显微镜、Ｒａｍａｎ谱和红外吸收谱研究了在衬底负偏压和电极偏压下热灯丝ＶＣＤ金刚石膜核化增强的机制。在两种负偏压下,Ｓｉ（１００）上在－３００Ｖ和２５０ｍＡ时最大核密度分别达到了１０＾１０ｃｍ＾－２和１０＾１１ｃｍ＾－２。研究表明产生于石墨支架和电极上金刚石涂层的电子激发了等离子体,并通过红外吸收谱探测发现等离子体的出现极大地增强了化学基深度。实验结果还表明,正离子对衬底的轰击和     

射频—直流等离子体增强化学气相沉积设备的研制

综合利用射频和直流辉光放电的特点研制成功射频－直流等离子化学气相沉积设备。成功地用该设备制备出类金刚石薄膜。类金钢石薄膜的沉积速率随极板负偏压、气体工作压力的增加而增大。     

类金刚石碳膜的制备工艺

用射频－直流等离子体化学气相沉积法制备出类金刚石膜，用多因素和单因素正交试验设计方法对类金刚石的沉积工艺进行了研究，结果表明，极板偏压、真空度和气体成分是影响膜沉积速率的主要因素。沉积速率与ＰＶ成正比，且随反应气体深度单调增加，但当Ｃ２Ｈ２浓度低于１０％时，几乎不能成膜。     

类金刚石薄膜内应力的测试

采用射频-直流等离子增强化学气相沉积法制备出类金刚石薄膜,用弯曲法测定薄膜的内应力。结果表明,类金刚石薄膜中存在1～4.7GPa的压应力,沉积工艺对薄膜的内应力有很大的影响,薄膜的内应力随极板负偏压的升高而降低,陆C_2H_2气体含量的增加而增大。     

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（ｌｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ＾１）＝３９８．０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ＾２）＝２８４．６￣２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ＾１）＝３９８。０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ＾２）＝４００．０￣４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ＾３杂化轨道成键和ｓｐ＾２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄     

液相法制备掺氮碳膜的实验研究

在低温和常压下,通过电解甲醇和氨水混合溶液,在硅基片上进行沉积掺氮碳膜的尝试,得到了含氮８％的类金刚石薄膜。通过拉曼光谱和Ｘ光电子能谱对样品的测试表明：碳和氮在薄膜中是以ｓｐ＾２和ｓｐ＾３进行化学成键,本文还提出了液相掺氮碳膜生长的化学机制。     

CVD生长金刚石薄膜衬底负偏压增强成核效应

基于已经得到的实验结果的分析，本文较详细地讨论了低压化学气相沉积（ＣＶＤ）金刚石薄膜过程中，衬底负偏压对金刚石成核的增强效应，明确阐述了负偏压增强成核的作用机理，并且讨论了这种效应作为提高金刚石在非金刚石衬底表面成核密度的一种方法所具有的优点以及存在的不足。     

类金刚石薄膜的慢正电子分析

采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜,用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布,并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响．实验结果表明,单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度,类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低．且缺陷均匀分布,薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层,而膜一基之间存在一很宽的界面层,界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低,到达薄膜心部后,缺陷浓度趋于稳定．类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜－基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势．薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C₂H₂含量的升高而单调增大,但C₂H₂含量对界面层宽度没有影响．     

类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究

采用高频等离子体化学气相色沉积法（ＲＦＣＶＤ）在ＨｇＣｄＴｅ红外器件上沉积类金刚石薄膜，俄歇电子能谱对ＤＬＣ／ＨｇＣｄＴｅ界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料影响较小，７０ｎｍ的类金刚石薄膜抑制衬底组份的外扩散，而且具有纯度较高的类金刚石薄膜外表面层，是一种理想的钝化膜材料，红外透射光谱测试结果表明类金刚石薄膜在较宽的波长范围内（４－１２μｍ）具有明显的增透效应。     

氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究

用对向靶溅射方法制备出氮化铁梯度薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）对样品进行了深度剖面分析：铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。X射线衍射表明膜中含有α－Fe，α”－Fe16N2，ε－FexN（2＜x≤3）和ξ-FeN各相。随着氮分压增加，膜中含氮量高的相比例亦增加，饱和磁通密度逐渐降低。     

表面膜对含硼HAl77—2黄铜腐蚀的影响

测定了成膜前后加硼ＨＡｌ７７－２铝黄铜的静态腐蚀速率、脱锌系数和电化学行为，用离子探针分析了铝黄铜表面膜的深度分布。结果表明，表面膜中富集Ｚｎ、Ａｌ、Ｂ；退火形成的表面膜提高了铝黄铜在中性介质中的耐蚀性，但不能提高它在酸性介质性的耐蚀性能。     

掺杂钼对TiO2-x薄膜氧敏性能的影响

以钛酸丁酯为原料,无水乙醇为溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Al2O3基片上制备TiO2薄膜,经1000℃H2下还原制得TiO2-x薄膜,在钼酸铵溶胶中浸泡一定时间得到掺钼薄膜.实验结果表明掺钼薄膜元件在800℃下的氧敏感性和重复性比未掺杂时提高,TiO2-x薄膜的电阻的温度稳定性好.通过对薄膜的XPS分析探讨了钼在薄膜中的作用机理.     

壳聚糖微波辐射交联改性及其成膜

研究了在微波辐射的条件下采用戊二醛对壳聚糖进行交联,通过红外光谱等方法对交联前后成膜性能进行了研究,并与水浴加热制得的交联壳聚糖进行了对比.实验结果表明,微波交联比水浴加热迅速且均匀,分析了交联剂用量、反应时间及加热功率对膜的吸水率的影响;另外,对所成膜拉伸强度、断裂伸长率受交联反应过程各因素影响变化的规律进行了研究.     

不同空穴注入电极对有机薄膜电致发光性能的影响

成功地制备了用铝掺杂的氧化锌（ＡＺＯ）透明导电膜作阳极的有机薄膜电致发光器件，并对单层和双层结构的ＡＺＯ器件以及以两种不同ＩＴＯ作阳极器件的电致发光光谱，电流电压特性，亮度电压特性以及电致发光量子效率进行了详细的比较分析和讨论。     

表面膜对含硼HA177-2黄铜腐蚀的影响

测定了成膜前后加硼HA177－2铝黄铜的静态腐蚀速率、脱锌系数和电化学行为.用离子探针（SIMS）分析了铝黄铜表面膜的组成和深度分布．结果表明：表面膜中富集Zn、AI、B；退火形成的表面膜提高了铝黄铜在中性介质中的耐蚀性，但不能提高它在酸性介质中的耐蚀性能．     

TiB2超硬薄膜的合成及性能

采用离子束溅射方法制备了ＴｉＢ２硬质薄膜，ＡＦＭ观察表明薄膜表面非常光谱，ＡＥＳ、ＸＲＤ和ＸＰＳ分析证明薄膜中主要是Ｂ、Ｔｉ比为１．８，六方结构的ＴｉＢ２多晶体、且呈现强烈的（１０１）择优取向，由超显微压痕测量系统测得的加载、卸载曲线计算得到的薄膜的显微硬度比高达４８ＧＰａ     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

非晶硅薄膜表面与非晶须特性

利用透射电子显微镜(TEM),观测到未见报道的须状微结构,称为非晶须。提出非晶须可能的生长条件是淀积系统中出现大的过饱和气压。X 射线光电子能谱分析表明,非晶硅与其表面SiO_2之间存在化学成分为 SiO_x(0相似文献   

摩擦表面MoS2润滑膜的显微结构分析

为探讨ＭｏＳ２／Ｎｉ复合材料的自润滑机理，采用薄膜分离技术从摩擦表面提取了ＭｏＳ２润滑膜，在透射电镜下研究其显微结构。结果表明，润滑膜中的ＭｏＳ２具有择优取向，其基础面科行于摩擦表观，形成了助于于润滑作用的织构。