Ag底层对TbFeCo薄膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了TbFeCo/Ag非晶垂直磁化膜，研究了Ag底层厚度对TbFeCo薄膜磁性能的影响。原子力显微镜、振动样品磁强计与磁光盘测试仪测量结果表明：薄的银底层具有较高的表面粗糙度可以显著增大TbFeCo薄膜的矫顽力，改善TbFeCo薄膜的磁光温度特性，该薄膜有望用作高密度垂直记录介质与光磁混合记录介质。     

Ce掺杂对TbFeCo材料磁光性能影响的研究

采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜，并在TbFeCo中引入轻稀土元素Ce，测试了薄膜的磁光性能。研究了薄膜成分对其磁光性能的影响。结果表明；在TbFeCo薄膜中掺入少量Ce时，薄膜的磁光克尔角及矫顽力都有所提高，矩形度也增加了。但随Ce掺入量的增加，薄膜的磁光性能发生恶化，较好的掺杂在10.31?左右。     

电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜 ,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明 ,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应 ,同时 ,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变     

电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜，并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明，AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应，同时，AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变。     

溅射工艺条件对TbFeCo/Pt薄膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响.振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质.     

磁控溅射制备TbFeCo薄膜及其光学和磁光性质研究

采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介电函数值有较大差异,说明衬底对薄膜的光学性质有重要影响.用磁光Kerr谱仪,在室温下分别测量了TbFeCo薄膜的极向Kerr回线和横向Kerr回线,发现所制备TbFeCo薄膜不具有垂直磁化性质,而呈现出面内磁化性质.     

聚焦光斑磁光极克尔磁滞回线的热效应分析

实验设计并组建了一套磁光极克尔磁滞回线测量装置,该装置可以通过改变照射到样品上的激光功率来改变薄膜样品上被聚焦光斑照射的测试点的温度。同时通过计算模拟了激光照射在TbFeCo磁光薄膜上的温度分布情况,得到了薄膜的矫顽力随照射激光功率的变化关系,由此可以确定薄膜的居里温度和补偿温度。为研究磁光薄膜样品在各种温度条件下,磁光性能的变化以及多层磁光薄膜的磁耦合效应提供了有效的手段。     

溅射气压对TbFeCo磁光薄膜的光学常数的影响

利用直流磁控溅射制备了TbFeCo/Si薄膜，采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪，测量了用磁控溅射法制备的TbFeCo/Si薄膜的光学常数，测量能量范围为1．5～4．5eV。分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的TbFeCo/Si磁光薄膜的光学常数的影响。实验结果表明，在低能区域，样品的所有光学常数均随压强增加而增加，受制备工艺影响较大。但在高能区域，光学常数随压强的变化相对说来不再明显．     

RE—TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜场电效应的测试方法，RE－TM磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性，实验结果表明，制备的TbFeCo薄膜的补偿点约为－38℃。     

直流磁控溅射中Ar气压强对TbFeCo磁光薄膜均匀性的影响

本文研究了磁光盘生产中 Ar气压强对直流磁控溅射 Tb Fe Co磁光薄膜均匀性的影响 ,通过调整溅射气压来提高薄膜的厚度均匀性和成分均匀性。在靶 -基片距离为 6 0 0 m m,溅射功率为 6 0 0 W,溅射气压为 0 .6～0 .8Pa的条件下 ,获得了均匀性良好的磁光薄膜 ,并将此工艺参数用于磁光盘的生产     

直流磁控射中Ａr气压强对ＴbFeCo磁光薄膜均匀性的影响

本文研究了磁光盘生产中Ａr气压对直流磁控溅射ＴbFeCo磁光萍膜均匀性的影响,通过调整溅射气压来提高薄膜的厚度均习性和成分均匀性,在靶－基片距离为600mm,溅射功率为６００Ｗ,溅射气压为０．６~0.8Ｐa的条件下,获得了均匀性良好的磁光薄膜,并将此工艺参数用于磁光盘的生产。     

磁光盘多层结构AIN和AlSiN薄膜材料研究

本文研究了磁光材料保护膜ＡＩＮ和ＡＩＳｉＮ薄膜材料，讨论了它们的性能与溅射工艺参数的关系，研究了ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜对磁光盘材料的保护作用，研究同时表明：ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ保护膜能对磁光材料起干涉增强磁光克尔效应作用。     

TbFeCo磁光薄膜飞秒激光感应超快磁化动力学研究

利用时间分辨磁光克尔光谱技术,研究TbFeCo磁光薄膜飞秒激光感应超快磁化动力学过程。观测到亚皮秒的超快退磁过程,符合"三温度"模型中由电子-自旋散射引起的超快退磁机制。磁化动力学的激发功率流密度依赖关系结果表明,随着激发功率流密度的增大,超快退磁程度增加和磁化恢复时间延长,符合"三温度"模型的解释。在衬底厚度不同的TbFeCo样品对比实验中发现,同功率流密度激发下衬底较薄的样品退磁程度更高,磁化恢复速率更快。     

退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁性能的影响

详细研究了退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁滞回线的影响。 10 0℃退火表明 ,薄膜保留较大的垂直磁各向异性、矫顽力和很好的矩形比 ,磁致伸缩各向异性是引起矫顽力下降的主要原因。经 13 0℃退火显示 ,矫顽力和垂直磁各向异性明显下降 ,薄膜仍展示垂直于膜面的矫顽力和磁滞回线 ,但是薄膜显示一清晰的平面内磁各向异性。实验表明 ,矫顽力和垂直磁各向异性的大大降低只是与退火温度的升高有关 ,而长时间的退火并不能有效影响薄膜的磁性和矫顽力。     

磁光盘的介质膜材料AlN,AlSiN薄膜的电子显微分析

本文研究了磁光盘介质薄膜－ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的电子显微结构，通过透射电镜分析了ＡｌＮ薄膜的多晶结构和ｃ轴垂直取向；通过Ｘ射线衍射分析、透射电镜分析和Ｘ射线光电子能谱分析，确定了ＡｌＳｉＮ薄膜并不是多晶ＡｌＮ和ＳｉＮ薄膜的简单组合，而是形成了稳定的非晶特征结构。且ＡｌＳｉＮ薄膜由于其非晶结构而比ＡｌＮ薄膜的磁光克尔效应增强效果更优越。     

稀土-过渡金属磁光介质膜的理论与特性

本文讨论了稀土-过渡金属(以下简写为 RE-TM)非晶合金膜用作磁光记录介质的理论和 TbFeCo 膜的特性。采用射频溅射技术制备出 TbFeCo 非晶垂直磁化膜。膜的垂直各向异性常数K_u 为2.94×10~(5J)/m~3,克尔旋转角θ_k 为0.24-0.29°。得到了θ_k 随过渡金属 Co 含量而变化的曲线。当 Co 在 TM 次网络中含量达50%时,θ_k 有最大值0.29°。在膜被复盖一层 SiO_2或 AlN 之后,θ_k 从0.29°提高到0.55°或1.48°。(TbFeCo+AlN)膜的θ_k 达到1.48°这样高的值,尚未见文献报导。这种膜可以直接用作磁光记录介质。     

全光信息存储的新进展

为适应信息社会的需求,大容量、高密度、高稳定性和可靠性的信息存储技术,正沿着磁存储→磁光存储→全光存储的方向迅猛发展;与之相应的存储器件——磁盘→磁光光盘→相变光盘亦应运而生。深入理解全光存储介质的物理机制。不仅对基础研究,而且对技术发展都有重大的意义。本文除对磁光存储和相变存储作原理性的评述外,着重论述全光存储过程中高功率密度激光和凝聚态薄膜相互作用的新概念和新机制。旨在引发读者的新思考,从而反过来促进全光存储领域研究和开发工作的新进展。     

多孔氧化铝模板上TbFeCo薄膜的制备及磁性能

利用两步阳极氧化方法在玻璃基板上成功制造孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,实验结果表明,孔洞大小范围在10～50nm,孔洞大小可通过氧化电压和氧化温度进行调节,随氧化电压和温度降低而减小.多孔氧化铝底层对其上溅射生长的TbFeCo磁性能有重要影响,多孔氧化铝基底对TbFeCo的畴壁运动有较强的钉扎作用,增大其矫顽力,矫顽力随孔洞的直径增大而减小,从15nm时的4.5×105A/m下降到40nm时的2.8×105A/m,并逐步趋近无AAO膜板时TbFeCo的矫顽力.同时多孔氧化铝基底的引入,使TbFeCo薄膜的矫顽力机制从以磁晶各向异性为主改变为以形状各向异性为主.     

磁光盘抗腐蚀研究进展

介绍了国内外磁光盘抗腐蚀研究的进展，比较了目前常用的几种保护材料的基本特性，分析了对磁光盘进行优化设计的关键技术，在分析了现有磁光保护层材料的不足的基础上，预测了磁光盘保护材料研究发展的未来趋势。     

界面对TbFeCo薄膜磁畴的形成和移动的影响

本文用振动样品磁强计和磁光克尔回线测试仪研究了非晶ＴｂＦｅＣｏ薄膜和ＡＩＮ薄膜之间的界面对非晶ＴｂＦｅＣｏ薄膜磁畴的形成和移动的影响，得出结论：ＡＩＮ薄膜的表面粗糙程度对非晶ＴｂＦｅＣｏ薄膜的磁和磁光性能有影响。当表面光滑时，非晶ＴｂＦｅＣｏ薄膜的磁滞回线和磁光克尔回线的矩形比高，这是由于磁畴的成核和移动与界面粗糙性质紧密相关的结果。