MOS晶体管技术

简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展,分析了其在将来超大规模集成电路(ULSI)应用中的主要限制.从材料以及器件结构两个方向分别阐述了突破现有MOS技术而最有希望被将来ULSI工业所采用的新型晶体管技术.     

神经MOS晶体管

神经ＭＯＳ晶体管是１９９１年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅ＭＯＳ器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新哭喊 件及其电路的国外研究现状、研究趋以及笔者所完成的研究工作。     

激光取样测出最高速晶体管

美国罗切斯特大学的科学家已经测出了也许是迄今最高速的晶体管的开关速度。激光动力学研究室的一个小组测出砷化镓可穿透基极晶体管(PBT)的上升时间为4.7皮秒(10~(12)秒,微微秒)。以往测到的高迁率晶体管的最短上升时间是9.6皮秒。     

晶体管、MOS器件

0605788 RF测量中MOSFET偏压相关串联电阻提取=MOS- FET bias dependent series resistance extraction from RF measurements[刊,英]/R．Torres-Torres,R．S．Murphy- Arteaga//Electronics Letters．-2003,39(20)．-1476- 1477(E)     

晶体管、MOS器件

0608838结温与热阻制约大功率LED发展〔刊,中〕/余彬海//发光学报.—2005,26(6).—761-766(E)0608839分子束外延生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的陷阱光致电离光谱=Photoionisation spectroscopy oftraps in AlGaN/GaN high electron mibility transistorsgrown by molecular beamepitaxy〔刊,英〕/P.B.Klein,J.A.Mittereder//Electronics Letters.—2003,39(18).—1354-1355(E)0608840蓝宝石衬底上Si Ge/Si n-MODFET结构高电子迁移率=High electron mobility in Si Ge/Si n-MODFET struc-tures onsapphire substrates…     

晶体管、MOS器件

Y98-61303-305 9905795无线通信的低噪声场效应晶体管(FET)设计=Lownoise FET design for wireless communications[会,英]/Franca-Neto,L.M.//1997 IEEE International ElectronDevices Meeting.—305～308(AG)本文研究了对适合于无线电通信用的低噪声场效应晶体管(FET)设计的半导体器件的噪声进行显微分析的新方法,包括计算器件噪声性能的计算方法。并将模拟结果同公布的亚微米 CMOS 晶体管的研究结果进行了比较。参5     

晶体管、MOS器件

Y98-61387-711 9913120高功率逆变器中高功率 IGBTs 和硬驱 GTOs 的比较=Comparison of high power IGBTs and hard driven GTOsfor high power inverters[会,英]/Bernet,S.& Teich-mann,R.//1998 IEEE 13th Applied Power ElectronicsConference,Vol.2.—711～718 (AG)     

晶体管、MOS器件

9907350应用 Volterra 级数分析 AIGaAs/GaAs HBT 的三阶互调失真[刊]/廖小平//固体电子学研究与进展.—1998,18(4).—425～430(D)9907351薄膜 SOI 材料 MOSFET 的高温泄漏电流[刊】/冯耀兰//固体电子学研究与进展.—1998,18(4).—415～419(D)     

晶体管、MOS器件

Y2000-62264-359 001440集成门整流晶闸管的性能特征=Performance characterization of integrated gate commutated thyristors[会英]/Gutierrez,M.& Venkataramanan,G.//1999IEEE Industry Applications Meeting,Vol.1.—359～363(PC)Y2000-62264-364 0014404MTO 晶闸管:标准门断开晶闸管的有效替换方案=MTO~(TM) thyristor:an efficient replacement for the stan-     

晶体管、MOS器件

Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabili-ty Physics Symposium.—37～41(UC)     

晶体管、MOS器件

Y2000-62067-44 0009263绝缘体上硅技术,器件与挑战=Silicon on insulatortechnology,devices,and challenges[会,英]/Cristoloveanu,S.//1998 IEEE International Conferenceon Optoelectronic and Microelectronic Materials and De-vices.—44～48(EC)     

晶体管、MOS器件

Y2000-62067-215 0012685微波场效应晶体管直流与交流特性侧墙效应的实验证据=Experimental evidence of side-wall effects on mi-crowave-FET DC and AC performances[会,英]/Chen,H.R.& Huang,G.L.//1998 IEEE InternationalConference on Optoelectronic and Microelectronic Materi-als and Devices.—215～217(EC)     

晶体管、MOS器件

0101974X 光二极管阴极灵敏度标定[刊]/黄天暄//强激光与粒子束.—2000,12(4).—455～458(D)在北京正负电子对撞机同步辐射装置3WIB 光束线上标定了一批 X 光二极管的灵敏度。应用一个简单的模型描述真空 X 光二极管光阴极发射光电子的机制。同时,阴极表面粗糙度、氧和碳沾污可以解释金属光阴极的实际灵敏度曲线与模型预测的偏离。参5Y2000-62185-138 0101975采用曲线拟合优化方法确定 HSPICE IGBT 的动态参数=Determination of dynamic parameters for HSPICE     

晶体管、MOS器件

0632198 Experimental analysis of operating characteristics of or ganic semiconductor static induction transistor =有机静电感应三极管动作特性的实验分析[刊,英]／薛严冰／／上海大学学报(英文版)．-2006,10(4)．-352-356(E) 0632199 InGaP／GaAs HBT器件研究中的几个重要问题[刊,中]／林玲／／中国电子科学研究院学报．-2006．1 (3)．-254-257(G) 0632200简易晶体管特性图示仪设计[刊,中]／赵俏玏／／电子工程师．-2006,32(9)．-13-14,42(E) 0632201用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管[刊,中]／韩琳／／半导体光电．-2006,27(4)．-393-395,401(G) 0632202高跨导AlGaN／GaN HFET器件研究[刊,中]／张志国／／固体电子学研究与进展．-2006,26(3)．-371-374 (D) 0632203 DC-40GHz光通信系统用GaAs PHEMT驱动放大器[刊,中]／钱峰／／固体电子学研究与进展．-2006,26 (3)．-335-339(D)     

晶体管、MOS器件

Y2002-63306-417 0307166等离子体增强化学汽相沉积形成钝化膜的偏压应力导致 InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 隔离退化=Isolationdegradation of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs due to biasstress depending on passivation films formed by PCVD[会,英]/Moriguchi,H.& Hoshi,S.//2001 IEEE In-ternational Conference on Indium Phosphide and RelatedMaterials.—417～420(E)     

低压场效应MOS晶体管

基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管适用于超高开关频率的应用，电压为24V和30V，额定电流为8A、12A、27A、50A和80A，10V时的典型通态电阻为0．008Ω、0．01Ω、0．0039Ω、0．012Ω和0．011Ω。     

晶体管、MOS器件

Y2002-63318-37 03277794H-SiC的1.8KV,3.8A双极结型晶体管=1.8KV,3.8A bipolar junction transistors in 4H-SiC[会,英]/Ryu,S.-H.＆Agarwal,A.K.//2001 IEEE Proceedings ofthe 13th International Symposium on Power Semiconduc-tor Devices＆ICs.—37-40     

晶体管、MOS 器件

Y2002-63306-626 0309486栅极长度为100nm 高电子迁移率晶体管的设计与实现=Design and realization of sub 100nm gate lengthHEMTs[会,英]/Parenty,T.& Bollaert,S.//2001IEEE International Conference on Indiurn Phosphide andRelated Materials.—626～629(E)     

晶体管、MOS器件

0603328 铜空气桥低噪声GaAs PHEMT用WNx扩散势垒= Use of WNx as diffusion barrier for copper airbridged low noise GaAs PHEMT[刊,英]／H．C．Changj,E．Y． Chang／／Electronics Letters．-2003,39(24)．-1763-1764(E)