液晶显示器与等离子显示器在彩色电视机中的应用

介绍了液晶显示器与等离子显示器的最新成果 ,通过对两者特点的比较 ,展望了它的未来应用与发展空间。     

GdAl3(BO3)4:Eu3+红色荧光粉的结构和荧光特性

用溶胶凝胶法合成GdAl3(BO3)4:Eu3 红色荧光粉.晶化温度为960℃,晶化时间为2 h;用X射线衍射进行结构表征,并用Jade5程序对GdAl3(BO3)4:Eu3 粉末样品的X射线衍射数据进行了指标化.结果表明:GdAl3(BO3)4:Eu3 为六方晶系,晶胞参数a=9.299 2 nm,c=7.257 7 nm;荧光性能测试结果为:室温613 nm监测,其激发光谱峰为:270,391,400,472,542,728,766和791nm.在270 nm激发下,最大发射峰为613 nm.     

LED用红色荧光粉Ca1.9(Si0.8 P0.2)O4:Eu3+的制备及发光性能

采用高温固相法制备了Ca_(1.9)(Si_(0.8)P_(0.2))O_4:Re(Re=Eu~(2+),Eu~(3+))系列发光材料,并对光致发光性能的影响因素进行了探究,主要包括煅烧温度、煅烧时间、稀土离子掺杂浓度等。经表征分析可知,制备Ca_(1.9)(Si_(0.8)P_(0.2))O_4:Eu~(2+)样品工艺条件确定为:煅烧温度、时间及掺杂Eu~(2+)浓度分别为1 275℃、4 h及4%。此样品最强激发波长为374 nm,最强发射波长为500 nm。色坐标结果显示样品发光处于绿光区域。制备Ca_(1.9)(Si_(0.8)P_(0.2))O_4:Eu~(3+)样品工艺条件确定为:煅烧温度、时间及掺杂Eu~(3+)浓度分别为1 300℃、4 h及6%。此样品最强激发波为394 nm,最强发射波长为589 nm。色坐标结果显示样品发光处于红光区域。     

不同退火温度下GdF_3∶Eu~(3+)红色荧光粉的发光性能

采用水热法合成了GdF_3∶5%Eu~(3+)红色荧光粉,研究不同退火温度对荧光粉形貌、发光以及显色性能(CIE)的影响。通过比较不同退火温度下荧光粉的发光性能,发现随着退火温度的升高,Eu~(3+)所有发射峰都得到了相应的增强,并且相应的CIE更趋向于红色;但高温退火时,纳米晶之间的团聚更加严重,而且CIE坐标会趋向于某一极限位置。     

彩色等离子体平板显示用荧光粉浆料通过鉴定

由中国科学院长春光机与物理所研制出的“彩色等离子体平板显示（PDP）用荧光粉浆料”通过专家鉴定。鉴定认为：这种彩色等离子体平板显示（PDP）用的荧光粉及浆料达到国际先进水平。     

掺铕稀土磷酸钙红色荧光粉的制备及其电荷补偿

采用高温固相法在1 200℃下制备了Ca3(PO4)2∶Eu3+红色荧光粉,并通过X射线衍射分析和荧光光谱分析表征,考察荧光粉的物相、发光性质以及激活剂Eu3+的最佳掺杂浓度,研究结果发现Eu3+取代Ca2+占据八面体中心格位,由于离子半径差异,产生大量晶格缺陷,影响其发光性能.为了进一步提高其发光强度,在荧光粉中引入了电荷补偿剂Na+.通过研究Na+浓度对荧光粉发光性质的影响,发现电荷补偿后荧光粉的发射强度是电荷补偿前发射强度的2.9倍左右,得到荧光粉最佳化学组成为Ca2.3Na0.4(PO4)2∶0.3Eu3+.根据缺陷的生成和反应原理,并结合晶体场环境的中心对称性变化,提出电荷补偿的微观机制主要包括缺陷反应以消除晶格畸变和降低晶格中心对称性以增强红光发射.     

高温固相法合成CaO∶Eu3+,Na+红色荧光粉的研究

采用高温固相法,合成CaO:Eu3 ,Na 等一系列红色荧光粉.研究煅烧温度和Eu3 、Na 离子的掺杂量对样品发光性能的影响,并对样品的物相、激发和发射光谱进行分析.结果表明,当前驱物的煅烧温度在950 ℃以上时,分别作为激活剂和敏化剂的Eu3 和Na 离子全部进入到CaO晶格中并占据Ca2 的位置,其最佳掺杂量分别为1.5 mol%和10 mol%;Na 离子的掺杂不仅有利于基质的稳定,而且可以提高样品的发光强度;煅烧温度升高有助于样品发光强度的提高;在波长为200～400 nm氙灯的激发下,最强激发峰值为244 nm,属于Eu3 -O2-的电荷迁移跃迁;最大发射峰值位于592 nm,对应于Eu3 离子的5D0→7F1跃迁,并且Eu3 离子在CaO基质中主要处于严格对称中心的格位上.     

铕掺杂NASICON结构红色荧光粉制备和发光性能

采用高温固相法在空气气氛中制备了具有NASICON结构的Eu³⁺掺杂Na₃Zr₂Si₂PO₁₂：Eu³⁺红色荧光粉。利用X射线衍射、漫反射光谱、荧光光谱、荧光寿命衰减曲线以及量子效率系统研究了该样品的晶体结构及荧光性能。结果表明,样品XRD图中不含明显的杂峰,表明在实验浓度范围内Eu³⁺的掺杂没有改变基质的晶体结构,样品为单相。合成过程中,需要对样品多次压片烧结,才能获得较好的单相。在近紫外光激发下,样品能发出618 nm红光,荧光强度最大对应的Eu³⁺的掺杂摩尔分数是24%。根据Rexter理论分析,浓度猝灭源于Eu³⁺离子之间的电四极-电四极相互作用。样品在室温下的最高内量子效率和外量子效率分别是61%和15%,荧光衰减的寿命范围在2.08~2.84 ms。样品Na_2.76Zr₂Si₂PO₁₂：0.24 Eu³⁺在150℃时内量子效率约为50%,表明样品具有良好的热稳定性。将样品Na_2.76Zr₂Si₂PO₁₂：0.24 Eu³⁺与394 nm波长的紫外芯片封装成LED灯,显色指数达到75.6.Eu³⁺掺杂Na₃Zr₂Si₂PO₁₂有望作为一种新型红色荧光粉用于近紫外激发白光LED。     

化学共沉淀制备PDP荧光粉BaAl12O19:Mn研究

用化学共沉淀法制备出锰激活六铝酸钡荧光粉，通过控制金属盐浓度、沉淀温度和体系的pH值，在1200℃焙烧2h后可以得到松软超细粉体．在沉淀Al^3 ，Ba^2 和Mn^2 过程中，调节混合液中Ba^2 和Al^3 的比例在(1．2—1．4)／12可以得到BaAln12O19，纯相，α—A12O2的含量达到不被XRD检出的水平，有别于固相合成法的结论．XRD、TEM、IR分析表明，非品态物质的存在是导致钡铝比和化学计量数不同的原因．     

等离子体阵面吸收与反射电磁波的实验探索

利用等离子体平面阵,依此研究50 MHz-3 GHz电磁波入射等离子体阵面所造成的衰减和反射.研究发现辉光等离子体阵面对人射电磁波具有强吸收弱反射特性.在实验频率范围内,等离子体阵面对电磁波都有一定的吸收作用,吸收值在9.9～25.6 dB之间,但在不同频段也存在着明显的吸收峰值.同时,虽然等离子体阵面对入射电磁波确有...     

AC-PDP寻址驱动芯片的设计

根据PDP显示系统的要求，设计出一块适合PDP显示的寻址驱动芯片，同时在分析高压VDMOS管和高压PMOS管结构特点的基础上，提出了实现PDP寻址驱动芯片的高压工艺流程及其基本参数。最后采用2．0μm的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺对芯片进行流片并对流出的芯片进行了测试分析，结果证明所设计的高压器件能满足PDP显示的实际要求。     

用微波等离子体技术合成长余辉发光材料

采用微波等离子体法（MWPM）和高温固相法（HTSSM）合成长余辉发光材料SrAl2O4：Eu，Dy，重点比较了微波等离子体制备技术相对于传统工艺在主要参数条件上的差异及对产物形态、结构和性能的影响。X射线衍射分析表明在合适工艺条件下两者合成的产物均为单斜晶系的SrAl2O4，且前者的相组成纯度更高；粒度分析结果证明微波等离子体法合成粉体的粒度较小，且粒径分布更窄；荧光分光光度计测定两种样品的激发光谱和发射光谱，其位置和形状相差不大，峰值波长均分别位于375nm和520nm处，但微波等离子体法的谱强度更高。研究表明微波等离子体技术是一种高效、简便、易于重复和控制的高品质长余辉发光材料合成方法。     

废弃液晶面板中液晶材料的热解特性

作为废弃液晶面板的重要组成部分,液晶材料中含有芳环、氰基、氟、氯、溴等基团,若随意丢弃或采用不当的处置方式将严重污染环境。本研究拟利用热解处理技术实现对液晶材料的无害化处理,探究了废旧薄膜晶体管液晶显示器中液晶材料的热解特性。液晶材料的热重分析结果表明,液晶材料的主要热解温度为300～500?C;热解实验表明,热解温度对液晶材料热解产物的影响较大,其中300?C和500?C条件下主要生成了双环己烷类、联苯类等化合物,而在800?C条件下主要生成多环芳烃;此外,考察了热解温度、氮气流量及固相停留时间对液晶去除率的影响,在优化条件下液晶的去除率可达94.2%。本研究为废旧液晶面板中液晶材料的无害化处理提供了技术参数和理论参考。     

等离子体显示屏放电单元的电路模型和电容

利用等效电路模型,计算分析了等离子体显示屏放电单元的有效电容与电极结构的关系.结果表明,电容主要由介质参数和放电电极表面积决定.其他条件不变时,增大电极间距不改变电容但放电效率增大;降低有效电容也可以提高放电的紫外光效率.     

精密定位技术在等离子显示器精密对板中的应用

介绍了一种等离子显示器的自动精密检测定位装置．采用激光莫尔信号进行高精密位置检测．工控机根据检测到的莫尔信号发出控制脉冲给步进电机,驱动工作台,实现等离子体显示器基板之间的全自动精密定位．控制系统采用了多线程,采用Visual Basic制作软件平台界面,通过Borland C＋＋编写信号采集、定位控制、设备驱动、数据管理等功能模块,完成系统的精密定位,定位精度可达±1,μm．     

应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺

介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0 μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV pMOS器件和薄栅氧HV nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入（HV N阱和PDA）和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV nVDMOS和HV pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力     

基于图像信息的彩色PDP动态子场编码优化方法

为改善累积发光驱动方法显示静态图像时的灰度级轮廓,提出了一种基于有效灰度级均匀分割采样的动态子场编码(DSC)算法。首先对输入图像中的孤立灰度区间进行灰度采样,然后对剩余灰度级均匀分割,选择各灰度区间概率密度较大的灰度级作为采样灰度级,相邻采样灰度级之差即为子场编码权值,从而使采样灰度级均匀分布在输入图像的有效灰度区间,并使采样灰度级和子场编码权值随图像变化。仿真和实验结果表明,该算法不仅能真实再现大面积的背景,而且使图像细节信息尽可能保留,显著减小了静态图像的轮廓。     

Influence of the Plasma State on the Formation of Nano Crystalline SiC Films

The influence ofthe plasma state on the microstructure transformation from amorphousto nanocrystalline state is emphasized during the formation of the silicon carbide (SIC) films deposited by the plasma enhanced chemical vapor technique. The effect of two key parameters, the working pressure and hydrogen concentration in the gas flow, that perform the dependence by modulating the two essential factors of the plasma stateions energy and gas composition, is in-depth investigated. The experimental results showed that nanocrystalline SiC films fit for field emitters could be achieved under an appropriate ion energy flow density and gas components in the plasma.