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本文评述IGBT驱动模块混合集成电路的研制情况,从实用角度分析比较几种驱动模块电路的结构和特点,介绍了部分应用时的外部电路接线图。 相似文献
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高电压,大电流N沟道MOSFET越来越广泛地应用于大功率的电力电子设备中。UNITRODE公司的UC3724/UC3725芯片缓 通过使用一种独特的调制技术--通过小型的高频脉冲变压器同时传输信号和功率,实现简单高效的带有电气隔离的MOSFET驱动电路。此电路具有可工作在任意占空比下、实用性强、电路结构简单、响应速度快、输出阻抗小等特点。 相似文献
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IGBT驱动电路模块化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
IGBT功率开关器件应用广泛,本文针对可驱动不同等级IGBT模块的驱动电路进行了模块化设计.该驱动模块包括接口选择模块、功能选择模块、电源模块、驱动与保护模块以及功率补充模块.分析了各部分模块的内部电路原理及功能,并通过试验实现了各项功能,证明该模块设计的合理性. 相似文献
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一种新型实用的IGBT驱动电路 总被引:1,自引:0,他引:1
在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路,并给出了各自的优缺点。给出了自行设计的一种简单、实用的新型IGBT驱动电路。经实践表明,该电路经济、实用、安全、可靠,同时具有IGBT过电流保护功能,具有很好的应用前景。 相似文献
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高压浮动MOSFET栅极驱动器原理及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
IR2110高压浮动MOSFET柳极驱动器性能优异、与计算机接口方便。介绍了高压浮动栅极驱动器的原理和应用特点,给出了IR2110栅极驱动器在步进电机控制及发电机激磁电流调节中的应用实例,说明了电路调试中须注意的几个问题。 相似文献
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方佩敏 《电子制作.电脑维护与应用》2004,(4):55-56
电机、电磁阀等执行机构通称电感性负载,本文仅介绍用低压功率MOSFET组成的通用直流电动机驱动电路,以及直流电动机的调速及驱动中MOSFET的开关损耗。 相似文献
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一种新型实用的IGBT驱动电路 总被引:1,自引:0,他引:1
在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路,并给出了各自的优缺点。给出了自行设计的一种简单、实用的新型IGBT驱动电路。经实践表明,该电路经济、实用、安全、可靠,同时具有IGBT过电流保护功能,具有很好的应用前景。 相似文献
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该文基于X-FAB 1.0μm高压SOI工艺,提出一种适用于600 V高压下的三相全桥IGBT驱动电路,包括输入接口电路、死区时间产生电路、高低压电平位移电路以及其它保护电路。其中针对输入信号可能同时有效的问题,设计了一种可以对输入信号的错误状态进行判断的死区时间产生电路,避免因高、低侧信号同时输入有效电平所造成的错误;高压驱动部分采用一种具有隔离功能的新型电平位移电路,可以减小高低压地电位之间的串扰,有效提高了驱动电路的可靠性。仿真结果表明,高侧浮动电压的范围为0~600 V,能够实现三相高低通路驱动后级的IGBT功率器件,高侧通路电压的输出范围为0~615 V,低侧通路电压的输出范围为0~15 V,驱动电流最大可达0.8 A,高低侧输出信号之间的死区时间为1.2μs,最高工作频率100 kHz。 相似文献
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富历新 《自动化技术与应用》1992,11(4):36-39
本文分析了栅驱动电路对功率MOSFET开关性能的影响,并结俣一电机伺服单元驱动电路的设计实例,说明了如何根据栅电荷曲线及抑制二极管向电流的要求选择合适的栅驱动电路阻抗的方法,也提出了一些设计中应注意的问题。 相似文献
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由于触控侦测阶段的保持电荷损失和驱动晶体管的阈值电压漂移,传统的栅极驱动电路用于高触控侦测率的内嵌式(in-cell)电容触控屏时存在稳定性不佳的问题.本文提出了一种具有两级预充电结构的栅极驱动电路,可有效地减少触控侦测阶段的保持电荷损失量,并抑制驱动晶体管的阈值电压漂移.仿真结果表明,传统栅极驱动电路和新栅极驱动电路... 相似文献
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介绍一种MOSFET驱动电路,它可以在占空比大范围调节的情况下保证驱动波形符合要求,且不需要辅助电源.着重叙述了该电路的工作原理、应用技巧,并提供了试验结果. 相似文献
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较详细地介绍了功率场效应管的各种栅极驱动电路,给出了应用实例,还介绍了功率场效应管的运行保护技术,为在不同场合下应用这类器件提供参考。 相似文献
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IGBT驱动与保护技术在直流调速系统中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
将大功率开关器件IGBT用在功率变换电路及直流调整系统中,阐述了IGBT驱动器的基本要求,介绍了EXB841芯片内部结构,分析了系统的工作原理。 相似文献
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针对工业中IGBT驱动电路复杂、设计困难等情况,通过对KA962芯片的研究,使用其作为主要的驱动模块,设计了种方便、实用的IGBT驱动电路,并且说明了各部分电路的设计要求及作用.最终通过实验表明,这种驱动电路能够驱动相应的IGBT模块,并产生符合工作要求的波形,从而验证了本设计的可行性. 相似文献
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从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。 相似文献