MAGNETIC PROPERTIES AND APPLICATIONS OF NEWLY-DEVELOPED NANOCRYSTALLINE Fe_(73.5)Cu_1Nb_2V_1Si_(13.5)B_9 ALLOY

报道了新开发的纳米晶Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ２Ｖ１Ｓｉ１３．５Ｂ９合金的综合软磁性能。新合金的高频铁损水平为：Ｐ３／１００ｋ＝５１０ｋＷ·ｍ－３，Ｐ２／２００ｋ＝７４８ｋＷ·ｍ－３，Ｐ２／５００ｋ＝３６７１ｋＷ·ｍ－３和Ｐ０．５／１０００ｋ＝８７１ｋＷ·ｍ－３。新合金的铁损比早期开发的纳米晶Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ合金的低且明显低于优良的功率Ｍｎ－Ｚｎ铁氧体Ｈ７ｃ４的铁损。对铁损与频率和幅值磁通密度的关系进行了分析。也报道了新合金在若干方面的实际应用。     

等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡｌＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０Ｖ,基靶距离ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡｌＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡｌＮ（１１０）∥Ｓｉ（１１１）和ＡｌＮ（１００）∥Ｓｉ（１００）。     

磷酸盐陶瓷Ca_(1-x)Ba_xZr_4(PO_4)_6的制备及其零膨胀组成的耐热冲击性研究

Ｃａ１－ｘＢａｘＺｒ４（ＰＯ４）６（０≤ｘ ≤１,简称ＣＢＺＰ）是由具有相反热膨胀异向性的 ＣａＺｒ４（ＰＯ４）６和ＢａＺｒ４（ＰＯ４）６互溶形成的二元固溶体型ＮＺＰ族陶瓷,其热膨胀系数具有可裁剪性．本研究的主要目的是通过调整组成,制备具有较好耐热冲击性的零膨胀材料．为此,首次用共沉淀法合成了单相的 ＣＢＺＰ系列粉体。分别添加 ３％ＺｎＯ和 ４％ＭｇＯ为烧结助剂,制成Ｔ ＣＢＺＰ系列陶瓷材料,用热机械分析（ＴＭＡ）压缩法测定了试样在２０～１０００℃的平均线膨胀系数ａ２０／１０００,以及加热（２０～１０００℃）和冷却（１０００～４００℃）过程的热膨胀曲线．实验结果表明,添加 ＺｎＯ和 ＭｇＯ时的近零膨胀材料分别为Ｃａ０．８５Ｂａ０．１５Ｚｒ４（ＰＯ４）６（ｘ＝０．１５）和ＣａＺｒ４（ＰＯ４）６（ｘ＝０）,α２０／１０００依次为 ０．６×１０－６／°Ｃ和一０．８×１０－６／°Ｃ,但热膨胀曲线上却由于微裂纹的产生而呈现出较大的滞后环,耐热冲击性不理想．可见,对ＣＢＺＰ系列而言,调整组成虽然能实现零膨胀,但很难消除热膨胀异向性,提高其耐热冲击性的有效途径可能是适当抑制晶粒生长以避免产生过多的微裂纹．     

Ag—BaO纳米复合薄膜在红外超短激光脉冲作用下的内场助…

Ａｇ－ＢａＯ薄膜是一种新型光电发射薄膜材料。制备出ＩＴＯ／Ａｇ－ＢａＯ／ＡＵ三明治电极结构,在红外超短激光脉冲（ｈｖ＝１．１７ｅＶ）作用下,借助内场辅助方法,使得Ａｇ－ＢａＯ薄膜的光电发射量子效率提高了一个数量级,由钠场时的１０＾－７量级提高到内场偏压为１０Ｖ时遥２．２×１０＾－６量级;样品的阈值光强由６０ＫＷ／ｃｍ＾２降为４０ＫＷ／ｃｍ＾２,约降低了３０％。这些结果表明：内场辅助方法确实是降低Ａ     

等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡＩＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ＾－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０＾４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０,基靶距离ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡＩＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡＩＮ     

高分子p—n异质结太阳电池的研究

用合成的十二烷基苯磺酸（ＤＢＳＡ）掺杂的聚苯胺（ＰＡｎ）导电材料和Ｂｅｉ染料组合，采用涂覆技术，研制成ＳｎＯ２／ＰＡｎ膜／Ｂｅｉ染料薄层／Ａｌ栅电极结构和Ａｌ／ＰＡｎ导电基片／Ｂｅｉ染料薄层／Ａｌ栅电极结构的ｐ－ｎ异质结太阳电池，测定了该电池的光电效应和伏安特性，在４．７２ｍＷ／ｃｍ＾２的氙灯照射下，开路电压Ｖｏｃ达４００ｍＶ短路电流Ｉｓｃ为１０μＡ，填充因子可达５７．４％，光电转换效率为０．０９     

Ti系高效催化剂乙烯—1—相烯气相共聚反应及共聚物结构…

研究了Ｔｉ－Ｍｇ催化剂（ＭＧ型）的乙烯－１－丁烯气相共聚合。常压下聚合动力学曲线为衰减型。催化效率为１０．２－１１．０ｋｇ ＰＥ／ｇＴｉ，产物密度ｄ＝０．９０５－０．９２２ｇ／ｃｍ＾３。Φ－１００流化床共聚合（１．２ＰＭａ）催化效率为１３７－１７３ｋｇＰＥ／ｇＴｉ。产物特性粘度「η」ＭＩ２．１６、ＭＦＲ１０．０／２．１６分别为１．０９－２．２２、１．０－６．９、７．８－１０．４。共聚物熔点、结晶度     

Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究

研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的ＢＳＴ前驱液,用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ｂａ_０．７Ｓｒ_０．３　ＴｉＯ_３薄膜．乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度．利用ＸＲＤ、ＤＴＡ等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系．厚度 ２００ｎｍ,Ｏ_２气氛中 ７００℃处理 １５ｍｉｎ后的 ＢＳＴ薄膜具有良好的介电性能,１００ｋＨｚ时介电常数ε＞４００,介电损耗 Ｄ＜０．０２;Ｐ—Ｅ电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化只约为１．４μＣ／ｃｍ^２,矫顽场强 Ｅ_ｃ约为 ４８ｋＶ／ｃｍ．     

锂快离子导体Li_(1 2x y)Al_xYb_yTi_(2-x-y)Si_xP_(3-x)O_(12)系统的研究

以ＬｉＴｉ２（ＰＯ４）３为基以天然高岭石为起始原料,经高温固相反应（９５０～１１５０℃）制得了 一系列锂快离子导体材料Ｌｉ１＋２ｘ＋ｙＡｌｘＹｂｙＴｉ２－ｘ－ｙＳｉｘＰ３－ｘＯ１２（以下简称Ａｌ－Ｙｂ－Ｌｉｓｉｃｏｎ）．系统 的合成温度随ｘ和ｙ值的增大而降低．应用交流阻抗技术测定的电导率数据结果表明ｙ＝０．３, ｘ＝０．１的合成物的电导率最好,４００℃时电导率达２．４５×１０－２Ｓ／ｃｍ, ２００～４００℃内的电导激 活能为３８．３ｋＪ／ｍｏｌ．ＸＲＤ分析结果表明在ｙ＝０．３,ｘ≤０４及ｙ＝０．５,ｘ≤０．３的组成范围内 均能得到空间群为Ｒ３ｃ的合成物．     

PS／粉末SBR—g—S共混体研究：Ⅱ.粉末SBR—g—S的相结构 …

测定了ＳＢＲ－ｇ－Ｓ的接枝率,用ＴＥＭ检测了粉末ＳＢＲ－ｇ－Ｓ（ＰＲ）的相结构。用ＤＳＣ测定了ＰＳ／ＰＲ共混体的Ｔｇ,研究了ＰＳ／ＰＲ共混体的相容性。结果发现,在接枝率为３２．６％的粉末非交联ＳＢＲ－ｇ－Ｓ（ＰＲ１）的相结构中ＳＢＲ为连续相,在连续相中均匀分布着直径约０．０１μ的ＰＳ微区;ＰＳ为细胞状分散相,粒径１～５μｍ,分散相含有ＳＢＲ包藏物。在接枝率为８．５％的粉末交联ＳＢＲ－ｇ－Ｓ（ＰＲ２     

掺Nd的（Sr,Pb）TiO3陶瓷的热敏特性研究

研究了用固相法制备的掺（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的热敏特性。结果表明，掺Ｎｄ的（Ｓｉ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷具有良好的ＮＴＣ－ＰＴＣ复合热敏特性，主要参数：Ｔｃ＝１２３℃，ｐＲＴ＝１５０Ωｃｍ，ｐｍｉｎ＝１５．４４Ωｃｍ，α（－）５０＝－３．０６％／℃，α（＋）５０＝７．５７％／℃，降阻后材料仍为典型的ＡＢＯ３型钙肽矿结构；Ｎｄ＾３＋一部分以施主形式进入Ａ位，一部分仍以Ｎｄ２Ｏ３的形式残留在试样中。Ｓ     

含聚氧乙烯接枝共聚物－盐络合物的离子导电

研究了３种以聚环氧乙烷（ＰＥＯ）为支链的规整接枝共聚物（分别简写为；ＰＳ－ｇ－ＰＥＯ、ＰＭＭＡ－ｇ－ＰＥＯ、ＰＭＡ－ｇ－ＰＥＯ）与盐形成络合物的单阳离子的导电性能。作为一种新型的高分子固体电解质材料，该类络合物的离子导电率与接枝共聚物主链结构的种类、支链ＰＥＯ的分子量及含量、盐的种类及浓度有关。ＰＭＡ－ｇ－ＰＥＯ与盐形成的络合物具有良好的成膜性能和离子导电行为，其室温导电率接近１０－４Ｓ·ｃｍ－１，１００℃时可达１０－２Ｓ·ｃｍ－１，是理想的聚合物电解质材料。     

二价离子替代的Nasicon及其应用研究

含二价阳离子的Ｎａｓｉｃｏｎ，Ｍ￣（２＋）Ｎａｓｉｃｏｎ（Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ）可由母体Ｎａ＿３Ｚｒ＿２Ｓｉ＿２ＰＯ＿（１２）（Ｎａｓｉｃｏｎ）为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。Ｘ射线衍射分析结果表明离子交换后的产物Ｍ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ大多保持原母体的Ｃ＿（２／ｃ）结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Ｎａｓｉｃｏｎ的电导率相差甚大。其中最好的是Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ，其电导率在４００℃时可达到１．４８×１０￣（－２）Ｓ／ｃｍ。Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ用作微功率固态电池Ｍｇ／ＣｕＣｌ的电解质，该电池的开路电压为２．０７Ｖ，短路电流为１ｍＡ。平均放电电压为１．６Ｖ，电池的放电容量是３．４ｍＡＨ。     

顺丁橡胶与液晶共混复合膜的CO2渗透性能

以顺丁橡胶（ＰＢ）和具有双重液晶相的液晶化合物双－４－（４’－乙氧基苯甲酰氧基）苯甲酸－缩乙二醇酯（ＤＥＢＥＢ）制成高分子／液晶复合膜并研究了其ＣＯ２透过性能。液晶含量为１０％（质量）复合膜在室温下具有比ＰＢ膜大５倍以上的ＣＯ２透过系数（Ｐｃｏ２）及好的与Ｎ２、Ｏ２分离系数（αｃｏ２／Ｎ２、αｃｏ２／ｏ２）：Ｐｃｏ２＝４３２ｂａｒｒｅｒ,αｃｏ２／Ｎ２＝２５．４,αｃｏ２／ｏ２＝７．９;且透气系数     

DBM-g-PE与PVC的相互作用研究EI

采用固相接枝法制备了ＤＢＭ－ｇ－ＰＥ，用红外光谱分析证明了接枝物确实存在。ＰＶＣ／ＣＰＥ＝１００／５合金性能测定结果表明，添加５份接枝物的合金（Ａ），缺口冲击强度、拉伸强度分别为１８．２ｋＪ／ｍ２和５３．０ＭＰａ；而添加５份ＰＥ的合金（Ｂ），其相应性能为５．１ｋＪ／ｍ２和３３．８ＭＰａ。不加接枝物的合金（Ｃ），虽有高韧性，但拉伸强度却由５３．０ＭＰａ降至５０．２ＭＰａ。ＤＳＣ、ＳＥＭ的结果均表明，ＰＥ接枝ＤＢＭ后与ＰＶＣ的相互作用增强，与ＣＰＥ协同作用能增韧、增强ＰＶＣ，并探讨了其机理。     

镀Cu碳毡／环氧树脂复合的研制

研究了镀Ｃｕ碳毡／环氧树脂（ＣｕＣＦ／ＥＰ）复合材料的制备，并探讨了镀Ｃｕ量对碳毡电阻率，复合材料电阻率及其电磁屏蔽效率的影响规律，经合理工艺制得的镀Ｃｕ碳毡（４００ｍｇ．ｇ＾－１Ｃｕ－ＣＦ）含量为３００ｍｇ．ｇ＾－１ＣｕＣＦ／ＥＰ复合材料，其电磁屏蔽效率可在２０＝－１０００ＭＨＺ范围内达到６０ｄＢ。     

CeO2-Y2O3固体氧化物燃料电池的电化学性能

以Ｙ２Ｏ３掺杂的ＣｅＯ２为固体电解质,制备了电解质支撑的固体氧化物燃料电池。测定了Ｈ２－Ｏ２电池的电压－电流密度（Ｖ－Ｉ）和输出功率－电流密度（Ｐ－Ｉ）关系曲线。为抑制ＣｅＯ２基材料的电子导电性的影响,采用溶胶凝胶技术,在阳极与电解质间制备了一层１μｍ厚的ＹＳＺ薄膜,７５０℃时,电池开路电压由０．７３Ｖ上升到０．８２Ｖ,最大输出功率密度从３６ｍＷ／ｃｍ＾２增加到５４ｍＷ／ｃｍ＾２,增大５０％,证明ＹＳＺ阻挡膜确定能改善电池的电化学性能。     

Cu－Al_2O_3复合材料的制造工艺对组织、性能的影响

本文研究使用Ｃｕ－０．３ｌ％Ａｌ合金水雾化粉末，其粒度为７４μｍ以下（─２００目），进行内氧化处理得到Ｃｕ－Ａｌ２Ｏ３粉末，经等静压压坯→烧结→裸锭热挤压→冷轧工艺制造的材料密度为８．８ｇ／ｃｍ３，强度σｂ为６０８ＭＰａ，硬度ＨＶ为５２９ＭＰａ，电阻率ρ为２．２μｃｍ。对材料的金属膜电镜分析表明：组织中分布看γ－Ａｌ２Ｏ３微粒，它的平均尺寸１５０Ａ，微粒间距离约２００Ａ左右。     

EMC用大损耗NiCuZn铁氧体吸收瓦材料研究

３０～１０００ＭＨｚ铁氧体吸收瓦（尺寸为１００ｍｍ ×１００ｍｍ×厚度）在电磁兼容（ＥＭＣ）领域具有广泛的应用。本文采用氧化物工艺制备ＮｉＣｕＺｎ尖晶石铁氧体,测试并分析了用Ｃｕ２＋取代Ｎｉ２＋及Ｃｏ２＋掺杂对材料复磁导率的影响。在９００℃／２ｈ预烧,１１５０℃／２ｂ烧结,得到ＮｉＣｕＺｎ铁氧体相对复磁导率（μｒ＝μ′ｒ－ｊμ″）μ＇ｒ＞１１０,μ″ｒ＞２００（频率ｆ＝３００ＭＨｚ）;通过对该材料优化设计,当铁氧体吸收瓦厚度 ｄ＝５．５ｍｍ,在 ３０～１０００ＭＨｚ,反射率 Ｒ＜－１２ｄＢ,在 ｆ＝５０～８００ＭＨｚ,Ｒ＜－１５ｄＢ。     

PECVD法淀积氮化硼薄膜场发射特性研究

用 Ｂ２Ｈ６和 ＳｉＨ４作反应气体,通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法,在 Ｓｉ（１００）面上沉积生长ＢＮ薄膜,用Ｓ－５２０扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测,并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在室温、压力为 ８ × １０－４ Ｐａ条件下,对 ＢＮ薄膜的电流一电压特性进行测量,并得到了 Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ特性曲线,ＢＮ膜的场发射开启电场为９ Ｖ／μｍ,在电场３７．５ Ｖ／μｍ时,电流密度达到２４．８ ｍＡ／ｃｍ２。