类金刚石薄膜的高红外透过率研究

类金刚石薄膜最主要应用在光学领域,尤其在红外领域,它非常适合于作红外窗口材料的增透兼保护膜。本文采用电容耦合射频外加直流设备,裂解碳氢化合物产生等离子体,进行离子增强化学气相沉积,制备类金刚石薄膜。采用平板式电极,衬底样品放在阴极极板上。所用气源为     

织物组织结构参数对紫外透过率的影响

分析了织物组织结构对紫外线的透通理论．测试了不同组织、结构参数织物的紫外线透过率,验证了理论分析的合理性．结果表明,相同原料与覆盖系数的不同组织,其紫外线透过率主要随着组织的平均浮点数与交织次数的增加而增加,同时还受到组织交织规律的影响;织物表面的直通孔隙的大小是影响紫外线透过率的主要因素,而直通孔隙的大小不仅与覆盖系数有关,还与织物组织的平均浮点数、交织次数、交织变化规律有关．     

ECR等离子体刻蚀对玻璃光学和润湿性能的影响

为了提高太阳能电池盖板玻璃的透过率和自清洁性能,采用电子回旋共振( ECR)等离子体刻蚀与金属颗粒掩膜结合的方法刻蚀硼硅酸盐玻璃,采用扫描电镜( SEM)对刻蚀后玻璃表面形貌进行了观察,采用分光光度计测量了刻蚀前后玻璃透过率变化,并用接触角仪测定了刻蚀前后玻璃表面润湿性变化. 结果表明:经过ECR等离子体刻蚀后,在玻璃表面形成多山峰状纳米结构,平均尺寸约在80～140 nm,并有效提高了玻璃的可见光透过率,尤其是在有偏压刻蚀后透过率由原来91%提高到94. 4%,同时,玻璃表面亲水性增强,接触角θc由原来的47. 2°变为7. 4°,自清洁性能得到提高.     

沉积参数对ZnS体材料红外透过率的影响

采用低压化学气相沉积法系统研究了Ｈ２Ｓ／Ｚｎ流量比、沉积温度、沉积速率及衬底材料对ＺｎＳ体材料红外透过率的影响规律，在本实验研究的条件下认为采用低的Ｈ２Ｓ／Ｚｎ流量比及低的沉积速率，适宜的沉积温度可以提高ＺｎＳ的透过率。同时高沉积温度及高Ｈ２Ｓ／Ｚｎ流量比可减少ＺｎＳ对波长６．２μｍ光的吸收。在优化的工艺下获得了高红外透过率的ＺｎＳ体材料。     

原位氧等离子体处理对金刚石薄膜电阻率的影响

采用原位氧等离子体刻蚀法对微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜进行了提高电阻率的后处理，暗电流Ⅰ—Ⅴ特性测试结果表明，优化的工艺可使生成膜的电阻率提高4个数量级以上；SEN和XPS分析证实刻蚀处理减少了薄膜表层的石墨和C—H含量，并且未使膜厚产生明显的改变。原位氧等离子体处理是一种简便有效的提高金刚石薄膜电阻率的工艺方法。     

ECR等离子体刻蚀对玻璃光学和润湿性能的影响（邀请论文）

为了提高太阳能电池盖板玻璃的透过率和自清洁性能,采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与金属颗粒掩膜结合的方法刻蚀硼硅酸盐玻璃,采用扫描电镜(SEM)对刻蚀后玻璃表面形貌进行了观察,采用分光光度计测量了刻蚀前后玻璃透过率变化,并用接触角仪测定了刻蚀前后玻璃表面润湿性变化.结果表明:经过ECR等离子体刻蚀后,在玻璃表面形成多山峰状纳米结构,平均尺寸约在80~140 nm,并有效提高了玻璃的可见光透过率,尤其是在有偏压刻蚀后透过率由原来91%提高到94.4%,同时,玻璃表面亲水性增强,接触角θ_c由原来的47.2°变为7.4°,自清洁性能得到提高.     

红外1～14μm波长间隔0.1μm上大气平均透过率(Ⅱ).水蒸汽的透过率

利用高分辨率光谱数据软件ＵＳＥＨＩＴＲＡＮＰＣ２ ．５０ 版本计算了标准状态下海平面上水蒸汽红外１ ～１４ μｍ 波长间隔０．１ μｍ 上的平均透过率,并给出了相应的平均透过率表．     

一种沿径向可变透过率滤光膜的研制

提出了一种径向可变透过率滤光膜的镀制工艺方案，采用该方案得到的滤光片，有效地解决了大视场角场合下要求象面照度均匀的难题。     

氧气低温等离子体改性对棉织物染色性能的影响

选择氧气低温等离子体对棉织物进行处理，用活性蓝KN．RG进行染色。结果表明：选择合适的等离子体处理工艺，染料的上染百分率和织物的断裂强力都会得到一定的提高。     

化学沉积AgOx薄膜的透光性能

采用化学沉积法在银一三乙醇胺(TEA)溶液中制备了AgOx薄膜并研究了薄膜的紫外可见光透过性能.实验结果表明,沉积温度越低、沉积时间越短薄膜的厚度越小.AgOx薄膜成份是由Ag、Ag2O和AgO组成的混合相,且薄膜中AgO含量随着第二次TEA与第一次TEA添加量的比值变化而变化.AgO含量越高、薄膜厚度越小,薄膜在紫外、可见光波段的透过率越大.薄膜在300 nm左右出现紫外透过峰,且随着AgO含量增加,峰强度增加,峰位置发生红移;在980 nm附近出现明显的透过峰,峰强随AsO含量增加而增大,最大透过率达到70%.     

溶胶-凝胶法制备WO3-TiO2电致变色薄膜的研究

通过溶胶 -凝胶方法制备出了掺杂 Ti O2 的 WO3电致变色薄膜 ,并利用电化学循环伏安装置、分光光度计、X- Ray衍射进行了相关的性能测试 ,指出掺杂一定量的 Ti O2 可有效地稳定氧化钨溶胶 ,提高薄膜的循环使用寿命 ,同时也使薄膜的变色性能降低     

不同ZAO粉体对ZAOp／ZAO透明导电薄膜光电性能的影响

以乙酸锌和硝酸铝为原料,氨水为催化剂,通过改变反应温度和pH值,以及干燥工艺得到三种工艺合成的ZAO粉体,即共沉淀一超临界流体干燥法（SCFD）制备的ZAO粉、共沉淀一普通干燥法制备的ZAO粉和湿态氢氧化锌铝沉淀物粉体．通过XRD,TEM,SEM和差热分析对三种ZAO粉进行了物相、颗粒大小与团聚情况和加热过程的物理化学变化进行了分析．采用浸渍一提拉法制备了ZAOp／ZAO薄膜,对其可见光透射率、导电率和表面形貌进行了测试和分析．结果表明以湿态氢氧化锌铝方式制备的ZAOp／ZAO透明导电薄膜的可见光透射率最高,大于82％;方块电阻最低,电阻为83Ω．     

溶胶-凝胶法制备掺镧钛酸钡薄膜及其光学性质研究

以硝酸镧、醋酸钡、钛酸四丁酯为原料,采用溶胶一凝胶旋涂法制备掺La的钛酸钡薄膜,研究薄膜的晶体结构、表面形貌、紫外-可见光吸收性能及光学带隙。研究结果表明,纯钛酸钡和掺La钛酸钡薄膜均为单一四方钙钛矿结构,La3＋的引入可以使钛酸钡薄膜在可见光区的透过率和光学带隙有一定程度下降,而退火温度对掺镧钛酸钡薄膜光学带隙基本无...     

Mg2+掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

利用溶胶-凝胶法在(100)Si片和玻璃衬底上制备出Mg2 掺杂的ZnO(MgxZn1-xO)薄膜,研究了Mg2 掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响.XRD图谱表明,当x＜0.30时,MgxZn1-xO薄膜为纤锌矿结构,随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小,a逐渐增大,但晶胞体积V几乎不变;当0.3≤x＜0.7时出现相分离;当x≥0.7时,MgxZn1-xO薄膜为MgO的立方相结构.紫外可见光透射光谱表明,Mg2 掺杂增大ZnO薄膜的禁带宽度,同时也提高可见光的透过率.     

低温热处理制备掺铝氧化锌薄膜技术的研究

使用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备掺铝氧化锌薄膜,研究热处理温度对薄膜结构、形貌、电学性能的影响。结果表明:使用低温热处理制备的薄膜具有更好的C轴取向生长,表面平整质密,面阻最小达到1800Ω/□。     

退火温度对MgB2超导薄膜的影响

本实验是研究退火温度对MgB2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了MgB2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法。结果表明,退火温度对MgB2薄膜的超导特性、晶体结构和相纯、表面形貌有影响。退火温度高,生成的MgB2晶粒较大,晶形好,正常态电阻也增大,杂相越少。     

氧气气氛对氧化铪薄膜性能的影响

在有氧和无氧气氛条件下,采用真空电子束热蒸发技术在P-Si(100)硅衬底上制备了HfO2薄膜.利用X射线光电子能谱,对薄膜的化学组分进行表 征,利用椭偏法对薄膜的膜厚和折射率进行测定,利用紫外可见光谱测量了薄膜的在200 nm～1 200 nm范围内的光透过率,并计算出其光学能隙,利用C-V测试系统对退火后薄膜的介电性能进行测试.结果表明,有氧和无氧条件下制备的薄膜中组分含量存在明显差异,相比于无氧条件下制备的薄膜,有氧条件下制备的薄膜中含有较少的铪单质,因而在可见光范围内具有较高透光率和光学能隙,较低的折射率和更优异的介电性能.     

Preparation of Ag-doped TiO_2 Thin Film by Sol-gel Method

The Ag-TiO2 thin film has been prepared on glass substrate by sol-gel process . The structure and properties of the materials were studied by DTA , XRD, and EPR. The photocatalytic activity was examined by the photocatalytic degradation of dichlorophos. The analysis results indicate that the photocatalytic activity of the Ag-TiO2 thin film is higher than that of pure TiO2 thin film. It is also influenced by the content of anatase and heating temperature . The ESR result shows that the Ag-TiO2 thin film has more hydroxide radicals than pure TiO2 thin film after illuminated by UV light.