Fe@Au8团簇的几何结构和电子特性

利用密度泛函PW91方法研究了Fe@Au8团簇的平衡结构和电子性能,获得了多个异构体及电子态。结果显示Fe原子在低能异构体中趋于占据最高配位位置,相似异构体的能量随着Fe原子配位数减少而增加。电子性能分析表明基态结构具有较高的稳定性,类似最稳定Au9团簇的12异构体有相对大的HOMO—LUMO能级间隙。     

Au_nAl(n=1～8)团簇的几何结构和稳定性

用密度泛函PW91研究团簇Au_nAl(n=1~8)的几何结构和稳定性。对Au_nAl(n=1~8)团簇的几何构型进行优化处理,表明基态Au_nAl团簇在n=1~3时是二维结构,从n=4开始转变为三维结构。计算Au_nAl(n=1~8)团簇基态结构的二阶能量差分(Δ2E)、原子平均结合能(Eb)及最高占据轨道(HOMO)与最低空轨道(LUMO)之间能级间隙(HLG),分析Au_nAl(n=1~8)团簇的稳定性。结果表明,Au6Al团簇有较好的化学活性,Au3Al有较高的稳定性。     

Au_nMg(n=1～8)团簇的几何结构和稳定性研究

采用密度泛函PW91方法对AunMg(n=1~8)团簇的平衡结构和稳定性进行研究。通过对其团簇的几何构型进行优化,得到AunMg(n=1~8)团簇的基态稳定结构均为平面结构。通过计算AunMg(n=1~8)团簇基态结构的原子平均结合能、二阶能量差分及HOMO-LUMO能级间隙分布,分析AunMg(n=1~8)团簇的稳定性。结果表明:Au7Mg团簇有较好的化学活性,Au2Mg有较高的稳定性。     

金团簇二维到三维的结构转变和电子特性的理论研究

基于密度泛函PW91/TZVPP理论级别,研究Aun团簇的平衡结构和电子性质。结构优化显示:在n=3~13范围内,Aun团簇的基态构型均为二维结构,当n=14时,开始从二维结构转变成三维结构。原子平均结合能、二阶能量差分、能级间隙、电子亲和势和垂直电离势分析表明:较大金团簇原子之间的结合力强于较小金团簇;偶数金团簇比奇数金团簇具有较高的稳定性;奇数金团簇的化学活性比偶数金团簇高且在化学反应中容易得电子。     

镍团簇的结构与电子性质

在相对论有效原子实势(RECP)近似下,用Gaussian98程序和密度泛函中的B3LYP/LANL2DZ方法,对纯Nin(n=2-6)团簇的各种几何构型进行优化计算,得到它们的基态结构、垂直电离势和电子亲和能.结果表明,Ni2分子的基电子态为3Σ+u,Ni3的基态结构是等腰三角形,电子态为3B2.由于Jahn-Teller效应,Ni4的基态结构为具有C2v对称性的蝶形结构,电子态为7A2.Ni5和Ni6的基态结构也具有C2v对称性,分别为梯形和三角形结构,对应的基电子态分别为7A1和3B2.最后计算了团簇的能级分布和最高占据轨道(HOMO)与最低空轨道(LUMO)之间的能级间隙(HLG),分析了团簇的化学活性.     

纯钯小团簇的结构与电子性质

在相对论有效原子实势(RECP)近似下,用Gaussian98程序和密度泛函方法(B3LYP/LANL2DZ),对纯Pdn(n=2-6)小团簇的各种几何构型进行全优化计算,得到它们的基态结构.结果表明,Pd2分子的基电子态为3∑+u;Pd3的基态结构为具有C2v对称性的角形结构,电子态是3B2;Pd5和Pd6的基态结构也具有C2v对称性,分别为六而体形和"船形"结构,对应的基电子态分别为1A1和3B2;由于Jahn-Teller效应,Pd4的基态结构为具有Pd-Pd桥键的Cs蝶形结构,其电子态为3A".还计算了团簇的能级分布和最高占据轨道(HOMO)与最底空轨道(LUMO)之间的能级间隙(HLG),讨论了基态结构的垂直电离势(IP)和电子亲和能(EA).     

Aun- (n=3~8)离子团簇的结构演变与电子性质研究

利用密度泛函PW91方法和TZVPP基组,研究Au_n-(n=3~8)离子团簇的结构演化和电子特性。结果显示:所有基态金负离子团簇为平面构型,其生长模式存在奇偶效应,即奇数金负离子团簇在能形成高对称结构处加上一个Au原子后,经过小的弛豫便可生成偶数金负离子团簇;同时,在此基态结构下,电离能的理论值与实验结果符合较好,能量二阶差分与能级间隙也表现出相同的奇大偶小的特点,这说明奇数金负离子团簇比偶数金负离子团簇具有较高的物理和化学稳定性。     

团簇研究的一些进展

用密度泛函PW91研究团簇Au_nAl(n=1~8)的几何结构和稳定性。对Au_nAl(n=1~8)团簇的几何构型进行优化处理,表明基态Au_nAl团簇在n=1~3时是二维结构,从n=4开始转变为三维结构。计算Au_nAl(n=1~8)团簇基态结构的二阶能量差分(Δ² E)、原子平均结合能(E_b)及最高占据轨道(HOMO)与最低空轨道(LUMO)之间能级间隙(HLG), 分析Au_nAl(n=1~8)团簇的稳定性。结果表明, Au₆ Al团簇有较好的化学活性,Au₃ Al有较高的稳定性。     

非化学计量Li6F5团簇的几何结构和电离能

基于非化学计量Li6F5团簇的电离能的实验测量值,从第一性原理出发间接地确定了这个团簇的几何结构．首先选取若干可能的初始结构,然后在密度泛函理论框架内,使用B3LYP泛函和6—311＋G（d）基组优化所有初始结构,从而获得能量较低的同分异构体．对该团簇本文找到8个同分异构体,其中最低能量结构是一个对称性为Cs的三维构型．其计算的绝热电离能3．9eV与实验值4．1±0．1eV符合很好,表明本文找到的最低能量结构是可靠的．     

M4(M=Pd,Y)团簇的几何结构与Jahn-Teller效应

在相对论有效原子实势（RECP）近似下,用Gauasian98程序和密度泛函理论方法（B3LYP／LANL2DZ）对M4（M=Pd,Y）团簇的结构进行全优化计算,得到各种可能的几何构型和电子态。基于电子振动相互作用和群表示理论,讨论团簇几何构型的Jahn-Teller效应,分析了各种构型的电子态,计算结果与理论符合较好。     

Geometrical Structures of Certain Class of Statistical Manifolds

The geometrical structures of the certain class of statistical manifolds are investigated. The geometrical metrics of such statistical manifolds are obtained, which includes the original geometrical metrics of S. Amari.     

Thermoelectric Properties and Electronic Structure of Ca_3Co_2O_6

1　IntroductionIthasbeengenerallyacceptedthatthethermoelectricefficiencyofoxidesislowerthanthatoftheconventionalthermoelectricmaterialbecauseoftheirhighioniccharacter,whichgenerallycausesastronglocalizationofelectronsandhenceleadstoaverylowcarriermobility…     

二氧化铈的电子结构和导电性研究

采用第一性原理赝势平面波方法计算了立方萤石型CeO2的晶体参数.在此基础上,计算了能带结构、总态密度、分波态密度和布居分布,分析了CeO2的的电子结构,研究了其导电性较弱的原因.     

聚并吡啶电子性质的理论研究

采用量子化学半经验ＭＮＤＯ,ＣＮＤＯ／２晶体轨道方法,对聚并吡啶分子结构进行探讨,找出了结构稳定性和电子性质的变化发规律,能带结构分析表明：分子的准一维体系向二维拓宽,将使能隙趋于变小,本征电导率增加。此与裂解温度高则聚合度和电导率相应增加的实验结果相一致。     

Electronic Structures and Bonding Properties of Ti_2AlC and Ti_3AlC_2

The relation among electronic structure, chemical bond and property of Ti2AlC, Ti3AlC2 and doping Si into Ti2AlC was studied by density function and the discrete variation (DFT-DVM) method. After adding Si into Ti2AlC, the interaction between Si and Ti is weaker than that between Al and Ti, and the strengths of ionic and covalent bonds decrease both. The ionic and covalent bonds in Ti3AlC2, especially in Ti-Al, are stronger than those in Ti2AlC. Therefore, in synthesis of Ti2AlC, the addition of Si enhances the Ti3AlC2 content instead of Ti2AlC. The density of state (DOS) shows that there is mixed conductor characteristic in Ti2AlC and Ti3AlC2. The DOS of Ti3AlC2 is much like that of Ti2AlC. Ti2SixAl1-xC has more obvious tendency to form a semiconductor than Ti2AlC, which is seen from the obvious difference of partial DOS between Si and Al 3p.