W/Ti合金靶材及其制备技术

介绍了W/Ti合金扩散阻挡层在集成电路布线技术中的作用及应用情况。阐述了W/Ti合金靶材的特性参数一相对密度、微观结构、金属纯度，与W/Ti合金薄膜性能之间的关系，指出高密度、高纯度、富Ti相含量少的合金靶材是制备优良W/Ti合金扩散阻挡层薄膜的基本条件。介绍了制备W/Ti合金靶材的3种方法一真空热压、惰性气体热压、热等静压，并概述了不同方法制备的靶材性能上的差异，给出制备高性能W/Ti合金靶材的工艺条件。     

惰性气体热压法制备W/Ti合金靶材研究

用W粉和Ti粉作原料, 采用惰性气体热压法制备W/Ti合金靶材. 研究了靶材致密性、富Ti的β相含量、微观结构均匀性与工艺条件的关系. 结果表明, 控制温度在1250～1450 ℃之间, 压力在20 Mpa左右, 保温时间在30 min左右可制备高性能的W/Ti合金靶材.     

W/Mo/石墨复合靶材的制备与研究

通过粉末冶金技术,采用真空高温热压烧结工艺,制备了W/Mo/石墨复合靶材,并对其显微组织、结合状态、密度和硬度等性能进行了测试,结果表明在1700℃,保温4 h,采用Zr,Ni,Tj混合粉作为粘结剂,热压条件下制备的W/Mo/石墨复合靶材,组织致密均匀,W,Mo层过渡平缓,结合界面良好,结合强度高.Mo层的硬度达到Hv250左右.     

W–Ti合金互扩散及β结构稳定性研究

通过测量相同时间、不同温度下制备的W/Ti扩散偶成分和显微硬度,研究了W–Ti合金的扩散特性和机理,计算了W/Ti互扩散系数(单位:cm~2·s~(-1)),并利用MS软件对Ti原子数分数为12.5%~50%的W–Ti二元合金的能量、电子结构进行了理论计算。结果表明:W与Ti发生互扩散,其中W在Ti中的扩散速度远高于Ti在W中的扩散速度;在1100~1300℃时,W基固溶体中的互扩散系数公式为2.6×10~(-5)exp(-385.3/k T),Ti基固溶体中的互扩散系数公式为4.1×10~(-2)exp(-285.1/k T),其中,T为扩散温度,k为扩散距离;随着Ti原子数分数的升高,W–Ti合金的β结构稳定性降低。     

W粉粒度对Ti-20%W合金组织和力学性能的影响

以TiH2粉和不同粒径的W粉为原料,通过粉末冶金法制备了Ti-20%W合金,利用金相显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和能谱分析仪对合金的微观组织和成分进行分析,并测定了其显微硬度和抗压强度。结果表明:选用细W粉时,W颗粒与Ti固溶量大,显微硬度值均匀且抗压强度高,强化机理为固溶强化,断口分析表明采用纳米W粉时Ti-20%W合金发生了韧性断裂;而采用粗W粉时,W颗粒与Ti固溶量较少,显微硬度值从W颗粒中心到Ti基体呈现先升高后降低的趋势,抗压强度较差。这说明采用W增强Ti基体时固溶强化比第二相即颗粒强化的效果更明显。     

热等静压技术在高品质难熔金属靶材制备中的应用

随着电子信息产业的快速发展,市场对靶材的质量提出了越来越高的要求。热等静压技术作为一种材料成形及特殊热处理方法,经过多年发展,已成为制备高品质靶材的重要手段。简要介绍了热等静压技术的发展、设备工作原理以及难熔金属靶材的性能要求。重点介绍了热等静压技术在高品质难熔金属Mo、W、Cr及其合金靶材制备中的应用,以及热等静压工艺对其微观组织及溅射性能的影响。     

W/Ti层状复合材料的弯曲断裂行为及其有限元模拟

层状增韧复合材料是提高钨材料韧性的有效方法之一.利用放电等离子体烧结装置在不同温度下连接制备了W/Ti层状复合材料,分析了该复合材料的组织、三点弯曲力学性能和断裂机制,并对其三点弯曲断裂过程进行了有限元模拟.结果表明,Ti韧化层可以有效提高钨材料的韧性,W/Ti层状复合材料的三点弯曲曲线上显示了明显的"伪塑性".W/T...     

烧结工艺对低粘结相硬质合金性能及微观结构的影响

采用粉末冶金法制备WC-0.5Cr3C2-0.5Co和WC-8.2(W、Ta、Ti)C-1.0Co两种合金粉末,以1 480℃/90 min真空烧结工艺和1480℃/90 min/5MPa低压烧结工艺分别制备出WC-0.5Cr3C2-0.5Co和WC-8.2(W、Ta、Ti)C-1.0Co两种无粘结相硬质合金。利用X射线衍射分析技术研究合金的物相,利用扫描电镜与能谱仪对合金微观组织结构进行观察与分析。结果表明:真空烧结工艺制备的合金晶粒细小、硬度高;低压烧结工艺制备的合金致密度较高、晶粒粗大、硬度降低。此外,Ti原子的存在使WC晶界能各向异性,从而造成W原子在粘结相中的各向异性溶解-析出,导致形成少量的板条状WC晶粒。     

国内外磁控溅射靶材的现状及发展趋势

近年来,随着磁控溅射技术的应用日趋广泛,对各种高纯金属及合金靶材的需求也愈来愈大。据此,介绍了磁控溅射靶材的种类、应用及制备情况,指出了目前靶材亟待解决的几个重大问题,并对靶材的发展趋势进行了探讨和展望。     

半导体溅射靶材用超高纯铝及合金研究与展望

介绍了超高纯铝及合金材料在半导体溅射靶材上的应用，总结了制备超高纯铝及合金的提纯和铸造的主流工艺，指出了半导体溅射靶材行业对超高纯铝及合金的技术和品质的特殊要求，并对未来半导体溅射靶材用超高纯铝及合金的发展趋势做了预测。     

纯钨靶在电子轰击下的失效分析

在正常工作的条件下,部分医用X射线管中的纯钨靶表面会逐渐变得粗糙,在粗糙区进一步会出现表面裂纹,但同型号的进口钨靶表面却几乎没有粗糙区和裂纹出现。采用SEM、EDS和化学成分测试等方法,对两种钨靶进行了研究和比较。结果显示,杂质元素的含量偏高和沿晶界的偏析以及不均匀的钨晶粒是造成国产钨靶表面损伤的主要原因。     

国土资源部下达2010年钨矿开采总量控制指标

<正>日前,国土资源部下发了《关于下达2010年钨矿锑矿和稀土矿开采总量控制指标的通知》(国土资发〔2010〕30号),下达2010年全国钨矿开采总量控制指标(主采和综合利用指标合计)为80000t(折合65%WO3),比2009年的68555t增加11445t,增长     

掺杂蓝钨不酸洗工艺的研究

科学分析并研究掺杂钨生产理论 ,充分利用蓝钨掺杂优点 ,在加强工艺改进及管理的基础上 ,采用蓝钨不酸洗工艺生产得到的掺杂钨丝不仅可以保证掺杂钨丝的高温性能及一致性能 ,同时降低了生产成本 ,取得了良好的经济效益。     

磁控溅射制备钛基薄膜研究进展

磁控溅射技术是制备钛基薄膜常用的方法。本文综述了磁控溅射法的基本原理、特点及方法种类,并总结了磁控溅射法制备TiO_2、TiN、TiC薄膜和Ti复合薄膜的最新研究进展,最后展望了磁控溅射技术制备Ti基薄膜的发展方向。     

面向等离子体材料用先进钨复合材料的改性研究进展与趋势

核聚变能是解决未来社会能源危机的有效途径之一，但面向等离子体材料在聚变堆体中面临着来自等离子体严重的辐照和热冲击损伤。纯钨因其高热导率、良好的高温强度、低溅射和低蒸气压而被认为是最有希望的面向等离子体候选材料。纯钨在聚变堆工况条件下具有严重的脆性风险，因而对面向等离子体材料用先进钨材料的改性成为近年来的研究热点。钨基复合材料的改性方法主要包括合金化、第二相强化、纤维增韧和复合强化。本文综述了近年来国内外针对核聚变反应堆面向等离子体材料用钨基复合材料的改性方法及其性能，分析了钨基复合材料的改性机制，并展望了面向等离子体材料用钨基复合材料的发展方向。     

一维纳米结构碳化钨的研究进展

对一维纳米结构碳化钨的最新研究进展进行了综述。系统阐述了一维纳米结构(如纳米管、纳米棒、纳米线和纳米针)碳化钨的制备方法,包括催化气相沉积法、热分解法、磁控溅射法、温度程序反应法、爆炸式加热法和形状记忆法等,总结了一维纳米结构碳化钨的生长机理,探讨了目前存在的问题,并展望了未来的研究趋势。     

从我国钨资源现状谈钨矿处理工艺

概述了中国钨资源的现状及特点，钨矿分解的现行工艺及发展，说明中国钨资源形势已发生结构性变化，钨矿分解技术有了长足进步．但为适应我国钨资源形势的变化，在现有钨冶炼流程的基础上进行技术改造，采用技术先进、对原料适应性强的冶炼工艺已势在必行。     

靶材用钨硅合金的制备工艺

以钨硅混合粉体为原料,通过真空煅烧制备钨硅合金块体,再经破碎、烧结致密化后成功制备出符合半导体使用要求的钨硅靶材。研究了煅烧温度和保温时间对合金块体的物相成分、显微结构、氧含量和碳含量（质量分数）的影响。结果表明,通过高温煅烧合金化可以显著降低材料的氧含量和碳含量,煅烧温度对氧元素的脱除具有重要的影响。最佳制备工艺为1250 ℃煅烧5 h,在该条件下钨硅合金中氧的质量分数可由0.3000%降至0.0121%,材料中的单质钨完全转化为钨硅合金相。     

等离子旋转电极雾化制备钨粉及性能表征

采用等离子旋转电极雾化技术(PREP)制备球形钨粉,利用激光粒度分析仪、氧氮分析仪、扫描电子显微镜(SEM)对钨粉末的粒径分布、氧含量、微观形貌、表面组织进行分析。结果表明：球形钨粉粒度集中分布在45～150μm,呈单峰分布,理论中位粒径85.5μm与实测粒径80μm接近。钨粉氧增量均小于0.001 5%,其中45～150μm粉末比15～53μm的粉末氧增量更低,仅为0.000 38%。15～53μm钨粉表面光洁,几乎无空心粉。钨粉物理性能优异,且粒径在45～150μm的钨粉性能优于15～53μm的。     

溅射法镀二氧化钛薄膜靶材及工艺研究进展

介绍了溅射法镀膜的基本原理，阐述了溅射法镀二氧化钛薄膜用靶材及相应溅射镀膜工艺的研究现状。溅射镀Tio2薄膜用靶材主要有金属钛、二氧化钛和“非化学计量”二氧化钛靶材3大类。由于钛的氧化态及靶材导电性不同，它们对溅射工艺（如溅射气氛等）有一定具体的要求，通过对靶材和相应工艺进行分析比较，指出应用“非化学计量”靶材是溅射法制备二氧化钛薄膜技术发展的重要方向。