霍尔效应的发展及应用

霍尔效应是一种发现、研究和应用都很早的磁电效应。随着半导体物理学的迅速发展,霍尔效应中的霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。本文就此对霍尔效应发展以及应用做简单的论述。     

霍尔效应及霍尔元件在物理量测量中的应用

根据霍尔效应的基本理论,阐明制作霍尔元件的材料的电学性质,探讨利用霍尔效应测量电学量及非电学量的方法.     

基于霍尔元件的大电流测定仪的设计

利用霍尔元件设计一种能测量交、直流大电流的仪器,其基本测量原理是:通过测量被测电流的磁场大小来显示被测电流的大小,磁场大小通过霍尔传感器转换成霍尔电压,再经过单片机处理后在液晶屏上显示。电流测量范围为0.1~500 A,测量精度达3位有效数字。     

霍尔效应乘法器式发电机负荷变送器

介绍利用霍尔效应乘法器构成发电机负荷变送器的电路结构和工作原理。提出了测功电路误差角补偿的新方法——+30°接线补偿法。实践表明:该变送器电路简单、运行可靠、变换精度较高、调试方便,而且功能上的多用性,是本变送器的突出特点。     

铋铜氧化物超导体的霍尔效应

测量了铋铜氧化物超导体的霍尔系数实验结果及其温度依赖性．对不同样品进行了Ｘ射线结构分析，给出了载流子浓度与相结构之间关系．发现，转变温度较低的（２２１２）相样品的载流浓度较高，平均每个ＣＵ离子有０．２１个空穴．     

铋铜氧化物超导体的霍尔效应

测量了铋铜氧化物超导体的霍尔系数实验结果及其温度依赖性．对不同样品进行了Ｘ射线结构分析，给出了载流子浓度与相结构之间关系．发现，转变温度较低的（２２１２）相样品的载流浓度较高，平均每个ＣＵ离子有０．２１个空穴．     

Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1-x)金属-绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3 T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5 μΩ·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景。     

电压源和电流源等效条件的推广

本文对现行电工学教材中关于电压源等效变换条件的内容进行了推广，对教材中一些不准确的说法给予修正，并推导出不同内阻条件下两个电源的等效变换条件，对电路分析具有重要的意义。     

电压源和电流源等效条件的推广

本文对现行电工学教材中关于电压源等效变换条件的内容进行了推广，对教材中一些不准确的说法给予修正，并推导出不同内阻条件下两个电源的等效变换条件，对电路分析具有重要的意义。     

谐振型电流源的研究

本文阐述了谐振型电流源的原理,并对谐振型电流源的有关参数和性能进行了理论探讨和实验研究,旨在探索建立大功率动力用电流源的可能性。     

霍耳效应实验装置的研究与改进

分析了置于磁场中霍耳片电阻增大和易被烧坏的原因,指出TH型霍耳效应实验仪存在的缺陷,并通过设计一条限流电路的方法,起到对霍耳片的保护作用,提高了实验可靠性.     

超稠油管道集肤电伴热效应实验与数值模拟

以辽河油田超稠油管道集肤电伴热工艺为理论依据,建立了超稠油管道集肤电伴热效应物理模型和 数学模型,并采用室内实验与数值模拟的方法对集肤伴热效果进行分析。研究结果表明,通过对实验和模拟数据的 对比,采用软件进行仿真计算是可行的,不仅可以直观地显示超稠油管道内温度场的分布情况,还可为超稠油管道 伴热效果的优化和安全停输时间的确定提供了一定的理论依据。     

关于霍尔元件特性分析及参数的讨论

阐明霍尔元件的输出电压及其特性,对霍尔元件的几个特性参数进行再定义,全面分析零位误差产生的原因.     

电流元的场

应用场的洛仑兹变换,导出静止参考系中运动电荷的场,同时推出著名的毕奥-萨伐尔-拉普拉斯定律。     

论安培力与洛伦兹力的关系

对于安培力与洛伦兹力之间关系的流行解释是不妥的，安培力的实质应是作定向漂移运动的自由电子对产生霍尔电场的电荷的反作用力．     

基于超磁致伸缩效应的光纤电流传感器

基于超磁致伸缩效应的光纤电流传感器是目前研究的热点,在进行理论分析的基础上搭建了以光纤布拉格光栅和超磁致伸缩材料为传感头的电流传感系统,并将实验所得的结果与理论分析的结果进行了比较,得出了可能导致误差出现的原因.