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相似文献
 共查询到7条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
研究了一种带有自检功能的在平面内自限制压阻式加速度传感器.为实现该加速度传感器,提出了一套新的体硅微机械工艺,使用普通硅片取代SOI硅片来制作器件.传感器采用在深槽侧壁(悬臂梁弯曲的表面)制作压阻的方法,灵敏度比在硅表面上制作压阻的传统器件高近一倍.传感器利用集成在内的静电驱动器,实现电自检测功能.  相似文献   

2.
《微纳电子技术》2019,(10):822-827
设计了一种基于绝缘衬底上硅(SOI)片的面内振动压阻式加速度传感器,并针对其交叉灵敏度性能进行了研究,分析得出传感器的灵敏度与压阻微梁的轴向应力呈正比关系,并通过仿真说明该结构形式的加速度传感器具有非常低的交叉灵敏度,对检测方向的输出干扰非常小。进行了工艺加工和实验测试,实验结果表明,该面内振动的压阻式加速度传感器在20℃下,工作方向上的灵敏度为0.67 mV/g,而另外两个非工作方向(x轴和z轴)上的交叉灵敏度分别为7.3×10-4%和6.6×10-4%,对工作方向的加速度检测影响非常小,此结构的设计方法对于高性能的加速度传感器的研究具有重要的参考意义。  相似文献   

3.
高性能模拟集成电路工艺技术   总被引:2,自引:2,他引:2  
介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研完与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。  相似文献   

4.
本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHMB模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。  相似文献   

5.
本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。  相似文献   

6.
5G通信系统向小型化、集成化、低功耗、高性能方向发展,要求5G滤波器性能更高、体积更小。文中将切比雪夫Ⅱ型带通滤波器原型电路进行等效变换,在减少插入损耗的同时在低频端引入两个传输零点;通过合理的空间布局以及对元件连接端口进行阻抗匹配优化,利用元件的寄生参数在高频端引入两个传输零点。从电路原理和三维结构两个方向进行研究,在小尺寸情况下实现了较高阻带抑制和较小带内损耗。设计并加工了GaAs衬底的芯片滤波器,实测表明,仿真结果与测试结果相符,滤波器尺寸仅为1.0 mm×0.8 mm×0.1 mm。  相似文献   

7.
Manganese‐based metal oxide electrode materials are of great importance in electrochemical energy storage for their favorable redox behavior, low cost, and environmental friendliness. However, their storage capacity and cycle life in aqueous Na‐ion electrolytes is not satisfactory. Herein, the development of a biphase cobalt–manganese oxide (Co? Mn? O) nanostructured electrode material is reported, comprised of a layered MnO2?H2O birnessite phase and a (Co0.83Mn0.13Va0.04)tetra(Co0.38Mn1.62)octaO3.72 (Va: vacancy; tetra: tetrahedral sites; octa: octahedral sites) spinel phase, verified by neutron total scattering and pair distribution function analyses. The biphase Co? Mn? O material demonstrates an excellent storage capacity toward Na‐ions in an aqueous electrolyte (121 mA h g?1 at a scan rate of 1 mV s?1 in the half‐cell and 81 mA h g?1 at a current density of 2 A g?1 after 5000 cycles in full‐cells), as well as high rate performance (57 mA h g?1 a rate of 360 C). Electrokinetic analysis and in situ X‐ray diffraction measurements further confirm that the synergistic interaction between the spinel and layered phases, as well as the vacancy of the tetrahedral sites of spinel phase, contribute to the improved capacity and rate performance of the Co? Mn? O material by facilitating both diffusion‐limited redox and capacitive charge storage processes.  相似文献   

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