Sr掺杂BaTi2O5单晶的制备与介电性能研究

采用悬浮区熔技术制备了一种Sr掺杂的二钛酸钡（BaTi2O5）单晶（Ba1-xSrxTi2O5,x=O-0．03）,重点研究了Sr掺杂量对其结构和介电性能的影响。结果表明：成功制备出物相单一、沿b轴方向生长的Ba1-xSkTi2O5单晶;适量Sr掺杂能有效改善Ba1-xSkTi2O5单晶的介电性能,其居里温度随Sr掺杂量的增加稍有降低,而介电常数极大值则呈现先增大后减小的趋势,在Sr掺杂量X=0．01时达到最大值42190。     

ZnO-MgO-TiO_2-SnO_2系高频介电陶瓷的制备与介电性能

在ZnO-TiO2-SnO2陶瓷基础上,掺杂MgO得到(1-x)ZnO-xMgO-0.88TiO2-0.12SnO2系新型介电陶瓷。对其相转变、微观组织结构和高频介电性能进行了研究,结果表明,在不加入任何烧结助剂情况下,试样可于1 080℃达到烧结,其相对密度为94.4%;当x=0.05时,陶瓷为纯相尖晶石结构(Zn0.95,Mg0.05)2(Ti0.88,Sn0.12)O4,其介电性能优良,1 MHz时ε=18.88,tanδ=5×10-4,τε=2.89×10-6/℃,可用作高频电容器材料的优秀候选材料。     

细晶Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷材料的制备与介电性能

采用改进的Sol-gel工艺和传统烧结技术制备了晶粒尺寸在0.15～10μm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷,观察了样品的显微结构,并对样品的介电性能进行了测试,分析了晶粒尺寸对材料介电性能的影响.实验结果表明:改进的Sol-gel工艺和两步烧结法可以有效地控制Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷的晶粒尺寸.晶粒尺寸的降低,材料的介电常数也随之下降,介电峰呈现明显的铁电-顺电弥散相变;但当陶瓷的晶粒尺寸＜1 μm,介电常数出现峰值,铁电相变温区变窄.     

钛锡酸锶钡Ba1-xSrxTi0.90Sn0.10O3陶瓷的结构与介电性能

采用传统陶瓷工艺制备了一系列的钛锡酸锶钡Ba1-xSrxTi0.90Sn0.10O3陶瓷.通过X射线衍射分析了样品的相结构,采用扫描电子显微镜描述了样品的形貌.还研究了介电常数和介电损耗随温度和电场的变化.试验结果表明:用传统的固相反应法制备的钛锡酸锶钡陶瓷的相结构为钙钛矿结构.随着烧结温度的提高,介电常数的峰值呈显著增加,介电损耗在铁电区增加但在顺电区没有明显变化.当Sr的掺入量为14%时得到最大的可调率为82.6%.     

Ba添加方式对PZN基陶瓷介电性能和结构的影响

采用两种不同的添加方式,研究了Ba2 部分取代Pb2 所获得的PZN基铁电陶瓷的结构和介电性能.一种是BaCO3、PbO和ZnNb2O6进行预合成,然后烧结制备PZN基陶瓷;另一种是ZnNb2O6先分别与BaCO3、PbO进行预合成,然后再将两种预合成产物进一步烧结制备PZN基陶瓷.实验结果表明:随Ba2 取代量的增加,不同添加方式制备的陶瓷其钙钛矿相的稳定性增强;介电性能先上升然后又下降,相变温度Tm移向低温.比较Ba2 的两种不同添加方式,前者制备的陶瓷具有相对较低的Tm值和较小的晶粒尺寸,添加8mol%的Ba2 即可获得100%的钙钛矿结构;而后者为获得100%的钙钛矿结构则需要25mol?2 .     

(Ba_(1-x)Sr_x)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷微结构对介电性能的影响

采用传统的固相烧结法制备(Ba1-xSrx)(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究微结构对介电性能的影响.随着系统中Sr2+含量的增多,介电常数和温度系数发生异常呈现非线性变化,这是由于氧八面体的畸变而导致的相转变造成的,相转变的发生相应影响了极化以及极化模式.相转变及氧八面体畸变对介质损耗没有明显的影响,介质损耗受到Sr2+含量及烧结温度的影响较大.     

溶胶凝胶法制备钛酸锶钡(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷及其介电性能的研究

采用硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯和柠檬酸为原料的配合物溶胶凝胶方法制备了(Ba1-xSrx)TiO3(BST)陶瓷.实验结果表明,BST粉体合成温度及烧结温度分别为700及1250℃,均低于传统工艺的相应温度. Sr含量x≥0.40,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷的相结构为立方钙钛矿相;Sr含量x＜0.40,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷的相结构为四方钙钛矿型. (Ba1-xSrx)TiO3(0.5≤x≤0.70)陶瓷的电容率随温度变化曲线,说明存在由铁电四方相到顺电立方相的相变.且随锶(Sr)的摩尔量x的增加,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷样品的相变温度向低温方向移动,相变温度Tc的移动关系为Tc=394.1-272.6x(K).     

MnO2对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3微观结构和微波介电性能的影响

研究了MnO2助烧剂对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的微观结构和微波介电性能.MnO2可以有效地使Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的致密化温度由1550℃降低到1400℃左右.随MnO2掺量的增加,Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的12超晶格衍射峰的强度减弱,但是没有第二相出现.1400℃烧结4h陶瓷的晶粒尺寸在1.5μm左右.MnO2的掺入改善了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的微波介电性能,MnO2掺量为1%mol的Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷具有最好的微波介电性能εr≈31.5,Qf=68000,τf=3.11×10-5/℃,这可归功于陶瓷具有相当高的相对密度.     

氧化硼掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷致密化及介电性

研究了氧化硼(B2O3)掺杂量及烧结温度对钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3，x=0～0．4)致密化行为及其微观组织的影响，确定了不同成分钛酸锶钡中氧化硼掺杂量．随后，采用一系列Ba1-xSrxTiO3掺杂粉体，烧结制备了钛酸锶钡梯度陶瓷，并测试了其介电性能．结果表明，钛酸锶钡掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度，在1300℃即可烧结致密化，比未掺杂相同成分的钛酸锶钡陶瓷烧结温度至少降低100℃；烧结后各成分单层陶瓷与梯度陶瓷介电性能随温度的变化表明，梯度组成陶瓷的居里峰温度区间显著展宽，大大降低了该温区的介温系数，可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性。     

PMN-BT陶瓷的介电性能和相变温度

制备了一系列PMN－BT陶瓷,系统地研究了BT含量的变化对介电性能和相变温度的影响。PMN－BT陶瓷的相变温度与组成吴“U”型变化曲线,相变温度的异常化是由于系统中存在Ba(Mg1/3Nb2/3)O3顺电微区所致。PMN－BT陶瓷的介电驰豫特性随BT的增加经历了一个由弱变强,再由强变弱的过程,对由两种钙钛矿化合物构成的铁电固溶体相变温度的变化规律进行了讨论。     

Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-PbTiO_3-Ba(Ti_(0.85)Sn_(0.15)O_3陶瓷的晶相组成与电性能

本文合成并研究了 Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-Ba(Ti_(0.85)Sn_(0.15))O_3(PZN-PT-BTS)陶瓷的晶相组成及其介电、压电和铁电性能。Sn~(4+)离子的存在,使 PZN-PT-BTS 陶瓷晶粒难以具有完全的钙钛矿结构。微量焦绿石的存在,对其电性能的影响并不很大。PZN-PT-BTS 具有良好的介电、压电和铁电特性。     

BaO-Ln2O3-TiO2体系微波介质陶瓷的成分与结构的关系

BaO-Ln2O3-TiO2体系高介电常数微波介质陶瓷属于类钙钛矿鸽青铜结构,其固溶体分子式为Ba6-3x-Lns 2xTi18O54.分析了结构中占据A1、A2位的离子种类及占有率随x值的变化规律.当x=2/3时,Ba2 离子和Ln3 离子分别占据A2位和A1位,离子占位处于有序状态,因而陶瓷的损耗最小.     

Co掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜介电性能的影响

利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%(摩尔分数)的(Ba0.6Sr0.4) Ti1-xCoxO3薄膜.研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系.薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少,在摩尔含量10%时达到最小值0.0128.FOM值在摩尔含量为2.5%达到最大值20,它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639.42、0.0218、43.6%.     

PHASES AND PROPERTIES OF SYSTEM Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3—PbTiO_3 —Ba(Ti(0.85)Sn(0.15))O_3

本文合成并研究了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-Ba(Ti_(0.85)Sn_(0.15))O_3(PZN-PT-BTS)陶瓷的晶相组成及其介电、压电和铁电性能。Sn~(4+)离子的存在,使PZN-PT-BTS 陶瓷晶粒难以具有完全的钙钛矿结构。微量焦绿石的存在,对其电性能的影响并不很大。PZN-PT-BTS 具有良好的介电、压电和铁电特性。     

铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷介电与压电性能的研究

用二步合成法制备了（１－ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３原料,并制成了纯钙钛矿结构压电陶瓷。研究三方－四主相界附近组份及工艺与性能的关系。材料以１２００℃附近保温１５０ｍｉｎ为佳。材料性能表明,有希望成为新型压电陶瓷。     

溅射工艺参数对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜沉积速率和介电性能的影响

铁电/介电BST(BaxSr1-xTiO3)薄膜在微电子学、集成光学和光电子学等新技术领域有广泛的应用前景.用射频磁控溅射方法制备了厚约700 nm的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,采用Al/BST/ITO结构研究了溅射功率、溅射气压、O2/(Ar O2)比和基片温度对上述BST薄膜沉积速率和介电性能的影响,并根据这些结果分析了较优的工艺条件,同时用XRD、XPS和SEM研究了薄膜的晶相、组成和显微结构.     

新型钙钛矿型铁电陶瓷BSPT研究进展

(1-x)BiScO3-xPbTiO3(BSPT)是一种新型钙钛矿型结构的铁电体.BSPT体系在x=0.64附近有三方相和四方相的准同型相界(MPB).BSPT陶瓷的制备主要采用传统的电子陶瓷制备方法,包括常压法和高压法.BSPT陶瓷具有优良的介电和压电性能,居里温度Tc比Pb(Zr,Ti)O3(PZT)的高.综述了近年来对BSPT陶瓷的研究进展,重点介绍了邻近MPB的0.36BiScO3-0.64PbTiO3铁电陶瓷的性能.同时还介绍了掺杂对BSPT陶瓷的影响.     

YBa2Cu3O7—x超导材料的水解性质

以 Y_2O_3-BaO-CuO 三元系制备的 YBa_2Cu_3O_(7-x)超导材料对水和水蒸汽很敏感。超导相 YBa_2Cu_3O_((?)-x)与水的作用随温度升高而迅速增强,通常的水解产物为 Ba(OH)_2、Y(OH)_3和 CuO。这种性质起因于晶体结构的不稳定性,因为在这类钙钛矿型的超点阵结构中存在很多氧空位。室温下,YBa_2Cu_3O_(7-x)相与水的作用较弱,而杂质相 Ba_4Y_2O_7和 BaCuO_7等可与水迅速产生反应并释放热量,从而导致 YBa_(?)Cu_3O_(7-x)脱氧、水解。     

La掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7陶瓷组织和介电性能的影响

研究了La3+取代的(Bi1.5Zn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7基陶瓷(Bi1.5-xLaxZn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7(0.0≤x≤1 2,BLZNT)的结构与介电性能。采用传统的固相反应法制备了陶瓷样品,用XRD、SEM分析了样品的组织。在整个取代范围内,La3+取代的样品基本保持单一烧绿石相,稳定范围由容忍因子(RA/RB值)来确定;同时,随着La3+取代量的增加,晶胞常数先增后减。介电性能随结构变化而变化,其中介电性能为:ε=130～170,tanδ=～0.9×10-3(1MHz),并且掺杂La优化了BLZNT x样品高频端(>100kHz)的频谱特性。     

多功能铁氧体和磁流变液结合的新型声学与振动控制器件

简要报道了一种由多功能铁氧体Ba6-xR2x(Nb1-xFe2 x)O3等和磁流变液(magnetorheologicalfluid)结合的新型声学与振动控制器件(模型)的初步研究情况.同时,也指出了它们多方面的重要应用及需要进一步研究的问题.