高性能单片存贮器

本文包括三篇译文: (1)“高性能单片存贮器”——介绍IBM360/85系统等应用的高速双极缓冲存贮器的系统考虑、逻辑型式以及外围电路和使用情况。 (2)“64位平面双扩散存贮器芯片”——介绍上述存贮器所用的双极存贮芯片、工艺结构,布线图形和器件性能。 (3)“一种新型高性能双极单片存贮单元”——介绍上述存贮器阵列单元的电路原理、工艺图形设计及性能参数。     

一台紧凑的166,OOO数位的磁膜存贮器

本文介绍一台166,000数位的磁膜存贮系统的原理、设计和工作特性。虽然这台紧凑的存贮系统是专门为航空上的应用而设计的,它是导航和控制计算机的一个主要部份,但该设计也适用于其它的军用控制计算机。这台随机取数、并行读出、字选择法的存贮系统包括一台256字,24位的破坏读出的存贮器和一台6656字,24位的非破坏读出的存贮器。在程序下的循环时间为3.0微秒,取数时间为0.7微秒。这台存贮器被设计成在没有温度补偿,以及冲击和震动都相当严重的条件下还能可靠地工作。磁膜存贮元件所固有的装配技术已经能够制成一个包括选择线路在内的存贮体,其重量是16磅,体积大约是0.2立方呎。线路的装配保证了结构紧凑和维护方便。整个存贮系统包括全部联接线路在内需要的功率为50瓦。     

计算机存贮器的可能发展前途

本文从原理上、工艺上和经济上估算了各类磁存贮器的速度和存贮容量可能达到的极限。对于微型铁氧体和磁膜,在4096个字的存贮容量下,循环时间的极限是100毫微秒。任何一种磁存贮器,在经济上合理的情况下,可能获得的最大容量是几百万位。隧道二极管存贮器能够获得15毫微秒的循环时间,而超导体存贮器可以有几十亿位的存贮容量,它们都超出了磁存贮器的极限。     

高性能LSI存贮器系统

已设计一种随机存取读/写存贮器系统,以满足高速存贮应用的多种需要。包括存贮器体系中的暂存存贮、控制存贮器和缓冲存贮器。基本产品是一种1024字×9位的存贮器卡片式扦件,取数时间为40nS,周期时间为80nS。它合并所有地址缓冲和译码、输出读放和输出互锁电路构成一个完整的功能存贮部件。特点包含每位6mW的低功耗,每平方英时200位     

180-CXA型快速磁芯存贮器

<正> 概述 本文介绍一种以8K×18位为基本存贮模块组成的快速磁芯存贮器——180-CXA型磁芯存贮器。 180-CXA型磁芯存贮器是作为180系列计算机主存贮器而研制的。每四个基本存贮模块组成一个32K×18位的存贮体,其组织形式采用了内部总线的连接方式。结构上实现了插件式平面化结构,生产、调试和维护都很方     

80386DRAM存贮体的设计

一、前言80386 32位微处理器可与静态 RAM(SRAM)、动态 RAM(DRAM)和高速缓冲存贮系统进行接口。由于 DRAM 存贮器在访问和周期刷新之间需要预充时间,所以 DRAM 存贮器的数据传送速度往往要低于 SRAM 存贮器。然而 DRAM 存贮器具有以低价格构成大容量存贮系统的特点,因而得到了广泛的应用。     

计算机存储器方面的新发展

一、叠片铁氧体存贮器——这是由嵌入了导线的铁氧体薄片构成的一种随机取数磁存储器。这种存储器系采用简单的一次烧结生产技术——铁氧体叠片技术而制成的。达种制造方法可以在不到(1/4)时见方的面积中存入128个数位,即共有16个字,而每字8位。     

微程序存贮器的结构

微程序设计的中心问题是控制存贮器的结构——用来存贮被执行的微程序。该存贮器的结构,对目标机实现的经济性(时间和存贮空间),对主机结构的复杂性,以及对微程序没计的能力都有很大的影响。本文介绍控制存贮器结构的一些样式,包括微指令字的结构以及不同定时方案对控制存贮器和主机结构复杂性的影响。     

一种耐高温的存贮器

美国Controlex公司研制出一种可在200℃高温下进行读与操作的非易失性磁芯存贮器,这种称为“Hot T”的128型磁芯阵列存贮器包含64个8位字,采用独立的电子包装,可以移到主机外面进行数据恢复。     

785 MOS主存模块的设计

<正> 一、引言在大型计算机及巨型计算机系统中,随着运算速度的日趋提高,对主存贮器的要求越来越高,不但要求容量大,而且要求速度快。785计算机主存容量达200万字,数据传送速率达40M 字/秒。为了达到上述目的,主存系统通常采用多存贮体、多模重迭操作、多总线访问、多字读出等技术。一般说来,多存贮体只能扩充存贮器的容量,只有在存贮体的基础上配上控制电路形成独立的存贮器(即存贮模块)时.才有可能采用多模     

MAS-ROM-可以用电的方法重新编存程序的带译码器的只读存贮器

简介——本文对在芯片上进行X-Y矩阵译码的金属一氧化铝-硅(MAS)只读存贮器的电特性和可靠性进行评价。MAS只读存贮器利用栅绝缘物薄膜中的所谓电荷存贮现象,是可以反复用电编存程序和不易失信息的集成电路存贮器组件,其中一位存贮单元。仅由一个N沟道增强型MAS晶体管组成。有选择地从沟道注入电子使晶体管阀值电压增大,而在栅极外加大的负电压使阀值电压减小。可靠性试验表明长期衰减对时间呈对数依赖关系,在150℃栅压为+10伏下,每10年存贮时间的衰减斜率为0.7伏。 使用由一台中型计算机、一个命令输入键盘、一组舌簧开关板和一台存贮型阴极射线管图解输出装置组成的人-机相互会话操作系统,对MAS只读存贮器进行鉴定。为证明MAS只读存贮器是切实可行的,以一个4 K字节的只读存贮器系统作为一台小型计算机微程序存贮器的样机进行了评价,其取数和周期时间为150毫微秒。     

存贮管理模拟系统的设计与实现

本文给出了一种存贮管理模拟系统的设计与实现方法。该模拟系统的外部特性与真实系统基本一样。存贮分配算法采用首次适应法。用“拼接”和“搬家”技术来处理存贮器碎片。     

数据磁盘存贮器技术

现代计算机要求在最短时同里存贮大量的数据。这就需要我们设计多种用数字磁记录技术能随意存取信息的外部设备。这些设备中最普通的一种是采用镀有很薄一层磁性材料的扁平而薄、转速又快的盘。 磁盘数据存贮器的容量范围,从每条磁道一个磁头的小容量存贮器可存信息10~5位(二进制)到大容量存贮器可存10~8位以上。现有     

光盘存贮器浅释

一、概述光盘存贮器是继磁盘存贮器之后一种新型的激光信息存贮器装置。它是根据磁盘高速随机存取技术和激光的高记录密度特性而研制的。光盘存贮器尽管与磁盘存贮器有很大的差别,但它能很简单地以现有的磁盘存贮系统的设计为基础来进行设计。     

高速存取的磁心存贮系统

本文讨论了使用现有的矩磁铁氧体磁心的存贮系统之改进。使得存取周期自一般的6至10微秒降低到小于2微秒。文中重点探讨了字选型每位两个磁心的方案,最有希望的方案是采用部份磁通反转的系统。已研制出1024个字52位数的存贮系统,其周期约为1.6微秒。在较小的,例如100个字,存贮器中可能使存取周期减到近0.6微秒。     

100毫微秒周期时间的集成MOS晶体管联想存贮器系统

引言 自从采用MOS晶体管集成电路作为联想存贮器记忆单元的研究结果公布以来,128字每字48位的联想存贮器已经实验和设计。 本文讨论采用MOS晶体管工艺的全集成     

TTL中规模集成电话及其应用(第八讲)

<正> 二、只读存贮器(一)结构与参数1.结构因为双极型只读存贮器(ROM)的信息是预先写入的,一旦写入后,其内容就不能改变了,所以工作时只能读出信息。它不象随机存贮器那样,要用较复杂的双稳态电路作为存贮单元,而ROM可用熔丝、三极管、二极管等作为存贮元件。它是通过究竟是设置还是不设置存贮元件来表示存入的信息是“0”还是“1”的。这样,ROM的结构就要比RAM简单得多。其价格也比RAM要便宜。ROM一般采用多位结构     

一种高效的存贮信息保持系统

半导体随机存取存贮器RAM断电后,信息即消失.在工业控制机中为了将有用信息能够可靠地保存在存贮器RAM中,可采用后备电池作为存贮系统的备用电源,以维持存贮器中原有的信息.本文介绍一种适用于插件板并能终身免维护、体积小、成本低、性能可靠的存贮信息保持系统.该系统包括镍镉充电电池、电源充放电线路及存贮芯片.     

英国EMI公司出售薄膜存贮器

EMI电子公司宣称,他们已制成首批薄膜存贮系统,并开始出售。这种存贮系统可用于最快的计算机和现在使用的数据处理系统。 存贮单元或位是断续的镍铁合金点,这些点是用高度真空的方法蒸发在玻璃板上,其厚度达1000埃。驱动线和读出线用光学方法腐蚀在一对毛玻璃板上,它和插入的磁性单元一起表示64字的平面板,每字50位。     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。