NpnN型InGaAsP/InP异质结晶体管和nN型InGaAs/InP异质结

在77K°的低温下NPnN型N-InGaAsP(E)/P-InGaAs(B)/n-InGaAs(C_1)-N-InP(C_2)双极型晶体管的伏安曲线族显示出一个较大的开启电压V_(on)≌0.8伏。这个开启电压起源于收集区耗尽层中n-InGaAs(C_1)/N-Inp(C_2)同型异质结导带尖峰在低温下对电子的阻挡效应。对n-InGaAs/N-InP同型异质结的测量表明在室温下nN结呈现欧姆特性,当温度降至77K时则表现为非欧姆特性,整流比为5:1。     

InP异质结晶体管

提出了准平面构成的InP HBT新结构，用Si离子注入在半绝缘InP：Fe上形成隐埋n型区来代替通常采用的外延n型收集区，可有效降低器件的高度，减小寄生参数，提高器件的可靠性，测量结果表明，晶体管的hfe=100,VCE=3-4V,fT=10GHz。     

InP异质结晶体管

提出了准平面构成的InP HBT新结构。用Si离子注入在半绝缘In P:Fe上形成隐埋n型区来代替通常采用的外延n型收集区,可有效降低器件的高度,减小寄生参数,提高器件的可靠性。测量结果表明,晶体管的h_(fe)=100,V_(CE)=3～4V,f_T=10GHz。     

基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.     

基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.     

用氧化镉(CdO)做宽发射区的磷化铟平面型扩散晶体管

本文提出了一种新型的异质结双极型晶体管.该管的收集区和基区由磷化铟材料做成.和硅平面晶体管类似,管子的基区采用一般的氧化层(Al_2O_3)掩蔽扩散工艺(在这里是锌扩散).而管子的发射区则采用溅射氧化镉簿层的方法形成,因而管子的结构是平面型的.氧化镉是一种宽禁带(Eg=2.3eV)的N型半导体.氧化镉和磷化铟组成了晶体管的宽发射极.本文介绍了制管工艺.给出并分析了晶体管的伏一安特性.初步结果是:晶体管共发射极电流增益h_f_a=10(I_C=50mA,V_(cr)=15V).发射极一收集极间的击穿电压BV_(CED)=30V.这种晶体管及其工艺为InGaASP/InP器件及其光电集成制作提供了一条可能的新途径.     

GaAsSb/InP异质结晶体三极管

当 x～ 0 .5时 ,Ga As1 - x Sbx 的晶格与 In P衬底匹配 ,其带隙为 0 .72 e V,可用于 In P衬底上的异质结晶体三极管的基区材料。最近的实验结果表明 Ga As0 .5Sb0 .5/In P的能带为 型异质结构 :Ga As0 .5Sb0 .5的导带位于 In P导带之上 1 80 me V,其价带位于 In P价带之上 76 0 me V,该价带偏置几乎是 In Ga As/In P(378me V)的两倍 ,这种大的价带偏置有效地阻止了空穴重注入到发射区 ,并且更重要的是其导带偏置使得电子以弹道方式从 Ga As0 .5Sb0 .5基区发射到 In P集电区。因此 ,从能带工程的角度分析 ,Ga As0 .5Sb0 .5…     

InGaAsP/InP双异质结激光器的研究

近年来,激光通讯技术在国内外迅速发展。作为长波长激光通讯光源的InGaAsP/InP激光器也在不断改进,目前国际上已开始进入实用化阶段。我们从1979年开始研制InGaAsP/InP双异质结激光器,同年实现室温脉冲激射,今年10月初做出18℃下连续激射的样品,11月份实现了室温以上连续激射。器件波长为1.1μ,连续工作温度最高可达40℃以上,室温连续激射阈值电流最低可低于200mA。目前正在进行加电工作试验,20～25℃下连续工作已超过500小时,未见失效,这一工作还在继续之中。本文分三个部分报告InGaAsP/InP双异质结激光器的研制情况。     

InGaAsP/InP双异质结激光器的制备

本文介绍InGaAsP/InP双异质结激光器的各种制管工艺,重点介绍隐埋条形和扩散条形的结构和工艺。     

ft =203GHz的超高速InP/InGaAs双异质结晶体管

为了适应数字及模拟电路带宽的不断增加,我们在传统的台面结构基础上利用BCB钝化平坦化工艺技术,设计并研制了InP/InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。我们研制的晶体管ft达到203GHz,是目前国内InP基DHBT的最高水平,发射极尺寸为1.0μm×20μm,电流增益β为166,击穿电压为4.34V,我们的器件采用了40nm高掺杂InGaAs基区,以及203nm含有InGaAsP复合式结构的集电区。该器件非常适合高速中功耗方面的应用。     

高性能六边形发射极InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

六边形发射极的自对准In Ga P/ Ga As异质结具有优异的直流和微波性能.采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管,VCE偏移电压小于15 0 m V,膝点电压为0 .5 V(IC=16 m A) ,BVCEO大于9V,BVCBO大于14 V,特征频率高达92 GHz,最高振荡频率达到10 5 GHz.这些优异的性能预示着In Ga P/ Ga As HBT在超高速数字电路和微波功率放大领域具有广阔的应用前景     

高性能六边形发射极InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

六边形发射极的自对准InGaP/GaAs异质结具有优异的直流和微波性能.采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管,VCE偏移电压小于150mV,膝点电压为0.5V(IC=16mA),BVCEO大于9V,BVCBO大于14V,特征频率高达92GHz,最高振荡频率达到105GHz.这些优异的性能预示着InGaP/GaAs HBT在超高速数字电路和微波功率放大领域具有广阔的应用前景.     

基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT

报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.     

基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT

报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.     

高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管

利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管（DHBT），分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAs DHBT的直流特性差异．研究结果表明，利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性，并进一步分析了其具有良好高温特性的机理．     

高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管

利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAs DHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理.     

X波段功率异质结双极晶体管

讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。     

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;     

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;     

SiGe异质结微波功率晶体管

本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。