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采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响.其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10 min的热退火.通过对实验测得的光致发光谱的分析,给出了不同注入离子对n型GaN蓝光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱,进而确定蓝光发射起源于注入离子引入的间位缺陷. 相似文献
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O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用光致发光(Photoluminescencc,PL)谱的测量,研究了1012~1017cm-2的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射(Yellow luminescence,YL)的影响,注入后的样品在流动N2的保护下进行退火,退火温度950℃,退火时间30 min.对比相同剂量下N离子注入GaN黄光发射,结果表明O、C两种离子的注入在GaN中分别引入了与黄光发射相关的不同的深能级中心,当C离子注入剂量高达1017cm-2时,能引起黄光发射的C相关的深能级中心显著增多. 相似文献
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40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性.结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220 nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来.He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放.此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680 nm和930 nm的两个光致发光带.该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关. 相似文献
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GUO Bing LI Zhi-Hong LIU Wei-Ping BAI Xi-Xiang LIAN Gang YAN Sheng-Quan WANG Bao-Xiang ZENG Sheng SU Jun LU Yun 《中国原子能科学研究院年报》2004,(1):56-57
利用Nanoscope Ⅲa型原子力显微镜(AFM),在纳米级尺度上,对上年度得到的不同剂量的^7Li离子辐照DNA分子后产生的DNA碎片进行了观测。得到了不同剂量(2,4,6,8和10Gy)下DNA碎片的长度分布以及DNA碎片的平均长度随剂量的变化曲线,并用形式为α+bx+cx^2的二次多项式对平均长度的分布函数进行了拟合。 相似文献
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本文对磷离子能量在0.5—7.5MeV、剂量在2.0×10~(12)—1.0×10~(13)/cm~2范围内注入硅中的载流子剖面进行了研究,发现在此条件下,n型磷载流子剖面是由两个只有不同偏差σ_(tront)(σ前)和σ_(back)(σ后)的高斯分布相连接组成的。根据实验所得剖面特性,提出了多次迭加形成平坦剖面的方法。用这种方法结合SiO_2膜屏蔽和调整注入离子能量、剂量,能够获得各种有特殊要求的载流子浓度剖面。为了得到好的可控性和可重复性,采用了瞬态退火技术。透射电镜分析表明:在我们所用退火条件下,剩余缺陷并未出现。这种迭加注入已应用于特种器件研制中,试制出的产品获得令人满意的结果。 相似文献
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离子注入Cr、Y、Nb对γ-TiAl金属间化合物高温氧化性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用MEVVA离子源将Cr、Y、Nb离子分别注入γ -TiAl金属间化合物 ,注入能量 50—6 0keV ,注入剂量为 1× 10 17cm- 2 ,研究γ -TiAl在 10 0 0℃空气中的循环氧化行为。结果表明 ,Cr离子和Y离子注入对γ -TiAl的高温氧化性能均没有明显影响 ;Nb离子注入γ -TiAl,在氧化初期 ,抗氧化性能得到显著提高 ,但随着氧化过程的继续 (超过 10 0h) ,这种改善作用逐渐降低。实验发现 ,通过离子注入和基体合金化向γ -TiAl中加入相同元素 ,由于工艺过程的差异 ,对其高温氧化性能的影响不同。在长时间高温氧化 (10 0 0℃ )条件下 ,离子注入表面改性无法达到提高γ -TiAl抗氧化性能的目的 相似文献
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^5He在中子诱发的核反应中发射的可能性在理论上已被论证。^5He不稳定,自发崩裂为1个中子和1个仅粒子。在总中子出射双微分谱中,考虑从^5He发射得到的中子可改善低能谱与实验测量数据的符合。此外,计算结果显示,在n+^11B反应中,预平衡发射是^5He发射的主要机制。对于n+^11B核反应,在更新的模型参数和更新的能级纲图下,对^5He发射做了细致的讨论。 相似文献
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《核电子学与探测技术》2018,(4)
基于光致发光个人剂量监测系统In Light200,对1~100 m Gy辐照剂量范围内的食盐进行光致发光测量,分析了其光致发光信号的线性响应以及信号的稳定性;探究了不同自然光照时间和不同储存时间对食盐光致发光信号的影响。实验结果表明:食盐在1~100 m Gy辐照剂量范围内具有良好的线性响应和信号稳定性;信号在10 min的自然光照时间后降低到本底水平;信号在30 d的储存时间内几乎无衰减;食盐可用作辐射事故中验证重建的剂量材料。 相似文献
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报告了高分辨率N型HPGe同轴探测器的研制结果;在固定的离子能量,束流密度和注入角度条件下,研究了探测器外侧P-N结的反向V-I_L特性与注入剂量的关系。实验结果证明,较高注入剂量可以稳定地得到好的探测器,当注入剂量达到1.8×10~(15)B~-/cm~2时,探 相似文献
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沉积在云母片上的纯C60薄膜受20keV的Li+和N+2离子轰击,剂量在0.5×1016/cm2~5.0×1016/cm2之间改变,测量了离子注入后C60薄膜方块电阻随温度的变化,进而推导出C60薄膜电导率随温度和注入离子剂量的变化;分析了非原位测量中氧元素对电导率变化的影响以及能量较高的注入离子对C60薄膜的辐照损伤效应。研究结果表明,Li+注入对C60薄膜电导率的影响明显高于N+2注入的影响,并给出了不同离子注入条件下C60薄膜电导率随温度变化的函数关系式。 相似文献
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研究了异丙氧基杯[4]冠-6(简称iPr-C[-4]C6)/正辛醇的萃取性能,主要考察了酸度、模拟高放废液对萃取铯离子以及主要锕系元素和锝的影响,初步研究了辐照剂量对iPr-C[4]C6/正辛醇萃取铯离子的影响。研究表明:水相中无模拟料液时,酸度对iPr-C[-4]C6萃取铯离子的影响较大;除钾离子外,其它共存离子对萃取铯离子的影响较小;有模拟料液存在情况下,酸度的影响较小,而稀释倍数影响较大;辐照剂量小于10^5Gy时,体系对铯离子萃取无明显影响。在硝酸溶液中,萃取体系对锕系元素的萃取率很低;有模拟料液时,除镅和锝外。其它元素的分配比明显升高。 相似文献
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电离辐射致DNA损伤的程度受到很多因素的影响,如剂量、剂量率、射线种类、DNA浓度等。北京师范大学周宏余课题组利用电子顺磁共振谱仪测量了不同电荷态的低能C离子辐照丙氨酸薄膜后产生的自由基浓度,实验结果发现,当离子注量达到10^13cm-2时,随着离子电荷态的增加,产生自由基相对浓度减少。 相似文献
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当金属或金属化合物表面受到低能(如10keV)粒子轰击时,在发射的许多二次离子中存在着由多原子构成的带电集团,叫离子簇。由于组分不同,又称聚合离子或分于离子。例如,纯金属靶则会溅射出M_n~±(n=1,2,3…);合金靶产生Cu_mBe_n~+(n,m=1,2,…);化合物靶特别是金属氧化物材料则放出M_nO_m~±(n,m=0,1,2…)。其发射强度、离子簇种类的多样性以及多原子离子的结构令人吃惊和费解,引起了理论和实验物理学家很大的兴趣。目前,人们正 相似文献
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本实验采用不同剂量低能N^+注入小麦种子,研究种胚在萌动的不同阶段反转录转座子WIS2-1A的表达活动,分析低能N^+注入对WIS2-1A表达的时间效应和剂量效应。结果显示种子培养初始的60 h内,室温对照组、真空对照组、0.5×10^17 N^+/cm^-2注入组和1.0×10^17 N^+/cm^-2注入组的种胚中,反转录转座子WIS2-1A始终维持低水平的表达,且随着种子培养时间延长,表达活性显著下降。经过0.5×10^17N^+/cm^-2处理的小麦,在培养30 h时,种胚内WIS2-1A的相对表达量最高,达到对照的138倍。该发现表明反转录转座子WIS2-1A可能在低能离子束对当代小麦的诱变效应中起一定作用。掌握WIS2-1A对不同剂量低能N^+注入的敏感性和它的表达活动规律,能够为低能离子注入生物有机体产生诱变效应的理论研究提供基础。 相似文献
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甲状腺癌病人接受大剂量131I治疗后常见副作用的调查研究 总被引:3,自引:0,他引:3
分化良好的甲状腺癌病人预后较好,但大剂量放射性^131I治疗后会给病人带多方面的副作用,本文研究了甲状腺癌病人接受大剂量^131I治疗后,常见副作用的发生及其与累积治疗剂量间的关系。根据^131I治疗后常见的副作用。选择了10个问题建立标准问卷,由高年资的核医学医师对病人进行随访,对问卷回答结果进行分析比较,结果表明,涎腺炎的晚期症状和严重的口干症状与^131I治疗剂量大小密切相产。研究提示,在治疗过程中要采取一些必要的方法, 尽可能减少副作用的发生,以提高病人的生活质量。 相似文献
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为了揭示低能重离子注入食用菌的剂量效应关系,采用15 keV不同注量(0、2、4、6、8、10、12、14)×1015 cm-2的低能氮离子对3种食用菌的分生孢子进行辐照处理,研究不同剂量重离子对食用菌的刻蚀作用、存活率、平板培养菌丝体长势、摇瓶发酵菌丝体生物量及多糖含量的影响.结果表明,低能重离子注入对食用菌分生孢子... 相似文献