碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的研究

使用CVD技术提高纤维增强陶瓷基复合材料的密度是很困难的,因为它很难使反应气体完全渗入到基体里面.这是由于"瓶颈"效应所致,即CVD过程阻塞了基体表面的小气孔,进而封闭了通向大气孔的入口.为此,提出一种新的方法位控CVD(PCCVD),来克服上述困难.通过控制反应气体通道位置和试样的加热位置,从而达到控制沉积位置,使沉积界面始终处于开孔状态.使用PCCVD技术制造的C/SiC复合材料,实际密度可达其理论密度的96%.     

MPCVD合成β—C3N4晶态薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），以Ｎ２，ＣＨ４作为反应气体合成碳氢膜。通过控制反应温度，气体流量，微波功率，反应气压等工艺条件在Ｓｉ和Ｐｔ基片上，进行β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜的合成研究。扫描电镜下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜晶有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜下观察到在Ｐｇ基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。     

MPCVD法在Si衬底上生成β—C3N4晶态薄膜的研究

以Ｎ２,ＣＨ４作为反应气体,采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）进行碳氮膜的合成研究。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压,在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基底上气相合成β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜。扫描电子显微镜（ＳＥＲＭ）下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜具有六角晶棒的密结构。ＥＤＸ分析胡沉积条件的不同,六角晶棒中Ｎ／Ｃ在１．０～２．０之间。Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）发现薄膜中含有β－Ｃ３     

CVD法与PCVD法TiN薄膜研究

用等离子增强化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法和化学气相沉积（ＣＶＤ）法分别制备ＴiV系薄膜。采用扫描电镜、Ｘ射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能,研究表明,PCVD法ＴiN系薄膜的微观组织形态明显优于同类的ＣＶＤ法薄膜,ＰＣＶＤ法薄膜晶粒尺寸细小,均匀,形态圆整,组织致密;ＣＶＤ法薄膜晶粒形态为多边形,尺寸较粗大、不均匀,组织致密性差,ＰＣＶＤ法ＴiN系薄膜的声望生和结合力等力学性能可达或优于同类ＣＶＤ法薄膜,虽然ＰＣＶＤ法薄膜的氯含量（约为２％）远主ＣＶＤ法薄膜（约为０．５％）,但ＰＣＶＤ法薄膜的耐蚀性能却明显优于ＣＶＤ法薄膜,还研究分析了ＰＣＶＤ法和ＣＶＤ法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。     

等离子体化学气相沉积TiN涂层的后热处理技术研究

为了提高等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）涂层的质量,改善基体材料的机械性能,更好地发挥ＰＣＶＤ硬质涂层的使用效果,采用先沉积后热处理的新工艺。结构表明,热处理温度对ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的化学成分、显微结构和性能有较大的影响。随着处理温度的提高,涂层的结果度得到大幅度的改善,涂层内的杂质氯含量降低,涂层的（２００）晶面距减小,但在９００℃时,ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的显微硬度有一个最低值。     

碳纤维增强C—SiC梯度基复合材料研究

采用ＣＶＩ工艺均热法共沉积技术制备了碳纤维增强Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料。Ｃ和ＳｉＣ的原料氛分别是Ｃ２Ｈ２ｔ ＣＨ３ＳｉＣｌ３，Ａｒ和Ｈ２分别是载流和稀释气体。基体微观结构的变化通过控制原料气体的成分配比藜得。测试了材料的力学性能、抗氧化性能和摩擦磨损性能。利用金相技术、电子探针成分分析技术、ＴＥＭ和ＳＥＭ技术观察和分析了材料的微观结构。试验结果表明，这种材料的组织结构特点是：在微观上是梯度的，即围     

扩大生产CD、DVD基板材料PC

聚碳酸酯 (ＰＣ)具有光学、低吸水、尺寸稳定、高耐热等特性 ,是ＣＤ、ＤＶＤ等光盘的重要基板材料。随着光盘记录密度的大幅度提高 ,对聚碳酸酯的质量要求也相应提高。继 6 5 0ＭＢ记录容量ＣＤ之后 ,出现了 4 7ＧＢ的ＤＶＤ。记录密度的飞速增大 ,对基板材料ＰＣ的高记录、低双折射等特性要求也随之提高。 1995年拜耳公司开始销售独自开发的ＣＤ、ＤＶＤ基板材料ＰＣ(ＤＰＩ - 12 6 5 )。这种ＰＣ材料与以往的产品相比 ,其流动性得到改善 ,光盘成型条件也变宽 ,因此ＣＤ、ＤＶＤ品质也得到提高 ,且生产周期缩短。为适应更高密度的磁光盘及…     

PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究

利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．     

用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成;Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜     

新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置

微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积，在国内首次研制成功了５ｋＷ带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式ＭＰＣＶＤ装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。