分立器件时间测量单元的研制

分立器件的时间参数测量是分立器件参数测量的重要组成部分,随着分立器件设计技术的不断提高,如何高效准确地测试分立器件的时间参数是分立器件交流参数测试研究的重点。本文介绍了时间参数测量电路,从频率可调的方波产生电路,到时间测量电路做了一个系统的描述,此时间测量单元的测试结果在JC90分立器件测试仪器上得到了正确的验证。     

SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 ,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响     

SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种ＳｉＧｅ器件工艺：低压ＩＣ电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响。     

电子元器件及电路的剂量率效应测试技术研究

介绍了半导体器件与电路的剂量率效应及其测试方法。主要分析了分立器件和集成电路的效应机理和建立的光电流测试系统及瞬时回避测试系统,给出了在晨光号加速器和DPF辐照装置上三极管及瞬时回避开关电路的辐照效应测量结果。     

晶体管HFE参数的快速测试方法

随着国内半导体分立器件生产规模的发展,晶体管生产厂家及使用单位对晶体管测试速度的要求越来越高,而制约测试速度最主要的因素就是HFE参数的测试速度远远达不到现在生产的需要。本文在探讨晶体管HFE参数的通用测试方法不足的基础上,提出晶体管HFE参数先进的快速测试方法。依据此方法并结合现有半导体分立器件测试系统,主要通过硬件配合在测试系统内构造出晶体管HFE参数的快速测试单元,把测试速度由原来的1000ms提高到15ms,实现了从测试方法到技术成果的转化。     

半导体分立器件参数的脉冲测试

本文介绍了半导体分立器件参数脉冲测试的必要性，有关标准对脉冲测试的要求及实现的方法．     

软件调控的三极管放大倍数脉冲测试方法北大核心CSCD

如今使用晶体管图示仪对半导体三极管放大倍数进行测试的原始方案已经逐步淘汰,取而代之的是自动化较高的各种分立器件测试系统。阐述了影响测量放大倍数的因素和相关的解决方案。介绍了一种用于分立器件测试系统中的半导体三极管放大倍数脉冲测试方法,即软件调控方法。该方法是在普通的软件闭环方法的基础上引进了脉冲方案,采用了CPU控制的脉冲技术对三极管放大倍数进行间断式测量。这种软件调控的方法通过实验进行了验证,结果表明该方法符合相关测试标准,所测放大倍数与DTS-1000测量结果相差不超过±3%。     

可放置于晶圆划片槽的STI应力波动检测电路

提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路。该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本。采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器件的随机波动特性。设置了一系列具有最小沟道长度、相同器件尺寸、不同STI宽度的共9种NMOS阵列。测量了这些阵列的饱和电流Idsat,以分析STI应力对器件性能的影响。此外,还测量了这些阵列的线性区阈值电压Vtlin波动作为对比。测试芯片在28 nm工艺中进行了流片和验证。每种测试电路所占版图面积为415μm×50μm。测试结果表明STI应力对器件性能有明显的影响,而且随着STI宽度的减小,Idsat波动增大,而Vtlin波动减小。     

CMOSIC抗闩锁、抗静电的测试及防护措施的研究

通过对三种ＣＭＯＳＣ４０６９ 电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较，提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数） 高低温参数测试外， 还必须对抗闩锁、抗静电敏感度进行测量和评估， 可真实反映器件的可靠性。避免ＣＭＯＳ器件在包装、运输和使用中带来隐患， 提出静电防护措施     

功率MOSFET器件栅电荷测试与分析

栅电荷是表征功率MOSFET器件动态特性的重要参数之一,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试夹具和电路结构等因素影响较大。其参数直接影响器件整体性能,设计不好将导致器件没使用时已击穿甚至损坏,在军用功率MOSFET器件研制生产和使用验收中列为必测参数。随着对MOSFET器件可靠性要求的不断提高,栅电荷的测试重要性凸显。针对目前国内外栅电荷测试现状及存在的问题做了详尽阐述,为国内的栅电荷测试提供一定的参考和指导。     

光电二极管批量快速测试系统的设计与实现

随着光电二极管的用量不断增大,手动测试筛选已满足不了测试需求,定制自动测试系统又存在成本较高、不易推广的缺点。为提高测试效率、解放人力资源及便于测试系统推广,采用一台KEITHLEY 2400源表及开关控制板构建了批量快速测试系统。开关控制板的阵列开关采用两片1∶8多路复用器实现,与采用继电器实现相比,降低了硬件设计难度及复杂度。将开关控制部分与器件载体部分分别设计在两块电路板上,并用两块载体板交替完成器件安装与测试,能实现器件插拔与器件测试并行进行,缩短了测试等待时间。将测试控制、参数测试及数据处理流程化,使测试效率得到了进一步提高。试验结果表明:搭建的测试系统可实现一批64只器件的一键式测试,每只器件单个参数平均测试时间不到1s,且测试准确度较高。     

一种微波功率测量检波电路的设计

在现代电子装备功放电路中,对发射脉冲的检测非常重要,如果脉冲过宽或者占空比过高,将导致功放输出功率过高,有超出功放所能承受的负载,并损坏功放的危险,所以在设备工作中检波器检波出视频脉冲,为后续的脉冲测量提供样本。本文设计出一种实用的微波检波器,在实际工作中运行可靠,工作稳定,同时也可以其它工程实践提供参考。     

空气能见度和CO_2浓度测量装置的设计与研究

探索并实现一种简易透射式能见度和CO2浓度测量装置。介绍了所设计装置的基本测量原理、硬件电路图和软件流程图。同时,实验验证了其测量能见度和CO2浓度的性能。装置不仅测量方便,而且具有经济、实用和便携等优势。     

多通道测试记录仪

本文介绍了一种用于飞行器从发射到着地全弹道姿态测试数字记录装置,它由传感器、模拟适配调理电路、AD变换器、存储器、控制器、接口电路、电池等组成。该装置采用静态存储器完成发射前初始姿态数据的负延时循环记录,启动飞行后,NOR闪存作为主存储器记录发射前静态存储器数据和发射后飞行姿态数据。本装置实现了对飞行体弹头飞行全过程状态参数的存储测试,具有小体积,微功耗,抗高冲击等特点。经过实弹实验,成功的经受住了着地2．8万g的重力加速度的过载,完整记录了弹飞行的姿态数据。     

基于STM32的正弦波测量装置的设计

在电子工程、计算机、通信等领域中,正弦波信号是应用最多的电子信号。因而存在很多对正弦波信号进行测量的装置,传统的正弦波信号测量装置大多采用模拟电子技术进行设计,电路相对复杂并且在实际操作中存在很多不便之处。采用新型的32位高性能ARM Cortex-M3内核STM32作为控制器核心配以信号调理等电路,可实现对正弦波信号进行高速的测量,在液晶显示器上同步显示波形同时显示正弦波信号的幅度、频率、失真度等的参数并且采用触摸式操作具有良好的人机交互性。     

基于单片机的超声波测距系统的设计

基于超声波实现无接触式测距原理,介绍了一种基于单片机控制的超声波测距系统的设计方法。由单片机软件产生40 kHz超声波,并测量回波时间,可精确到us级。为提高测距精度,采取了温度补偿、角度补偿措施。实验表明系统具有较高的测量精度和实用价值。     

感性负载方波电源功率放大器的分析计算

方波电源是采用数字技术的脉冲电源,具有相位严格、频率稳定度高,抗干扰能力强等独特的优点.该文以一个实例,对工作在方波信号输入下的功率放大器,带感性负载时的工作特点进行了分析,并且根据分析的结果,推导出了在方波信号输入下,功率放大器带感性负载时的各项性能指标的计算方法.并通过对实际电路的测试,验证了计算方法的可行性,同时还提出了减小感性负载对放大器影响的措施.     

基于耦合模-电网络理论的S型SAW器件特性分析

为克服马松(Mason)等效电路模型指对级联及常用电路仿真软件处理复阻抗的繁杂性,提出了应用耦合模理论和电网络理论分析声表面波(SAW)器件特性的方法,它首先应用耦合模理论获得叉指换能器SAW粒子运动速度和应力的关系式,由此得到叉指换能器的等效电路模型,并根据耦合模理论计算等效电路模型中各电参量值,然后应用电路网络理论推导等效电路模型各节点电压方程,结合自行研制的S型SAW器件尺寸,仿真得到S型SAW器件的频率特性,与实验得到的频率特性基本相近。     

Small signal equivalent circuit modeling of resonant converters

A general analytical procedure is presented for the equivalent circuit modeling of resonant converters, using the series and parallel resonant converters as examples. The switched tank elements of a resonant converter are modeled by a lumped parameter equivalent circuit. The tank element circuit model consists, in general, of discrete energy states, but may be approximated by a low-frequency continuous time model. These equivalent circuit models completely characterize the terminal behavior of the converters and are solvable for any transfer function or impedance of interest. With the approximate model it is possible to predict the lumped parameter poles and zeros, and to quickly determine the relevant DC gains of the output impedance and the control to output transfer function. Closed-form solutions are given for the equivalent circuit models of both converter examples. Experimental verification is presented for the control-to-output transfer functions of both series and parallel resonant converters, and good agreement between theoretical prediction and experimental measurement is obtained     

集成电路ESD设计验证技术

传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具.分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数.