厚膜片状电阻器及厚膜电阻浆料概述

本文对厚膜电阻器及由它构成的网络电阻器产品，包括性能及生产流程给出了一个简单介绍，着重地对厚膜电阻浆料特别是钌系电阻浆料的组成及性能作了讨论。     

钌系厚膜片式电阻器热处理工艺的研究

研究了热处理工艺对钌系厚膜电阻器的温度系数（ＴＣＲ）和短时间过负载性能的影响,发现适当的热处理工艺可以改善厚膜电阻器的电性能。为探讨热处理工艺对电阻膜层微观结构的影响,对热处理前后的电阻膜层进行了ＳＥＭ形貌分析。     

先进的厚膜低阻片式电阻器

随着人们对延长电池工作时间的期望和需求不断增长,以基于精确电流检测的高精度电源管理降低功耗的技术日益被人们重视。电路内的电流检测通常采用低阻片式电阻器,主要用于笔记本电脑、PDA和硬盘等与电脑有关的设备。此外,还有相当多的需求来自小型电子装置,尤以移动电话为最。因此,降低电压、加大电流的趋势日益明显。与此趋势同步,用于检测电流的电阻需要进一步降低阻值。为了精确检测电流变化,必须提高电阻值精度,降低电阻温度系数。为满足设备小型化所需的高密度封装,还应提高单位体积的额定功率。为满足市场需求,KOA公司开发了UR73…     

厚膜电阻器的设计研究

本文探讨了厚膜电阻器的性能特点、工艺过程、设计过程常见的问题，并阐述了厚膜电阻器的设计方法。     

工艺因素对厚膜电阻器性能的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器在生产过程中影响其性能的主要工艺因素。其中主要介绍了陶瓷基片对电阻器性能的影响,印制工艺对电阻器性能的影响,烧结工艺对电阻器性能的影响以及激光调阻工艺对电阻器性能的影响。     

应用无掩膜印刷术埋嵌微型聚合物厚膜电阻

Optomec公司开发了一种名为M3DTM的新型印刷技术,用于沉积高精度PTF(Polymer Thick Film)电阻。这种新方法生产出的电阻,面积小到0.05mm2,阻值范围达到100Ω-10000Ω,阻值公差能够保持在10%以内。M3DTM技术可以直接利用CAD文件决定电阻的位置以及阻值大小,而不需要制作掩膜模版,也不需要事后对阻值进行微调,是一种印刷埋嵌电阻的高性价比解决方案。     

小尺寸分立器件与嵌入聚合物厚膜电阻在移动电话中的应用比较

随着移动电话越来越多功能的嵌入,设计者们不得不持续地寻求节省基板面积的方法.嵌入无源器件和使用小尺寸的分立器件(02 01)是两种较为通用的解决方法.文章考察了小尺寸的分立器件与嵌入式聚合物厚膜电阻在降低成本与节省基板面积间的协调和平衡.实验中运用高产量组装和艺术板制作技术组装小离散或聚合物厚膜电阻的方案分析了三种典型的移动电话的设计,并列举了各种方案对基板尺寸和成本的影响.     

烧结过程中毛细作用对钌基厚膜应变电阻的影响

通过应用毛细作用的基本公式得到钌基厚膜应变电阻烧结阶段的模型。用Bi2O3和RuO2合成Bi2Ru2O7并进行试验,发现方阻随烧结时间和导电相粒径的增大而增大。用该模型解释了该现象,同时解释了导电相不同的体系,应尽导电相含量一样,但方阻不同,以及方阻随玻璃粘度增大而减小。     

膜厚对不锈钢基厚膜电阻电性能的影响

为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理。结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%。     

烧结温度对厚膜电阻的影响研究

以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875℃时,结构均匀且致密性好;烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络;而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高。     

厚膜浪涌电阻浆料研究

低阻值浪涌电阻，由Ｐｄ／Ａｇ电阻和钌酸盐电阻分段完成。研究了电阻浆料中导电相钯、银的含量及影响，钌酸铋中的添加剂，采用的有机黏合剂，以及制作工艺。浪涌电阻性能达到ＴＣＲ小于１００×１０－６℃－１，噪声小于５ｄＢ，功率密度４Ｗ／ｃｍ     

厚膜电阻的阻抗与驻波比频率特性的新测量方法

随着电子信息技术和移动通信技术的发展,厚膜电阻的应用越来越广泛。然而,如何准确测量厚膜电阻的阻抗和驻波比频率特性成为了一个难点。建立和分析微带线终端加载厚膜电阻的电路模型,使电阻在电路中匹配,再对应地建立终端短路的电路,最后联合求解出厚膜电阻的阻抗和驻波比频率特性。实测表明,这种测量方法是可行、准确的,对射频厚膜电阻的制造工艺和质量检测有着重要意义。     

厚膜铂电阻温度传感器研究

厚膜铂电阻温度传感器以铂膜作电阻，采用厚膜印刷工艺，线宽和间隔均为１００μｍ。铂电阻具有工艺性好、长期稳定性好、ＴＣＲ复现性极好等诸多优点，其Ｒ（０℃）＝１００Ω，ＴＣＲ＝３８５０×１０－６℃－１。     

AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究

利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm~2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm~2。