AlN陶瓷厚膜金属化研究进展

简要论述了AlN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法。阐述了AlN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂(玻璃结合系;反应结合系;混合结合系)的结合机理,综述了三种主要结合剂以及AlN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展。     

厚膜浆料的新进展

近年来厚膜浆料又有新的发展。本文着重介绍以杜邦公司为代表的世界先进国家新开发的金属有机浆料、铜系浆料、薄层金属导体浆料、介质浆料、光化学刻蚀细线浆料等目前达到的水平。     

基于不锈钢基板的厚膜电子浆料及大功率电热电阻元件

介绍基于不锈钢基板的大功率密度厚膜电热元件的研究现状，并对厚膜电路式电热元件的关键技术进行阐述，包括大功率密度电热元件所用基板材料和基于基板的电子浆料的使用要求，以及电热元件的制备工艺；最后分析了该新型电热元件的应用前景和所要解决的问题。     

厚膜浆料及其应用

扼要介绍厚膜导体浆料的类型、特点及市场潜力，厚膜浆料在混合集成电路、电子元件中的应用及相关的技术问题。     

氮化铝基板用的先进厚膜系统

由于高导热率的基板能制作较小的高密度的大功率电路，因而对它们需求继续增加。基于这个目的，带厚膜材料的氧化铍基板已被使用多年。但由于氧化铍(BeO)对健康和环境的影响，使许多制造商不得不采用替代基板——氮化铝(AN)基板。本文将讨论特别研制用于AlN基板的、由导体、介质和电阻器组成的厚膜系统。这个系统不久将会广泛使用在电信、光电子和大功率汽车应用的功率电阻中。     

厚膜铂电阻浆料的研制

本文简述了配制厚膜铂电阻浆料应考虑的问题,包括这种浆料中各组分的性质和作用。叙述了浆料的制备方法。并研究了各组分中不同试剂时其性质的作用机理,以及对元件性能和制作工艺的影响。     

厚膜片状电阻器及厚膜电阻浆料概述

本文对厚膜电阻器及由它构成的网络电阻器产品，包括性能及生产流程给出了一个简单介绍，着重地对厚膜电阻浆料特别是钌系电阻浆料的组成及性能作了讨论。     

LTCC基板厚膜电阻的常温稳定性

目前国内尚缺乏与ＬＴＣＣ相配套的厚膜电阻浆料。实验证明，厚膜电阻浆料的导电相、玻璃相及添加剂等对ＬＴＣＣ基板表面厚膜电阻在常温下的稳定性有一定影响。厚膜电阻浆料的膨胀系数随其导电相、玻璃相及添加剂的组分的变化而变化。当厚膜电阻浆料的热膨胀系数与ＬＴＣＣ基板的热膨胀系数之差异大到一定程度时，厚膜电阻在常温下的稳定性就会受到影响。Ｘ射线衍射图谱说明，厚膜电阻与ＬＴＣＣ基板之间生成的方石英相会降低厚膜电阻在常温下的稳定性。     

Cubic AlN thin film formation on quartz substrate by pulse laser deposition

Cubic AlN thin films were obtained on quartz substrate by pulse laser deposition in a nitrogen reactive atmosphere. A Nd-YAG laser with a wavelength of 1064 nm was used as the laser source. In order to study the influence of the process parameters on the deposited AlN film, the experiments were performed at various technique parameters of laser energy density from 70 to 260 J/cm², substrate temperature from room temperature to 800℃ and nitrogen pressure from 0.1 to 50 Pa. X-ray diffraction, scanning electron microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were applied to characterize the structure and surface morphology of the deposited AlN films. It was found that the structure of AlN films deposited in a vacuum is rocksalt under the condition of substrate temperature 600-800℃, nitrogen pressure 10-0.1 Pa and a moderate laser energy density (190 J/cm²). The high quality AlN film exhibited good optical property.     

钢基板厚膜环形电位器的研制

传统的陶瓷基板厚膜环形电位器不能承受高过载。选用不锈钢板作为基板材料,被覆绝缘介质,在其上印制厚膜电路,然后烧结,制作了钢基板厚膜环型电位器。该电位器经过温度循环、抗过载、机械强度和动态射击试验,结果表明:被覆绝缘介质不锈钢基板厚膜环型电位器具有过载值高(18000~20000g)、动态电阻装定精度高(误差小于1%)等优点,满足高过载使用要求。     

AlN薄膜有源SAW滤波器集成及性能研究

在AlN压电薄膜上(以SiO2/Si为衬底),使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路,制成中心频率为320MHz的有源SAW滤波器并进行了测试。结果表明,该滤波器的插入损耗低于10dB,带外衰减高于45dB。     

微型笔直写制备厚膜阻性元件技术研究

为了实现电子元器件的快速制备,设计并实现了一种微型笔直写装置。利用该装置进行了电阻浆料的直写制备。研究了直写电阻元件的工艺特点、表面形貌和性能。得到了优化的工艺范围:笔头通径100～450μm,笔头到基板表面距离8～20μm,电阻高温烧结之后线宽100～500μm,膜厚5～15μm。所直写的电阻边缘整齐,表面较平整,烧结后,方阻约为0.92 kΩ/□。     

AlN薄膜体声波谐振器性能分析

采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AlN薄膜体声波谐振器。研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有(002)择优取向,器件频率特性良好。当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110,2600,110,200nm时,谐振频率为1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果,分析了各层厚度对频率特性的影响机理。     

AIN陶瓷厚膜金属化研究进展

简要论述了AIN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法。阐述了AIN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂（玻璃结合系；反应结合系；混合结合系）的结合机理，综述了三种主要结合剂以及AIN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展。     

Mo基底的粗糙度对C轴择优取向AlN的影响

通过物理气相沉积的方法制备出Si／非晶／Mo／AlN多层膜器件,利用透射电子显微学方法研究了截面样品和AlN薄膜平面样品,确定了AlN和 Mo的界面形态和生长方式。研究表明二者取向关系为[2110] AlN／／[111]Mo,（0002）AlN／／（110）Mo,且Mo表面的粗糙程度对AlN的生长有影响,因此本文为改进器件性能提供了参考方向。     

AlN粉末抗水解处理的研究进展

为了解决AlN粉末极易水解的问题,使AlN陶瓷在热、电、力和光学等方面的优良性能得到广泛应用,对AlN粉末的水解机理、水解程度表征方法的研究进行了综述。归纳了AlN粉末抗水解处理的方法及存在的问题。阐述了AlN粉末抗水解处理方法未来的研究方向。