宽禁带半导体材料清洗技术研究

随着半导体技术的不断发展,新材料的使用,对晶片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法.简要介绍了宽禁带半导体材料的特性与应用.并针对其材料的清洗提出了一些工艺方法与改进的方式.     

半导体制造中清洗技术的新动向

多年来习惯采用多槽浸渍式RCA清洗的半导体清洗领域里,正在兴起的是从多槽浸渍式向单片式处理转移。并出现了取代RCA法的新型清洗液与新的生产方法。正在开始对超临界流体清洗等下一代清洗技术的开发。概述这些半导体清洗技术的最新动向。     

半导体晶圆的污染杂质及清洗技术

介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术,对半导体圆片的湿法和干法清洗特点和去除效果进行了比较分析。     

大变革中的半导体清洗设备市场

2000年世界半导体生产设备市场较上年增长50%, 达到476.6亿美元。伴随着多层布线的发展,对CMP(化学机械抛光)设备的投资特别火热,预料到2002年金属用CMP设备市场将达到13.7亿美元。1995年CMP设备的世界市场为157亿日元(1美元约等于107日元),而1996年扩大约1.5倍,达到399亿日元,1997年继增61%,成长各645亿日元。1998年中国台湾厂家引入了金属及STI(浅沟道隔离)工艺,但因日本、韩国等的低迷,致使CMP设备下降4%,为623亿日元。1999年由于PC市场扩大,半导体景气复苏,设备投资增加,比上年大幅增长50%,达到了932亿日元,2000年估计更将窜升93…     

半导体IC清洗技术

介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。     

半导体单晶抛光片清洗工艺分析

通过对Si,CaAs,Ge等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究,分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件.首先用氧化性溶液将晶片表面氧化,然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片进行清洗的目的.采用这种先氧化再剥离的方法,可有效去除附着在晶片表面的杂质及各种沾污物.对于不同的材料,氧化过程以及剥离过程可以在不同的溶液中相互独立地进行;也可以组合在一起,使用一种混合液同时实现氧化及剥离.采用氧化、剥离的清洗原理,可提高半导体材料抛光片的清洗工艺技术水平,同时也对新材料抛光片的清洗工艺起到一定的指导作用.     

领先清洗技术厂商进入中国半导体制造市场

据统计，2003年全球清洗设备的总体市场为10亿美元，2004年可能达到14亿美元，2005年将达到20亿美元以上。随着中国IC业的不断壮大，越来越多的半导体清洗厂商来到中国。     

超声波清洗技术与进展

本文综述了我国超声波清洗技术发展状况，介绍了超声波清洗特点和机理、超声波清洗技术参数的选择、超声波设备的组成以及超声波技术的最新进展．     

印制电路板的清洗技术(一)

文章介绍了印制线路板的焊接制造工艺过程；助焊剂的种类及其在焊接过程中的作用；焊接残留物的主要成分及其对电子线路板的危害；并着重介绍了各种印制电路板清洗技术及其选用时的注意事项。     

印制板半水清洗技术研究

免清洗焊膏在回流焊接过程中,产生大量透明的固体残留物,分布在焊盘四周.对于军用电子等高可靠性设备,残留物不仅影响印制板表面涂覆质量,而且影响产品的可靠性.研究了助焊剂残留物的半水清洗工艺,通过光学检查和离子浓度检测检查清洗质量.在工艺试验的基础上,掌握了关键要素和控制方法,确定了合适的工艺参数,用于生产作业指导.     

净化管路内腔的工艺装备和环保型清洗工艺

系统的介绍了ZJL02型管路清洗机的构造、用途和使用方法，该工艺装备适用于铁路机车车辆、汽车、消防车、石油机械、化工设备等行业。投入使用后能使机械净化工艺创新，整体机械设备的内在质量能大幅度提高，有利于环保事业，性能价格比突出。     

基于STC单片机的超声波清洗机

针对目前工业清洗问题,设计了一款基于STC单片机超声波清洗机系统。该系统采用STC15F2系列的单片机为控制核心,加以功率调节、半桥逆变、PWM发生与控制等模块电路,利用了调谐匹配和阻抗匹配,使压电换能器输出最大功率。本超声波清洗机具有功率、频率可调、定时清洗的功能,以及清洗效率高、成本低、运行稳定的特点,达到节能环保的目的,应用前景广阔。     

PCB组件水清洗工艺技术研究

通过对水清洗工艺技术的研究,掌握水清洗工艺的方法,使PCB组件水清洗后达到国军标的要求。采用试验元器件、PCB、清洗剂以及焊接辅材组装水清洗样件,经过大量的水清洗试验,对清洗时间、清洗温度、漂洗次数、清洗剂体积分数对清洗效果的影响进行研究,水清洗后按标准要求进行目视检查以及残留离子含量检测,最终得出合适的水清洗工艺参数及清洗剂。     

表面贴装加工领域的清洗技术及市场现状

本文针对环保和绿色制造的发展趋势,就SMT制造领域是否需要取消清洗工艺做了初步的探讨,并且论述了目前国内外在该领域的技术现状和清洗工艺及设备的市场状况。     

太阳电池用Ge抛光片清洗技术的研究进展

Ge抛光片作为化合物太阳电池的衬底材料已引起人们的广泛关注。制备工艺要求衬底材料的表面具有稳定的化学特性和高的清洁度,因此,Ge抛光片的清洗技术显得尤为重要。Ge在常温下既不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应,其清洗机理与Si、GaAs等材料相差较大。在实验和查阅文献的基础上,阐述了Ge抛光片的清洗机理,介绍了太阳电池用Ge抛光片表面的宏观沾污和微观沾污的清洗方法和过程、同时对Ge抛光片表面的氧化状态进行了分析。另外,还对目前国内外Ge抛光片清洗技术的研究现状及技术水平做了介绍,指出了Ge抛光片清洗技术存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。     

多层铜布线表面CMP后颗粒去除研究

针对目前清洗技术存在的问题进行了详细分析,研究了微电子材料表面污染物的来源及其危害,并介绍了表面活性剂在颗粒去除方面的作用。研究了化学机械抛光(CMP)后Cu布线片表面的颗粒吸附状态,分析了铜片表面颗粒的吸附机理。采用非离子表面活性剂润湿擦洗方法,使Cu表面的颗粒处于易清洗的物理吸附状态。利用金相显微镜和原子力显微镜(AFM)在清洗前后进行对比分析,实验采用聚乙烯醇(PVA)刷子分别对铜片和铜布线片进行清洗,发现非离子界面活性剂能够有效去除化学机械抛光后表面吸附的杂质,达到了较好的清洗效果。     

真空开关管生产线上CFC-113替代清洗技术

本文通过几种非ODS清洗剂与CFC-115清洗剂性能的比较，同时简要说明了真空开关管的生产过程中各种清洗剂的使用情况，说明了HEP-2清洗剂替代零部件清洗和整管带电清洗中使用的CFC-115清洗剂的情况。