片状锌粉的可控钝化及电性能研究

采用水/酒精、双氧水溶液为氧化剂,制备了表面钝化Zn(OH)2的片状锌粉.采用X射线衍射(XRD)、热重分析(TG)、扫描电镜(SEM)对钝化锌粉进行了表征,考察了钝化增重对锌粉压片电阻率和漏电流密度的影响.结果表明,锌粉钝化后在表面形成鼓包状组织,随着氧化剂浓度和时间的增加,锌粉钝化增加;随着钝化膜的增厚,钝化锌粉的电阻率增加,漏电流密度减小.     

6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析

考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.     

非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响

通过测量GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的饱和漏-源电流分布研究了深施主缺陷EL     

锰酸盐铝管表面处理技术研究

研究了无铬钝化铝管处理技术,即利用锰酸盐表面处理技术制备铝管钝化膜,锰酸盐的配方为10 g/L KMnO4+20 g/L Na2HPO4+1.0 g/L KF,调节溶液pH值为9.5;其处理工艺为60℃条件下处理10min。并用硫酸铜点滴实验、海水腐蚀实验、碱浸实验对制备的铝管锰酸盐钝化膜与铬酸盐钝化膜、空白样进行对比实验,结果表明,铝管表面的锰酸盐钝化膜显著提高了铝管的耐蚀性能,其耐蚀效果超过了常规的铬酸盐钝化膜。电化学Tafel极化曲线测试结果表明:锰酸盐钝化膜的存在使得铝的自腐蚀电位明显正移,自腐蚀电流密度显著下降,从而有效降低了铝管腐蚀速率。     

强流脉冲电子束作用下纯铜的微观结构与腐蚀性能

为考察辐照对纯铜材料的影响,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯铜进行表面辐照处理,详细考察了辐照前后材料表面的微观结构状态和腐蚀性能。海水腐蚀极化曲线及电极化阻抗谱实验结果表明:十次强流脉冲电子束辐照后,纯铜的抗腐蚀性能显著提高。透射电子显微镜观察表明,HCPEB辐照在材料表层诱发了大量的过饱和空位缺陷,空位缺陷的凝聚可形成空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT)等空位簇缺陷。空位簇缺陷有助于形成厚而致密的表面钝化膜,钝化膜具有阻挡腐蚀性阴离子的能力,从而提高材料的抗腐蚀性能。     

2'-羟基苯乙酮二步钝化钙钛矿缺陷

为钝化钙钛矿缺陷,采用2 '-羟基苯乙酮(2-HA)以添加剂和表面改性剂的形式对钙钛矿薄膜进行二次处理,分析其对钙钛矿薄膜形貌、结构和性能的影响.结果 表明:2-HA分子的羰基可以与钙钛矿中失配的铅离子形成配位键,从而钝化钙钛矿薄膜晶界处和表面的缺陷.2-HA作为添加剂可促进钙钛矿结晶,使得薄膜质量提升,提升了薄膜光吸...     

AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究

通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获.传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度.     

硫钝化可提高GaSb表面光学性质

由于锑化镓（GaSb）表面存在着大量的氧化物及悬挂键,使得材料具有较高的表面态密度,这将导致GaSb费米能级钉扎,严重限制了其器件的应用和发展。同时,这些氧化物及悬挂键将构成非辐射复合中心,影响表面发光。本文通过酸性饱和S2Cl2溶液（最优钝化时间为5s）对n型GaSb进行表面钝化后发现：该溶液钝化可有效减少GaSb表面的氧化物及悬挂键,改善光学性质。从理论上分析了S2Cl2溶液的钝化机理,同时利用PL、PL mapping、XPS及AFM等测试手段验证了该分析的准确性。另外,与常规的碱性（NH4）2S溶液（最优钝化时间为180s）对比,发现经S2Cl2钝化后样品的单点发光强度是（NH4）2S溶液处理过的样品1.5倍,是未处理样品的25倍。但S2Cl2溶液中含有较高的硫浓度,操作时不宜控制,极易腐蚀GaSb表面,钝化后样品表面有大量单质S析出,其发光均匀性及表面平整度不如（NH4）2S溶液。     

微管临界热流密度研究进展

微管流动沸腾技术推进了微管临界热流密度（CHF）机理及其关联特性研究．为增强超大功率热能转化设备的开发应用,本文概述了微管临界热流密度的关键参量配置,对比了不同质流速微管流体临界热流密度的触发机制,引述了微管过冷流与饱和流临界热流密度关联模型,比较了微管临界热流密度的各关键量配置和表面状态特性的增强效果．     

Fe/S/GaAs(100)界面形成研究

为了改善界面费米能级钉扎,运用CH3CSNH2／NH4OH对GaAs(100)表面进行钝化,并对界面的形成过程进行研究。结果表明,经高温退火处理后,S在GaAS(100)表面以Ga—S的形式存在,没有形成化合物;研究了Fe生长过程中的成键特性和电子态,Fe淀积到S／GaAs(100)表面,引起0．5 eV的能带弯曲,Fe与Ga、S发生较强的化学反应,而与As的反映被消弱。随着Fe覆盖度的增加,S原子停留在界面处,起到绝缘层的作用,而As和Ga则存在扩散和偏析现象,Fe在S／GaAs(100)表面以岛状形式生长。     

基于特征与形貌重构的轴件表面缺陷检测方法

针对轴件表面缺陷机器视觉检测方法中的水渍残留误检率高和人工复检效率低问题,提出一种基于特征与形貌重构的轴件表面缺陷检测方法. 对轴件工业高速线扫描图像进行预处理,基于改进的阀值迭代算法完成图像分割,通过去除背景、噪点和干扰提取缺陷图像. 建立基于曲线簇包络轮廓的轴件表面缺陷特征模型,结合分割图像各连通域的面积、面积占比、粗短度训练逻辑回归分类器,对凹坑、裂纹和麻点等轴件表面典型缺陷进行识别,并结合图像深度信息进行缺陷形貌重构,消除水渍等伪缺陷,提高轴件表面缺陷检测鲁棒性. 实验结果表明,所提出的轴件表面缺陷检测方法有效,具有较高的缺陷识别率和鲁棒性能,平均识别时间为3.69 s,缺陷轴加权识别率为98.86%,可以对3类典型缺陷和水渍进行准确识别.     

基于纹理结构异常的织物疵点检测算法研究

提出了一种基于织物纹理结构异常的织物疵点检测算法。首先计算代表正常纹理的主邻域结构图;其次通过比较每个像素的邻域结构图与主邻域结构图的差异来定义该像素的显著性,进而得到显著图;最后采用迭代最优阈值分割方法对显著图进行分割得到疵点区域。试验证明,该算法操作简单、计算速度快、鲁棒性强,具有较强的自适应性。     

三种缺陷态光子晶体的比较研究

利用光学传输矩阵法对3种基于均匀结构光子晶体的一维缺陷态光子晶体进行了比较研究.研究发现,对于每种结构,当缺陷介质层厚度变大时,缺陷模中心波长向长波区移动,且缺陷模式的带宽随之增加,当缺陷层介质厚度增加到一定数值时会出现多个缺陷模.对于缺陷层两侧为高折射率介质层的结构一和结构三,缺陷模波长与缺陷层厚度呈非线性比例增加关系;对于缺陷层两侧为低折射率介质层的结构二,缺陷模波长与缺陷层厚度呈线性比例增加关系.对于结构一和结构三,在特定的中间缺陷层厚度时光子禁带区内的缺陷模会消失,而对于结构二,禁带区域内始终存在缺陷模式.     

电路级栅氧短路故障的动态电流测试分析

栅氧短路故障对于集成电路的稳定性有着重要的影响,故障行为会在不产生逻辑错误的情况下导致参数失效。该文使用了一种电路级的故障模型模拟栅氧短路故障,研究了栅氧缺陷对与非门电路的影响,选取了适合于电流测试的测试矢量,对未发生逻辑错误的故障电路的动态电流进行分析。在实验中采用了TSMC 0.18μm CMOS工艺,仿真结果显示通过分析电源通路上的动态电流可以检测有潜隐性故障的器件。与电压测试方法相比,动态电流测试能更好地对栅氧短路缺陷进行诊断。     

石英玻璃的结构缺陷及其形成机理

采用不同工艺制备4种石英玻璃,分析其结构缺陷及形成机理。结果表明,水晶粉为原料、石墨坩埚中熔制的Ⅰ类玻璃气泡、颗粒、条纹最多;高纯SiCl4原料、CVD工艺制备的Ⅲ、Ⅳ类玻璃无颗粒缺陷,气泡与条纹明显少于Ⅰ、Ⅱ类。Ⅱ、Ⅳ类玻璃经高温拉棒形成较大热应力,Ⅲ类玻璃熔体降温速度慢、热应力小。微观结构上,Ⅰ类玻璃金属杂质含量最高,Ⅱ类次之,Ⅲ、Ⅳ类都小于5×10-6。Ⅳ类玻璃在无氢的等离子火焰中熔制、羟基含量极低,Ⅱ、Ⅲ类在H2-O2焰中熔制导致羟基含量高。Ⅰ、Ⅱ、Ⅳ类玻璃氧空位含量较高,Ⅲ类玻璃基本不存在氧空位。     

直拉硅片杂质缺陷的控制与利用

简要叙述了直拉硅中缺陷工程的研究进展．提出了采用中子辐照或掺杂技术,在硅中引入杂质缺陷,并通过其相互作用实现对硅中杂质和缺陷的控制与利用．此项研究是硅片缺陷工程的新内容．     

Fatigue Defect of Layer Steel Fiber Reinforced Concrete

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＳｔｅｅｌｆｉｂｅｒｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄｃｏｎｃｒｅｔｅ (ＳＦＲＣ) ,ａｎｅｗｔｙｐｅｏｆｃｏｍｐｏｓｉｔｅｗｉｔｈｓａｔｉｓｆａｃｔｏｒｙｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｎｄｗｉｄｅａｐｐｌｉｃａ ｔｉｏｎｓ ,ｉｓａｋｉｎｄｏｆｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄｃｏｎｃｒｅｔｅｗｉｔｈｎｏｎ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌｓｔｅｅｌｆｉｂｅｒｓｓｃａｔｔｅｒｅｄ .Ｒｅｃｅｎｔｌｙ ,ｔｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＳＦＲＣｈａｖｅｐｅｒｍｅａｔｅｄａｌｌｆｉｅｌｄｓｏｆｃｉｖｉｌｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ…     

椭圆缺陷轮廓的成品率估计

现有成品率及关键面积估计模型中。假定缺陷轮廓为圆。而70％的实际缺陷轮廓接近于椭圆．提出了椭圆缺陷轮廓的成品率模型，该模型与圆模型相比更具有一般性．而圆模型轮廓的成品率模型仅为新模型的特例．比较了新模型与真实缺陷及其圆模型引起的成品率损失。表明新模型在成品率估计方面更加精确．     

基于特征提取的缺陷图像分类方法

针对缺陷图像表面复杂多变、特征不宜提取的特点,提出了一种归一化转动惯量特征和不变矩特征相结合的时域分析方法来构建缺陷图像的统计特征量,同时增加缺陷矩形框区域内压缩度、距离极值比和线度特征量作为缺陷分类的依据;提出了在缺陷频谱图像内提取特征量的频域分析方法,并将矩形框区域内所有像素点灰度平均值和灰度方差值作为缺陷分类的另一重要依据;同时将BP神经网络应用于缺陷图像的自动分类中,构建了系统的缺陷分类器,并对现场采集的常见6种缺陷类型进行了实验.结果表明,该特征提取方法在很大程度上提高了特征的分类有效性;该BP分类器识别率较高,现场整体识别率达到90%以上,在一定程度上解决了缺陷图像分类难的问题.     

一种软件缺陷排除成本预测方法

基于缺陷分析来预测缺陷排除成本,有利于分析软件过程质量、平衡软件成本和控制开发进度。传统上,一般采用单个缺陷排除成本的平均值乘以缺陷数的方法,来预测缺陷排除总成本,这种方法忽略了不同类型的缺陷排除成本差异,导致较大的成本预测偏差。论文提供了另外一种成本预测方法:基于项目历史数据,拟制软件开发阶段不同缺陷类型的排除成本矩阵,来预测项目的缺陷排除成本。改进的成本预测方法能够较好地弥补传统方法的不足,可得到较为准确的缺陷预测数据。