英飞凌推出改进型第三代碳化硅肖特基二极管新产品

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!^TM SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容．可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。     

STPSC806D／1006D：SiC二极管

ST推出可在开关操作中降低能耗的碳化硅（SiC）二极管。STPSC806D和STPSC1006D碳化硅肖特基二极管适用于太阳能电源系统转换器,因为能效对于太阳能电源极其重要。服务器和电信系统电源的特点是全天24小时供电,如采用这种乍看起来能效改进不大的二极管,累计起来,节省的电能也可为运营商带来很大的效益。     

用自供电的运放建立一个低泄漏整流器

用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路（图1）。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。本电路可在压降低至0．8V时提供有源整流。     

电池与稳压电源供电的自动切换电路

使用逻辑电源,或使用可插在墙壁插座上的电压适配器,通过给电池卸载而可延长小型便携式系统的电池的使用寿命。但是,实现电池和外部电源之间的切换可能很难办。对于多个单元组电池,我们可以用简单和价廉的二极管开关来解决这个难题;但对于只有一两个单元组电池,如用开关二极管,其正向压降(即使对于肖特基二极管)也会增加到难于接受的程度。用MOSFET来代替二极     

没有压降的简单反极性保护电路

通常反向电压保护方法是使用二极管,防止损坏电路。一个方案是用串联二极管,只允许电流向正确的极性流动（图1）。另外还可以用二极管桥对输入做整流,这样电路就永远有正确的极性（图2）。这些方案的缺点是,二极管上的压降会消耗能量。输入电流为1A时,     

LT3972：高效2.4A DC-DC转换方案

Linear公司的LT3972是一个自适应频率（200kHz到2.4MHz）单片降压开关稳压器,可以支持高达33V的输入电压（最大62V）。器件内包含一个高效率95mΩ开关以及一个升压肖特基二极管和必要的振荡器、控制和逻辑电路。电流模式拓扑结构被用于实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。     

基于IR1167的智能同步整流控制

引言 随着近年来数字处理电路电压的不断降低,电源功率密度的不断提高,对于电源次级整流的要求越来越高。整流器件已从最初的肖特基二极管整流,发展到用同步整流开关管替代二极管,以降低功耗。目前,控制同步整流开关管的方法主要有分立式和基于锁相环的控制芯片两种。用分立元件实现同步整流的缺点是响应过慢,系统可靠性相对差。单芯片同步整流是基于锁相环技术的,从初级取信号同步控制次级整流开关管,这种方法的缺点是不能保证在间隔模式（轻载或空载时发生）下可靠操作。     

使用数字门的电压变换器

本机产生第二电压的方法一直可追潮到基本二极管变换器（图１ａ）。这种二极管可用作开关，使输入电容器与输出电容器交替地先串联后并联。这一动作将输入电容器充电到供电电压，然后将电荷转移到输出电容器。在理想情况下，该电路会转移所有的电荷，并产生一个精密复制的输入电压。然而，二极管上的损耗会使可用输出电压大大低于输入电压。这就会成为一个问题，特别是试图从５Ｖ逻辑电源导出一个负电源时更是如此。第一个二极管把输入时钟信号的正峰值箱位到高于地电位的十分之六Ｖ（二极管压降）。输出二极管再下降十分之六，从而在１ｍＡ…     

用于基础通信设备的"Active ORing"解决方案

引言 实现备用电源的传统办法,也是最有效的办法,是使用二极管进行“或操作(ORing)”。图1是用二极管进行“或操作”的电路图。可以把它用到一个典型的一48V系统中。虽然“或操作”是实现备用电源的一个有效方法,但是它的一些明显的缺点是现代的高档系统所不能容忍的,这促使人们去发展“有源或操作(Active ORing)”的方法,在本文中将介绍这个方法。     

JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究

借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展（JTE）结构的碳化硅（SiC）肖特基二极管（SBD）。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响。通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求。     

双通道理想二极管控制器取代两个肖特基二极管以在大功率应用中提供高效率电源“或”和电源保持

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出0～18 V双通道理想二极管控制器LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源"或",且对电源电压的干扰最小。LTC4353调节外部N沟道MOSFET的正向压降,以在二极管"或"应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中,当电源切换时,控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353     

ADI推出单相大电流开关控制器ADP1822

凌特公司（Linear Technology）日前推出双升压型DC／DC转换器LT3466—1，它是采用扁平3mm×3mm DFN封装的白光LED驱动器和升压型转换器。其LED驱动器通道可从单节锂离子电池输入并以83％的效率驱动10个白光LED。而其升压转换器可以产生TFT—LCD偏置电压或驱动一个OLED显示器。每个通道都有独立的调光和停机控制。该器件集成了肖特基二极管，     

Modelithics采用VectorStar验证其性能

AnritsuCompany宣布，其VectorStar宽频ME7838A矢量网络分析仪（VNA）系统已被ModelithicsInc．公训用于验证覆晶肖特基二极管模型的性能，该模型是针对CVirginiaDiodes公司（VDI）生产的W频段单阳极和W频段ZBD肖特基二极管。     

负输入电压的“平行宇宙（Parallel Universe）”

非隔离式正输入拓扑具有一些可用于负输入电压的镜像（mirror-image）拓扑,但是要特别注意控制器的选择以及偏置电源（biaspower）与反馈（feedback）的实施。 现在的消费性电子产品大量地使用切换式DC／DC电源。大多数应用所使用的输入源都能提供正DC电压作为系统接地的参考值。这些电源通常包括电池、墙式转接器（wall adapter）或稳压AC电源。     

碳化硅肖特基二极管，帮助降低电源转换系统成本

第三代thinQ!SiC肖特基二极管具有极低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式,不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。目前,第三代thinQ!SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V（3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A）产品和采用TO-220封装的1200V产品（2A、5A、8A、10A和15A）。     

同步整流技术

DC／DC变换器的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1．0～12V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0．6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。     

英飞凌推出第五代1200VthinQ!TM碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinQ！ TM碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200 V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电源）和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。     

LTC4353：二极管控制器

凌力尔特公司推出0V-18V双通道理想二极管控制器LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源“或”，且对电源电压的干扰小。     

供电顺序控制方法

供电顺序不仅是双极型集成电路在上电、断电时产生闩锁效应的老问题 ,而且 ,对于当前的多电压系统或需要不同Ｉ／Ｏ电压、核电压的板级设计同样是一个值得关注的问题。许多应用要求在上电、断电时有顺序控制 ,因为用老式的双极性电源供电器件 (如ＤＧ４０１模拟开关 )必须先上正电源、然后 (可能 )是逻辑电源、最后是负电源。而违反此规律则会导致半导体内部的闩锁。虽然加入外部保护二极管可以防止闩锁 ,但是由于外部的保护二极管会限制可用的模拟输入电压范围 ,因此更好的方法是用专用方法来控制芯片的供电和断电顺序。ＤＳＰ和其它多电源…     

LTC4412:低损耗ThinSOT封装Power-Path控制器

Linear Technology公司低损耗PowerPath控制器器件--LTC4412可控制一个外部P沟道MOSFET来为电源切换或负载均衡,提供理想的二极管功能。与肖特基二极管的指数曲线相比,导通时MOSFET上的电压降低至10mV。