立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

对向靶溅射制备CN膜研究

使用对向靶系统在Ｓｉ（１００）基片上于不同Ｎ２分压下制备ＣＮ膜样品。Ｘ射线衍射表明样品为非晶结构。用Ｘ射线光电子谱测量膜中Ｎ的含量,结果表明膜中／Ｃ随Ｎ２分压提高而增大,当Ｎ２分压为１００％时,Ｎ／Ｃ达到０．４６。用Ｘ射线光电子谱和红外谱研究了膜中Ｃ与Ｎ的键态,结果表明膜中Ｃ与Ｎ之间存在化学键合。Ｎ与Ｃ的键态主要由Ｎ－ｓｐ＾２Ｃ和Ｎ－ｓｐ＾Ｃ及少量Ｃ＝Ｃ组成。     

超硬薄膜β-C3N4的制备和表征

本文采用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）法,用高纯敢（９９．９９９％）和甲烷（９９．９％）作反应气体,在单晶硅多晶铂基片上沉积β－Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析了这种晶态Ｃ＝Ｎ膜的化学成分,对不同样品的分析结果表明,Ｎ／Ｃ原子比在１．１－２．０范围内,Ｘ射线衍射结构分析结果与计算的α－和β－Ｃ３Ｎ４单相Ｘ射线的峰位和强度相比较,说明它共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到３４９ＧＰＡ。     

离子束溅射沉积羟基磷灰石涂层钛种植体材料的制备和表征

采用Ａｒ＾＋离子束溅射沉积技术和钛基体上沉积羟基磷灰石薄膜涂层,Ａｒ＾＋离子束的能量分别为０．９ｋｅＶ、１．２ｋｅＶ和１．５ｋｅＶ。利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电（ＳＥＭ０、透射电镜（ＴＥＭ）和红外光谱（ＦＴＩＲ）等检测方法,对制备的羟基磷灰石薄膜涂层进行了表征。Ｘ射线衍射和透射电结果表明该薄膜涂层为非晶态;红外光谱中无羟基（ＯＨ）特征峰存在,ＣＯ３根吸收峰的出现说明制备过程中会引入ＣＯ３根;扫     

Al—5Fe—2Ni合金析出相的Mossbauer谱

用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱学和ＸＲＤ方法研究了快速凝固Ａｌ－５Ｆｅ－２Ｎｉ（原子百分数）合金的析出相，结果表明，析出相为三元化合物Ａｌ９ＦｅｘＮｉ２－ｘ（０〈ｘ〈２）属于单斜晶系，晶格参数ａ＝０．８５８ｎｍ，ｂ＝０．６３１ｎｍ，ｃ＝０．６２１ｎｍ，β＝９４．８，它的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱为一套双线，同质异能移位ＩＳ＝０．１２ｍｍ．ｓ＾－１，四极分别ＱＳ＝０．３２ｍｍ．ｓ＾－１，线宽Г＝０．２６ｍｍ．ｓ＾     

用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成;Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜     

氯化聚乙烯及其接枝氯乙烯悬浮液粘度的研究

本文采用搅拌法测量氯化聚乙烯（ＣＰＥ）及氯化聚乙烯（ＣＰＥ）接枝（－ｇ－）氯乙烯（ＶＣ）悬浮液的粘度，与含固率建立关系，用Ｍｏｏｎｅｙ和Ｒｏｂｉｎｓｏｎ方程式进行关联。由悬浮液表观粘度ηａ与含固率ψｖ的关系曲线得出临界含固率ψｃ，结果发现ψｃ与悬浮液沉降层体积Ｖｐ呈线性关系：ＣＰＥ：ψｃ＝－０．４５５Ｖｐ＋１．４５６；ＣＰＥ－ｇ－ＶＣ：ψｃ＝－０．１８６Ｖｐ＋０．７５２     

不同热化学还原LiNbO_3：Ti或Mn晶体杂质电荷态和点缺陷

采用光学吸收和电子顺磁共振（ＥＳＲ）技术表征不同热化学还原ＬＩＮｂＯ３：Ｔｉ，Ｍｌｉ（ＬＮ：Ｔｉ，Ｍｎ）和纯的Ｌｉ／Ｎｂ＝０．９４５一致熔化ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）晶体的热力学还原习性．将ＬＮ：Ｔｉ（厚度为１ｍｍ）样品放在Ｌｉ２ＣＯ３中、６００℃、保温７ｈ，产生６９０ｕｒｎ（～１．８ｅＶ，Ｔ＝６７％）和峰值靠近７８５ｎｍ（Ｔ＝７１％）的７７０￣８１０ｎｍ光学吸收带，它们分别对应于Ｔｉ（３＋）的２Ｔ→２Ｅ跃迁以及室温稳定Ｆ＋心滞有一个电子的氧空位）．经真空１．２Ｐａ，８００℃２ｈ还原后，存在峰值为６７５ｎｍ（Ｔ＝５２％）的４８０～７８０ｎｍ平滑吸收带，它们是Ｔｉ（３＋）、Ｆ心和Ｆ＋心重叠吸收，但是，在Ａｒ气氛下、９００℃、８ｈ处理后，仅能看到峰值在６７５ｎｍ（Ｔ＝５２％）的６００～７８０ｎｍＴｉ（３＋）的弱吸收．来自未处理ＬＮ：Ｔｉ晶体的室温和Ｘ带的ＥＳＲ＄观察到ｇ＝４．３４８，共振磁场０．１５２ＴＨ（ｐ－ｐ）＝０．０１６３Ｔ微波吸收峰，以及四组精细结构Ｂ线（每一ｆｓ线是由６条超精细结构ｈｆｓ组成），ｇ值从３．４６０～１．６７９吸收，它们分别归为于晶体杂质Ｆｅ（３＋）和Ｍｎ（２＋）离子．真空还原后，Ｆｅ（３＋）的     

高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究了薄膜的组成和形貌，结果表明，当沉积温度为５００＾０Ｃ和６００＾０Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３００＾０Ｃ和４００＾０Ｃ地，薄膜以无定形结构为主，薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成，不同沉积温度     

曝光时对DCG中Cr2P3／2XPS谱的影响的研究

通过对不同曝光量的重络酸盐明胶（ＤＣＧ）中的Ｃｒ２Ｐ３／２ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）的测定发现，Ｃｒ２Ｐ３／２ＸＰＳ谱随曝光量呈规律性的变化；在０￣１９５ｍＪ／ｃｍ＾２曝光量范围内，它的１／５高密度（ＦＷＦＭ，即：ｔｈｅ ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｆｉｆｔｈ ｍａｘｉｍｕｍ）和５７６．４ｅＶ附近的峰的相对强度先随曝光量的增加而减小；相反，它的５７９．４ｅＶ和５７７．４ｅＶ附近的两个峰的相对强度却     

合成硼碳氮体系薄膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析３００～５００℃等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜。利用合成薄膜成分可控的特点,研究Ｂ、Ｃ、Ｎ对薄膜的ＸＰＳ影响。结果表明,ＸＰＳ分析合成氮化硼薄膜能够确定其化学组成,但不能确定ｓｐ＾２和ｓｐ＾３型键合结构特性;ＸＰＳ分析硼碳氮薄膜能够确定其成分和结构特性。在较高的工艺温度下,等离子体源离子渗氮合成的硼硕氮薄膜具有ｓｐ＾２和ｓｐ＾３型复合的键合     

磁控溅射Fe-N薄膜的结构和性能

研究了氮流量对磁控溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性和结构的影响．加氮薄膜的软磁性能明显优于纯铁的．当氮的流量为１．０ｍＬ·ｍｉｎ~（－１）时,矫顽力 Ｈ_ｃ达到最小值２０５Ａ／ｍ．当氮流量为０．８ｍＬ·ｍｉｎ_（－１）时,饱和磁化强度达到Ｍ_ｓ＝２．３６Ｔ．在 Ｆｅ－Ｎ薄膜中未发现γ’－Ｆｅ４Ｎ和 α”－Ｆｅ１６Ｎ２．     

MPCVD法在Si衬底上生成β—C3N4晶态薄膜的研究

以Ｎ２,ＣＨ４作为反应气体,采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）进行碳氮膜的合成研究。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压,在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基底上气相合成β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜。扫描电子显微镜（ＳＥＲＭ）下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜具有六角晶棒的密结构。ＥＤＸ分析胡沉积条件的不同,六角晶棒中Ｎ／Ｃ在１．０～２．０之间。Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）发现薄膜中含有β－Ｃ３     

等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡＩＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ＾－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０＾４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０,基靶距离ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡＩＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡＩＮ     

类镓等电子序列Ca I—KrⅣ离子的若干谱线和振子强度的计算

本文通过分析类镓等电子序列Ｃａ Ｉ－Ｘｅ Ｘ Ｘ Ⅳ离子４ｓ＾２４ｐ、４ｓ＾２４ｄ、４ｓ４ｐ＾２、４ｐ＾３、４ｓ＾２５ｓ组态能级的ＨＸＲ方法理论计算值与实验值之差△Ｅ与净电荷数Ｚｃ沿等电子序列的变化规律，找到每条能级的△Ｅ与Ｚｃ的半经验公式，用半经验公式外推预测了至今未见报道的Ｃａ Ｉ－ＳｅⅣ离子４ｐ＾３组态能级，同时补充了文献〔１〕中部分遗漏的能级和更正了个别辩认中的错误。     

新型复合钙钛矿Ba(SbⅢ,SbⅤ)O3的水热合成和表征

采用水热晶化法制备了Ｂａ（Ｓｂ＾Ⅲ,Ｓｂ＾Ⅴ）Ｏ３新型钙钛矿型氧化物,并通过ＸＲＣＤ、ＩＲ、ＳＥＭ和ＩＣＰ等方法对产物物相、形貌和组成等进行了表征,结果表明,产物为立方钙钛矿结构。晶肽参数为ａ＝０．４１５ｎｍ,粒度为１￣２μｍ具有一定团聚的多晶粉末,产物中锑为三价和五价两种价态,水热条件对合成影响的研究结果表明,Ｂａ（Ｓｂ＾Ⅲ,Ｓｂ＾Ⅴ）Ｏ３合成的适宜碱度和ｎｓｂ（Ｖ）／ｎＳｂ（Ⅲ）分别为８￣１０     

多元线性超结构关系模型参数估计的大样本性质

讨论了如下线性超结构关系模型βｘｋ＋α＝０，ζｋ＝ｘｋ＋εｋｋ＝１，２，．．．ｎ，（εｋ，ｋ＝１，２，．．．ｎ）ｉ，ｉ，ｄ，Ｅ（ε１）＝０，Ｖａｒ（ε１）＝σ＾Ｉｍ其中（ｘｋ，ｋ＝１，２，．．．．，ｎ）为相互独立的ｍ维ｒ．ｖ．列，且和随机误差（ε，ｋ＝１，２，．．．．，ｎ）相互独立，在一定条件下，证明了ＬＳ估计量β，α，σ＾２的强相合性，唯一性，并给出了估计量的一类ａ．ｓ．收敛速度０（ｎ＾－１／２     

X射线影像存储材料BaF_xCl_（2－x）Eu~（2＋）的制备及其热释发光和

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影象存储材料ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０１．１５）。通过改变Ｆ／Ｃｌ比值，研究了在Ｘ射线辐照后ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的光激励发光性质，给出了Ｆ／Ｃｌ比值与光激励发光强度的关系。     

蓝色发光材料—聚（2,5—二庚氧基对苯撑）的合成和性质

以ＦｅＣｌ３为催化剂,通过氧化偶联反应合成了在一般有机溶剂中完全可溶的聚（２,５－二庚氧基对苯撑）（ＨＯ－ＰＰＰ）,其平均聚合度Ｐｎ＝１０。使用＾１Ｈ－ＮＭＲ、ＩＲ手段对其结构进行了表征。ＨＯ－ＰＰＰ在ＵＶ－Ｖ１ｓ谱图上的最大吸收峰位于２４２ｎｍ（Ｅ１吸收带）和３３５ｎｍ（Ｅ２吸收带）。Ｅ２吸收带相对于未取代的聚对苯撑（ＰＰＰ）产生的了较强的红移（约３５ｎｍ）,根据吸收边计算其π→π＾＊跃迁的禁带     

N×N二维DFT的多项式变换算法及其并行算法（N=2^t·3^s）

详细讨论了Ｎ×Ｎ二维ＤＦＴ的多项式变换及其并行算法，这里Ｎ＝２ｔ·３ｓ，将这种算法推广到Ｎ＝ｐ１＾ｔ·ｐ＾２＾ｓ的情形（ｐ１，ｐ２为互异素数）。与通常的行列算法比较，本文算法乘法量减少约５０％，加法量略有增加。