12dB微波薄膜衰减器的设计与制备

基于T型衰减网络结构设计并仿真了工作频率为DC~3GHz的微波薄膜衰减器,并采用磁控溅射法在BeO基片上制备了TaN微波薄膜衰减器。仿真结果表明,所设计的微波薄膜衰减器在DC~3GHz工作频率内,衰减量为12 dB,输入端口电压驻波比小于1.1。测试结果表明,所制备的微波薄膜衰减器在DC~3GHz工作频率内,衰减量为(12.0±0.5)dB。     

MEMS可调式光衰减器性能测试及其分析

采用微细加工的方法研制出了一种可调式微机械光衰减器 ,对该衰减器的性能进行了测试 ,并对影响其光学性能的因素作了分析。测试表明 ,该衰减器的插入损耗<3dB ,衰减范围 0～ 4 0dB ,回波损耗 <- 45dB ,衰减精度可达 0 1dB。     

MMIC芯片衰减器的设计与检测

本文提供了一种单片微波集成电路(MMIC)芯片衰减器,采用氮化钽薄膜作为电阻材料,利用嵌套掩膜刻蚀技术将芯片衰减器结构一层一层套刻在陶瓷基片上。主要研究了利用氮化钽薄膜电阻制作芯片衰减器的优点,结合HFSS仿真软件,建立3 dB和10 dB芯片衰减器的有限元模型,并对实物产品进行测试验证。试验结果表明:3 dB芯片衰减器在DC～20 GHz工作频率内有较好的衰减响应,回波损耗在整个宽频带内都小于-20 dB,衰减量偏差在DC～12 GHz工作频率内小于±0.3 dB。10 dB芯片衰减器在DC～20 GHz工作频率内也有较好的衰减响应,回波损耗在整个宽频带内都小于-19 dB,衰减量偏差在DC～12 GHz工作频率内小于±0.35 dB。     

一款高精度大衰减量单片数控衰减器

介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑。通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标。单片电路测试结果为:在3～100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5～63.5 dB。测试结果表明设计方法有效、可行。电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V。     

高性能2 ~ 18GHz 超宽带MMIC 6 位数字衰减器

介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB;插入相移:+6.28°/-1.53°;64态幅度均方根误差<1.0dB;64态相移均方根误差<1.3°;芯片尺寸:2.89mm×1.22mm×0.1mm。工艺成品率高达85%。     

Ku波段6bit数字衰减器MMIC的小型化设计

基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。     

光控高温超导衰减器及光斑偏移对其光响应特性的影响

研制了工作于液氮温度的高温超导系统使用的新型光控高温超导微波可变衰减器.该衰减器的实质是利用钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜极低的微波表面电阻和卓越的激光响应特性,达到了优良的衰减性能.主要结果包括:可独立使用的光控高温超导微波可变衰减器样品尺寸为12 mm×8 mm×0.5 mm,与高温超导系统集成时无需外壳,体积与重量将大幅减小;高温超导衰减器的插入损耗小于0.2 dB,比常规衰减器低1个数量级;高温超导衰减器的可变衰减精度小于0.01 dB,比常规衰减器至少低1～2个数量级;在本实验条件下,当激光光斑中心偏移微带线中心0.3、0.5和0.7 mm时,其衰减器插损将由0.08 dB变为0.05、0.03和0.01 dB,说明激光光斑偏移量是影响YBCO高温超导衰减器性能的重要因素.     

1-18GHz GaAs单片集成电调衰减器

本文叙述了单片宽带GaAs MESFET电调衰减器的设计和制作.单片微波集成衰减器由3个MESFET按T型连接构成,整个芯片的尺寸为1.02×0.72mm.在1～18GHz范围内,插入损耗为2.0～2.7dB,各衰减状态下的输入和输出电压驻波比≤2.0,最大衰减量达20dB.在9GHz下的1dB插入压缩点功率为300mW.     

0.5 μm GaAs PHEMT数字衰减器设计

采用0.5μm GRAs PHEMT工艺设计了两款工作于1～4 GHz的数字衰减器.一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器.衰减步进0.8 dB.最大衰减量5.6 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-3°～2°之间.     

高性能程控光衰减器的设计

基于灰度级中性密度滤光片衰减原理和光电旋转编码器控制技术研制成功的高性能程控光衰减器,取得了优良的衰减准确度(±0.1dB)、衰减重复率(0.015dB)、偏振相关损耗(≤0.03dB)、回波损耗(≥48dB)、插入损耗(≤1.8dB)等技术性能.详细介绍和分析了该光衰减器的关键技术及实施,并给出了相关的性能测试结果.为方便用户使用,光衰减器还设计了灵活的操作界面和计算机远程控制功能.光衰减器的各项技术指标均能满足用户的实际测试需要,在光纤通信领域获得了广泛的应用.     

光域微波信号缓存的关键技术研究

随着雷达、技侦、通信等无线电设备的瞬时工作带宽不断拓展,现有的数字储频（DRFM）技术难以满足现代电子战的要求。然而微波光子技术具有的超大带宽、超低损耗、抗电磁干扰等优秀特性,可很好地提升电子战装备的性能。本文提出了利用微波光子技术在光域内实现微波信号的缓存方法,用于大幅拓展现有数字储频技术的瞬时工作带宽、减小体积功耗、提升抗电磁干扰能力。针对电光调制、超高速光开关等关键技术进行了详细设计,并利用Matlab进行相关技术仿真,搭建了光域微波信号缓存试验系统,对其关键指标进行了验证。     

一种基于内场仿真的X波段的比幅注入网络

介绍了一种应用于内场仿真的微波比幅注入网络的设计方法,包括比幅注入网络的硬件组成、工作原理、实现方法以及比幅测向的原理等,并以X波段为例对这种方法进行了详细的介绍。比幅注入网络可用于电子装备的内场仿真试验、比幅测向体制侦察接收机的研制和试验保障等工作。     

微波光子技术在雷达相控阵中的应用分析与展望

近年来,微波光子技术在雷达、通信和电子对抗中的应用得到了越来越多的关注。本文简单介绍了微波光子技术的发展情况和优势,对微波光子技术在雷达相控阵工程应用中存在的光电/ 电光转换损耗大、集成度低、通道一致性差、成本高昂等问题进行了探讨,给出了微波光子技术在雷达相控阵中三种典型的应用场景,并针对目前存在的问题,提出了促进微波光子雷达相控阵推向工程应用的关键技术,包括高效的电光/ 光电转换、高性能的射频光传输和光电混合集成等。希望通过关键技术的突破,促进微波光子技术在雷达相控阵中实现大规模工程应用。     

基于LTCC技术的VCO研制

压控振荡器(VCO)在通信、雷达、测试仪器等领域中的应用非常广泛,但宽带调谐、小型化一直是VCO的设计瓶颈。文章描述了基于一种低温共烧陶瓷(LTCC)技术的微波振荡器的设计和制作,建立内埋式电感模型,并通过专用微波电路设计软件(AWR)对VCO电路进行分析,调整VCO匹配电路。测试结果表明,VCO输出频点为1.5～2.3GHz,输出相位噪声为-106dBc/Hz@100kHz,输出功率为13dBm。外形尺寸为6.9 mm×6.9 mm×1.2mm,远小于传统VCO体积,适应系统小型化的趋势。     

基于ADS的微波混频器设计与仿真

随着射频通信技术和微电子技术的迅速发展,微波混频器正广泛应用于移动通信、雷达、电子对抗及射频和微波电路等领域,其性能好坏直接影响到整个系统的性能。根据微波混频器设计理论,在分析微波混频器原理的基础上,设计中心频率为5GHz单平衡微波混频器,完成单平衡混频器中3dB定向耦合器、低通滤波器、二极管和匹配网络电路设计。阐述利...     

海上微波通信传输特性与衰落改善研究

随着靶场试验站点、兵力和参试装备的日益增多,对统一指挥、协同作战、资源共享的要求越来越高.通过海上微波通信系统可以实现试验场态势数据、武器装备参数、指挥控制数据和其它各类信息的传输.主要研究了海上微波通信的传输特性,计算分析了信号衰落情况,并提出了改善信号衰落的措施.     

军用电子装备数字系统自动测试技术

首先综合论述了目前可用于军用电子装备数字系统的自动测试技术,然后介绍了一种适用于海军新型舰载电子装备数字电路板的故障诊断技术,经过对部分雷达、电子战以及指控系统等舰载电子装备数字电路板的实际运用,表明该项技术能够实现对海军新型舰载电子装备的故障诊断。     

三综合全负荷试验箱的试验安全性研究

三综合全负荷试验系统可以全面、准确地反映雷达等受试设备在高温、高湿和强震动环境下的性能,同时还可以发现受试设备的暂时性失效。但是,因为泄漏的电磁波在金属制成的三综合试验箱中会形成多次反射而加强,其能量足以影响雷达等受试设备的性能,甚至损坏受试设备;同时泄漏的电磁波也会影响测试结果的准确性。采用吸波材料是行之有效的方法。使用电磁场分析软件(FEKO)来计算三综合全负荷试验箱中的行波管附近的场强,然后再采用填充吸波材料的方法来减小试验箱中的场强;同时用FEKO计算在不同部位填充吸波材料后的场强,从而得到最佳的填充方案。     

快速电磁计量软件包设计及应用

在现代电磁现象随处可见的信息时代中,电磁场理论被广泛应用到科学技术的各个领域中,比如移动通讯、无线电波传播、雷达技术、天线、卫星通信、微波电子线路等,各种不同形式的应用对电磁场理论提出了较高的要求,但是全新的应用对电磁场问题的快速求解也越来越依赖.为了满足工程使用的需求,电磁学就要不断的改善及改进,从而能够解决计算机存储量及运算速度不断发展,从而使其受到限制的问题.将计算机技术及数值算法相结合,提高复杂目标问题求解的快速性及精准性,为电磁使用提供基础.基于此,本文就对快速电磁计算软件包的设计进行研究,并且对其的应用进行描述.     

有源阵列天线的系统噪声

有源阵列天线系统的噪声是有源相控阵雷达、通讯等系统噪声的主要成分,本文从微波网络理论入手,结合统计理论对有源阵列天线的噪声温度进行理论分析,为有源阵列天线系统噪声的分析、设计和测试提供了完整的数学模型和方法.