亚稳态氖原子光刻的实验研究

用亚稳态氖原子束进行了原子光刻实验。用栅网作掩膜 ,以扩散泵油的有机分子在高能亚稳态氖原子作用下所生成的碳膜作抗蚀剂 ,在硅片上刻蚀出分辨率为 2 μm的微结构 ,为进一步的纳米级原子光刻技术的研究打下了基础。     

准单色亚稳态氦原子束源系统研究

研究设计了一种亚稳氦原子束源系统。采用电子激发方法产生亚稳态氦原子，利用喷嘴经等熵澎胀形成原子束，通过该原子束的纵向速度进行选择，以及利用激光冷却来实现横向准直，制备出准单色亚稳态氦原子束。     

用于热原子束的消色差原子透镜的研究

研究了与钠原子束斜交的激光束所构成的消色差原子透镜的聚焦特性 ,计算结果表明 ,由于色差得到一定程度的修正 ,沟道化钠原子的条纹宽度减小了一半 ,且信噪比得到了显著的提高。     

用激光感应荧光法测量钇原子束中的原子速度分布

本文用激光感应荧光法测量了钇原子束的速度分布曲线。其最可几速度为820m/s,速度分布半宽度为510m/s。由等熵关系,估计此时钇原子源的温度为1587K。     

冷原子束或超冷原子束的产生及其应用

综述了冷原子束或超冷原子束产生的基本原理、方法和实验结果及其最新进展.重点介绍了建立在激光冷却(多普勒、亚多普勒和亚反冲冷却机制)和磁光阱技术基础上的冷原子束或超冷原子束产生方案,并简单介绍了冷原子束或超冷原子束在基础物理问题研究和原子光学等领域中的应用.     

氖原子的亚稳态光电流光谱

实验观察了 Ne 的亚稳态光电流光谱信号正的部分随着放电管工作电流的增大而减小的过程。同时对信号从负到正变化的机理进行了讨论。     

HCD中铀基态原子衰变时间常数和亚稳态原子寿命测量

利用窄脉冲和高重复率放电的铀空心阴极灯溅射的原子作为蒸气源,用CW染料激光激发并以荧光法探测,得到了铀基态原子的衰变时间常数和正稳态原子的寿命。     

原子光刻及关键技术分析

文章对原子光刻进行了深入的分析,介绍了其基本概念、工作机理、相关实验方案,针对原子光刻的原子捕获、激光稳频、原子束聚焦和沉积等关键技术,进行了分析和探讨。     

光刻机照明系统中光束稳定技术研究

光束稳定技术是光刻机照明系统中一项重要的单元技术,其作用是将激光器出射的经长距离传输后的光束稳定在需要的指向和位置上,以保证照明系统具有稳定的光强分布。光束稳定系统主要由光束测量和光束转向两个功能模块组成,推导了两个模块之间的光束传递矩阵,并基于LabView搭建了光电闭环控制实验系统。对系统性能进行了测试,通过人为引入已知光束漂移量得到如下结果:系统的指向稳态误差低于±3μrad,位置稳态误差低于±0.04mm,系统调整时间小于80ms。结果表明该系统可以精确地把光束稳定在需要的指向和位置。     

电子束光刻三维仿真研究

本文利用Monte Carlo方法及优化的散射模型,对电子束光刻中电子在抗蚀剂中的散射过程进行了模拟,通过分层的方法,对厚层抗蚀剂不同深度处的能量沉积密度进行了计算,建立了电子束光刻厚层抗蚀剂的三维能量沉积模型。根据建立的三维能量沉积模型,采用重复增量扫描策略对正梯锥三维微结构进行了光刻仿真。理论分析和仿真结果表明,利用分层的三维能量沉积分布模型能更精确地实现电子束光刻的三维仿真。     

冷原子束在线检测系统

应用荧光法和飞行时间(TOF)法实现了冷原子束纵向速度谱、通量及原子能态分布的在线检测。设计用于荧光收集的光学系统和机械结构,实现了焦距可微调的即插即用式荧光检测装置,实现了冷原子束检测系统的集成性和检测结果的高信噪比(SNR)。利用LabView软件实现对光电倍增管(PMT)、飞行时间法检测时序及检测激光的扫频范围等的控制,可在线得到原子束性能参数,并对数据进行平滑处理。检测结果表明,检测系统检测信号的信噪比为57:1(在20ms内)。     

电子束曝光机自动套准系统的研究

本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循环需时１１秒；角度最小修正值为０．０１４度，最终实现的套准精度达到３σ≤０．０７μｍ。     

电子束光刻制造软刻蚀用母板的研究

使用通用电子束曝光机,采用一种新的电子束微三维加工的重复增量扫描方式进行曝光实验,显影后得到轮廓清晰的微三维结构,以此为制作弹性印章的母模板,经硅烷化后可用来制作弹性印章,得到弹性印章后便可再利用软刻蚀相关技术进行微图形的复制.曝光实验的结论表明采用电子束重复增量扫描方式可用来制作微三维弹性印章的母版.     

电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用

电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。     

纳米级高压扫描电子束曝光技术

通过简单添加一些附件,将一台带有扫描附件的商用透射电子显微镜改造为一台高压扫描电子束曝光机,以研究高压下高分辨率、高深宽比抗蚀剂图形曝光及邻近效应的影响。重点介绍了如何获得一个高分辨率的电子光学系统,并利用此系统初步进行了曝光实验,在120nm厚的PMMA胶上获得了53nm线宽的抗蚀剂图形,表明此装置可用于纳米图形的制作。