氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究

用对向靶溅射方法制行出氮化铁梯度薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对样品进行了深度剖面分析，铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。Ｘ射线衍射表明膜中含有α＝Ｆｅ，－Ｆｅ１６Ｎ２，ε－ＦｅｘＮ（２〈ｘ≤３）和δ－Ｆｅ２Ｎ各相。随着氮分压增加，膜中含氮量高的相比例亦增加，饱和磁通密度逐渐降低。     

氮化铁梯度薄膜的制备

用对向靶溅射仪制备了具有梯度结构的氮化铁薄膜材料．卢瑟福背散射分析结果表明，铁、氮两种原子的密度沿膜厚度方向呈梯度变化．在薄膜中有ζ－Ｆｅ２Ｎ，ε－ＦｅｘＮ（２＜ｘ＜３），γ′－Ｆｅ４Ｎ和α″－Ｆｅ１６Ｎ２等物相．振动样品磁强计测试结果表明部分梯度膜的饱和磁化强度值接近纯铁膜，膜面富铁的梯度样品的矫顽力与基底富铁的梯度样品的矫顽力相差很大。     

NdFe7—xMox薄膜的制备和磁性研究

利用对向靶溅射，同时对基片进行退火进行处理的方法，在玻璃基片上成功地制备出了ＮｄＦｅ７－ｘＭｏｘ（ｘ＝０，０．５）薄膜，并对其进行了磁性研究，ＶＳＭ测量结果表明，，Ｍｏ掺入导致了材料矫顽力ＨＣ的增大，却相应降低了饱和磁化强度Ｍｓ。随着退火温度Ｔ 提高，Ｈ随之增大，当Ｔ－５７３Ｋ时，出现一极大值为３７．８ｌＡ／ｍ，此时的热磁测量表明，样品具有最高居里温度，ＴＣ＝７７５Ｋ。     

对向靶溅射制备NiCr—NiSi薄膜热电偶的动态特性研究

用对向靶溅射制备了ＮｉＣｒ－ＮｉＳｉ薄膜热电偶，实现了薄膜民分与靶材基本一致。对热电偶进行动态特性测试表明，薄膜热电偶的时间常数τ随膜厚变薄而减小，并对此进行讨论。     

对向靶溅射高饱和磁化强度（Fe,Ti）—N薄膜

本实验用对向靶溅射仪分别在Ｓｉ（１００），ＮａＣｌ单昌衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜，研究了氮气分压和衬底温度对结构与磁性的影响。氮气分压为０．０４－０．０７Ｐａ，衬底温度淡１００－１５０℃时，有利于Ｆｅ１６Ｎ２相的形成，在此条件下制备的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜的饱和磁化强度为２．３－２。．４６Ｔ，超过纯Ｆｅ的饱和磁化强度值。     

对向靶溅射制备NiCr-NiSi薄膜热电偶的动态特性研究

用对向靶溅射制备NiCr－NiSi薄膜热电偶，实现了薄膜成分与靶材基本一致。对热电偶进行动态特性测试表明，薄膜热电偶的时间常数τ随膜厚变薄而减小，并对此进行讨论。     

NdFe_(7-x)Mo_x薄膜的制备和磁性研究

利用对向靶溅射，同时对基片进行退火处理的方法，在玻璃基片上成功地制备出了NdFe7-xMox（x=0，0．5）薄膜，并对其进行了磁性研究。VSM测量结果表明，Mo掺入导致了材料矫顽力Hc的增大，却相应降低了饱和磁化强度Ms。随着退火温度T的提高，Hc随之增大，当T=573K时，出现一极大值为37．8kA／m，此时的热磁测量表明，样品具有最高居里温度，Tc=775K。     

对向靶溅射制备CN膜研究

使用对向靶系统在Ｓｉ（１００）基片上于不同Ｎ２分压下制备ＣＮ膜样品。Ｘ射线衍射表明样品为非晶结构。用Ｘ射线光电子谱测量膜中Ｎ的含量,结果表明膜中／Ｃ随Ｎ２分压提高而增大,当Ｎ２分压为１００％时,Ｎ／Ｃ达到０．４６。用Ｘ射线光电子谱和红外谱研究了膜中Ｃ与Ｎ的键态,结果表明膜中Ｃ与Ｎ之间存在化学键合。Ｎ与Ｃ的键态主要由Ｎ－ｓｐ＾２Ｃ和Ｎ－ｓｐ＾Ｃ及少量Ｃ＝Ｃ组成。     

磁控溅射制备铁掺杂氮化铜薄膜的研究

采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜.XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱.AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加.铁掺杂不同程度地提高了氮化铜薄膜的沉积速率和电阻率.     

Fe-Al-N薄膜的制备和磁性能

用双离子束溅射法在(100)硅片和NaCl单晶基片上制备出FeAlN薄膜，研究了主源气氛和基片温度对FeAlN薄膜的结构及磁性能的影响。在基片温度较高或主源中氮的含量较低时，FeAlN薄膜有较高的饱和磁化强度Ms．加入Al使薄膜的晶粒细化，也使其矫顽力下降，热稳定性提高．在500℃退火后，A1的原子分数为10．0％的FeAlN薄膜仍具有较好的软磁性能，饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc分别为2.02T和0．96kA／m．     

氧化锌透明导电薄膜的制备及其特性

氧化锌薄膜的透明导电特性与化学计量偏离和溅射条件有关。以２％氧化铝掺杂的氧化锌陶瓷作靶,采用ＦＲ磁控溅射技术制备的透明导电薄膜,其电阻率４．５＊１０＾－３Ωｃｍ,载流子浓度２．８＊１０＾２０ｃｍ＾－３,霍尔迁移率１５．８ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ平均透射率大于８０％。     

SP 淀粉塑料膜的制造、性能与应用

本文介绍了 ST/PVA 淀粉塑料薄膜的制造、性能和应用情况,该薄膜是当今世界新型高分子材料之一,具有原料丰富,成本较低和可自然降解无污染的特点,为解决塑料污染全球性问题提供一条可靠途径,属国内首创产品,有良好的开发前景。     

Fe／Ag复合团簇镶嵌薄膜微观结构和磁性的研究

提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积制备复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并分别在方华膜和单晶Ｓｉ（１１１）衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ磁性复合团簇镶嵌薄膜样品，对所制备的样品进行了透射电镜分析，Ｘ射线能谱分析和振动样品磁强计磁性测量。结果表明，样品中Ｆｅ、Ａｇ形成了相分离，为ｆｃｃ结构的Ａｇ和ｂｃｃ结构的Ｆｅ多晶共存形态；对应于不同大小的Ｆｅ团簇样品，与块材相比，Ｆｅ团簇的晶格常数呈现出不同程度的收缩，     

稀土掺杂聚氨酯光固化涂层光转换膜的制备及性能

以PET、PVC薄膜为基底，削备掺杂稀土络合物的聚氨酯光转换膜。讨论了配体与稀土离子之间的能量转移作用。结果表明，聚合物涂层对透过率基本没有影响，而涂层厚度对荧光强度的影响逐渐趋缓。荧光强度随固化时间增加先增强后减弱，在20min时达到最大值。随着丙烯酸铕浓度的增加，荧光强度随掺杂浓度增加而增加，达到4％时出现了浓度淬灭现象，随后有所减小。掺杂后的聚氯酯膜热稳定性有所增强．利用显微镜和扫描电镜观察了复合膜的均匀性。     

人发角蛋白溶液成膜的结构与性能

研究了稳定的角蛋白溶液及角蛋白质膜的制备，并利用SEM，DSC及力学性能测试等手段，表征了角蛋白溶液成膜的结构及性能。     

碳化硅薄膜制备方法及光学性能的研究进展

碳化硅薄膜有密度小、热导率高、热膨胀系数低、硬度高等优异的性能。介绍了制备碳化硅薄膜的2种常用方法。即化学气相沉积和磁控溅射技术,比较了2种方法的各自优势。总结了碳化硅薄膜光学性能及短波发光特性的研究进展。     

AZO透明导电薄膜的制备技术及应用进展

概述了国内外AZO透明导电薄膜的多种制备技术和开发应用进展。详细介绍了磁控溅射、溶胶-凝胶、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积等工艺在AZO薄膜制备中的研究现状,并且在对AZO膜与ITO膜性能比较的基础上,指出AZO薄膜的产业化前景好。     

ZnO薄膜的结构、性能及其应用

从ZnO薄膜的晶体结构、光学性能、电学性能、光电特性、气敏特性等方面综述了ZnO的研究重点和应用前景。     

用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率。结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V－I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大。InGaAs薄膜的发射光波长为1.3-1.5μm。