半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一.针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础.介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件.     

基于失效机理的半导体器件寿命模型研究

为了探讨不同失效机理对元器件寿命的不同影响.文中分析了半导体器件的三个主要失效机理(电迁移、腐蚀和热载流子注入)的影响因素及寿命模型,并通过具体数据计算分析了加速因子对不同状态下半导体器件寿命所产生的影响.     

PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析

光发射显微镜(PEM)是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术.随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析.本文介绍了光发射显微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用.     

半导体器件应用中的可靠性及失效分析

本统计分析了引起半导体器件失效的一些主要失效原因，阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用。     

一些国产半导体器件失效原因初探

本文就我所在使用现场中失效的一些国产半导体器件的分析.给出了器件的主要失效摸式,并对失效原因作了初步探索,提出了改进意见.     

半导体器件的贮存寿命

从失效机理出发,探讨了半导体器件的贮存寿命,提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例.介绍了俄罗斯的规范,建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订.     

半导体器件参数退化失效分析

1 前言电参数漂移、超差或退化是半导体器件常见的失效模式。这类失效会导致产品合格率不高;使得成品器件档次下降;更严重的是还会影响整机的寿命和可靠性.引起这类失效的原因很多,如材料缺陷,生产工艺欠佳,使用条件、环境所致等等.但要对参漂或退化的器件进行分析时,由于这类失效的原因复杂,失效部位难寻,不像分析致命失效那样较直观,往往不易找到其失效原因。因此,如何准确确定这类失效器件的失效原因,是半导体器件生产厂家和用户长期以来乃至今依然十分关注的问题.本文通过两种型号晶体管的失效分析实例,介绍了对半导体器件参数退化失效原因的诊断分析方法。     

深能级瞬态谱（DLTS）技术应用于半导体器件的失效分析

开展半导体器件管芯特性异常的失效分析,需要从原子分子的观点来解释器件电特性异常的原因,笔者把深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术应用于半导体器件的失效分析,测定了不同半导体器件的ＰＮ结构和肖特基势垒结耗尽层的微量重金属杂质和缺陷引起的深能级中心浓度,能级位置。用失效样品和正常样品的以上微观物理量的差异来解释半导体器件电特性异常的原因,得到了满意的结果。笔者用ＤＬＴＳ技术解决的失效分析问题包括：１．随频率的     

应用电磁波剔除早期失效的半导体器件

本文根据在横电磁波作用下半导体中载流子运动方程的解说明了电磁波对半导体器件同时具有热与非热效应作用。用实验证实了电磁波对半导体器件参数的影响,并给出了一批产品的早期失效曲线。说明了应用电磁波剔除早期失效半导体器件具有时间短,安全的优点。最后介绍了试验的系统和设备。     

半导体器件老炼筛选试验设计

老炼筛选试验是有效剔除内含固有工艺缺陷的半导体器件,以及保证半导体器件使用可靠性的重要途径。本文阐述了半导体器件早期失效的基本概念,并给出了半导体器件早期失效率的预计方法。在此基础上提出了半导体器件老炼筛选试验设计方法,以期最大限度地保证半导体器件出厂后的使用可靠性。     

应力诱发的电迁移失效分析

电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效.总结了两种典型的电迁移失效模式:热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移的失效应力诱发条件,以及失效分析方法.通过失效分析案例研究,加深对两种失效机理的认识并提供电迁移失效分析的基本思路.     

国产半导体器件长期贮存试验研究

分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析.在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7.用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据.     

半导体器件芯片焊接方法及控制

随着半导体器件在雷达、航空航天等领域的大量应用,对芯片焊接的可靠性提出了越来越高的要求.本文对半导体器件芯片焊接(粘贴)方法作了简要介绍,对几种常用方法进行了比较.并主要针对在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金焊接失效模式及其解决办法进行了讨论.     

半导体器件热特性的光学测量技术及其研究进展

热失效是影响半导体器件的性能和可靠性的主要原因,热特性和温度测量是整个电子系统热设计过程中的关键环节.光学测量方法具有非接触、无损伤的优势,在半导体及电子系统研究领域应用日益广泛.评述了各种半导体器件热特性光学测量技术的工作原理、实验装置、技术指标、应用现状,总结了现有方法中的关键问题和发展方向.     

减小ESD引起的停机时间

半导体器件常常因静电放电而失效。弄清楚失效的根源并遵守设计规则，就有助于避免这种失效。     

快速评价半导体器件失效激活能的方法

通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价半导体器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型.并对硅pnp三极管3CG120进行额定功率下,170～345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器件失效敏感参数hFE与所施加应力的关系,根据模型对器件退化过程中的失效机理进行研究、计算,从而确定其对应的失效激活能.     

电源功率半导体器件的热设计

功率半导体器件广泛应用于各种电源设备中。实践表明,功率半导体器件过热损毁是造成电源失效的主要原因之一,因此必须进行良好的热设计以提高电源的可靠性。文章根据功率半导体器件的特点,结合传热学的相关理论,讨论了在电源设备中如何进行功率半导体器件的热设计,给出了热阻计算的经验公式,对功率半导体器件的热设计具有指导作用。     

半导体器件氦检漏报告

近年来,半导体器件和集成电路发展很快,其应用也日益广泛.对其可靠性和稳定性也相应地提出了新的要求.为极大程度地消除由于器件封装漏气使管芯暴露于潮气等各种有害气氛中所导致器件电性能劣化或失效之因素,研究半导体器件和电路封装的气密性,就成为当前和今后不可低估的工作了.     

运用工艺筛选技术提高半导体器件的产品质量

一、前言半导体器件是现代无线电电子装备中的重要元件。随着空间电子技术、电子计算机、雷达、通讯技术的迅速发展,对于电子元件的质量提出了更高的要求。目前,大型军用电子设备中使用着成千上万的半导体器件,只要其中任何一个器件产生失效,机器就不能正常工作。由于电阻、电容等无源元件的可靠性一般要比半导体器件的可靠性高,因此,半导体器件质量的优劣,直接关系到电子装备的使用可靠性。没有高质量的半导体器件就不可能制造     

显卡芯片不能正常显示的分析

计算机最重要的部件之一是显卡芯片。由于其显示异常常常造成不必要的麻烦,对其不能正常显示的原因做一分析是很有必要的。按照严格的失效分析流程、使用芯片失效分析的方法准快速的查找的显卡芯片不能正常显示的原因对于计算机的集成制造和显卡芯片的品质提高有着很好的帮助。由于显卡芯片是一个高精密的半导体器件,因此使用半导体器件失效分析的基本流程的改进流程来分析显卡芯片的失效原因。