几种长波长光电检测器的性能比较与发展的评论

本文介绍长波长pin光电二极管、APD雪崩光电二极管和HPT’S光电晶体管目前水平,并对这三种器件的接收灵敏度进行比较。pin-FET组合件用于长波长直接检测的数字光通信系统,当速率在几百Gb/s以内时,其灵敏度比Ge-APD接收灵敏度高;但是,当速率在1Gb/s以上时,Ge—APD的灵敏度却比pin—FET组合件的灵敏度高。Ⅲ-V族InGaAs、InGaAsP—APD和GaAs—FET组成接收器的灵敏度,在所有的速率上都比pin—FET组合件和InGaAs、InGaAsP异质结光电晶体管接收灵敏度高。但是在几百Mb/s以内,pin光电二极管仍然在同APD相竞争。     

用于1.0—1.4微米纤维光学系统的高灵敏光接收机

本文叙述适用于1.0—1.4微米高性能光纤维通信系统的高速、高量子效率的GaAlAsSb雪崩光探测器的性能。这些雪崩光电二极管和现代的GaAs场效应晶体管电子装置相结合能组成混合集成式光接收机;这种接收机在100兆赫带宽比现有的锗雪崩光电二极管灵敏度高10～20倍。     

高速光传输用的低噪声光接收机

本文描述了用于高速光传输的硅双极晶体管低噪声光接收机的设计,研究了常用的共射一共集电极电路(CE-CC)和复合晶体管电路(带并联反馈的互阻抗放大器)。在400MHz带宽的情况下,为获得最小噪声电流,CE-CC的最佳集电极偏置电流是2.7mA,比复合晶体管电路的最佳电流1.2mA差。已经证明,复合晶体管电路的信噪比比CE-CC的信噪比约高1.5dB。锗雪崩光电二极管的低噪声复合晶体管光接收机,当速率为400Mb/s的归零(RZ)脉冲比特误码率为10~(-10)时,其灵敏度达到-41dBm,比普通的CE-CC接收机的光灵敏度改善2.5dB。     

长波长InGaAs／InP APD光接收组件

在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.     

高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现

设计并实现了一个高速12路并行CMOS单片光电集成接收机.其每一路都包括一个光探测器、一个跨阻放大器以及后续放大电路.双光电二极管(DPD)结构可以提高接收机速度,但同时降低了响应度.在跨阻放大器电路中采用有源电感来展宽-3dB带宽.通过无锡上华(CSMC)0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.测试结果显示该接收机单路传输比特率可达0.8～1.4 Gb/s,总的12路可传输15Gb/s数据.     

高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现

设计并实现了一个高速12路并行CMOS单片光电集成接收机.其每一路都包括一个光探测器、一个跨阻放大器以及后续放大电路.双光电二极管(DPD)结构可以提高接收机速度,但同时降低了响应度.在跨阻放大器电路中采用有源电感来展宽-3dB带宽.通过无锡上华(CSMC)0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.测试结果显示该接收机单路传输比特率可达0.8～1.4 Gb/s,总的12路可传输15Gb/s数据.     

光通信接收机:雪崩光电二极管和PIN—FET组件的比较

使用以前的一种典型说法分析了光电二极管体漏电流和放大器噪声对接收灵敏度影响。用PIN光电二极管的接收机的灵敏度可以因在输入级使用性能优良的微波场效应管(FET)而得到很大的改进,在800—900nm波长与硅雪崩光电二极管(APD)比较,     

1～1.4微米光学纤维系统的高灵敏光学接收器

本文描述适合于1～1.4微米高性能光学纤维系统的高速、高量子效率的GaAlAsSb雪崩光电探测器。它与GaAs场效应晶体管一起组成混合集成光学接收器,在100兆赫频宽时的灵敏度比锗雪崩二极管者高10～20倍。     

高速光检测器和高速光接收机进展

本文综述了近年来微波光电子学中高速光检测器和高速光接收机的进展，分析并对比了各种光电二极管的响应速度、噪声及暗电流特性；指出光波导与ＭＳＭ、ＰＩＮ为代表的高速光电二极管以及ＨＥＭＴ、ＨＢＴ等低噪声微波器件的光电集成，是高速光接收机的发展趋势，行波光检测器作为高速分布参数光电器件，光波导与光电二极管的融合，光场效应晶体管以及掺铒光纤放大器的应用，都是值得重视的发展动态。     

10Gbit/sAPD/TIA探测器组件的设计

雪崩光电二极管(APD)光电探测器由于在灵敏度上的优势,在长距离高速数字通信系统中得到了广泛的应用.文章系统地描述了高速APD/TIA(跨阻抗放大器)探测器组件的光学与微波封装的设计要点,对完成封装后的10 Gbit/s APD/TIA探测器组件进行了全面的测试,并对测试结果进行了分析.