IBM公司宣布开关速度最快的锗硅晶体管

IBM公司近日宣布，采用一种新版本的高速锗硅工艺处理技术，已经试制成功世界上开关速度最快的锗硅晶体管。IBM公司称已经研制出的锗硅晶体管，其开关频率(Transit Frequency,简称Ft)可高达350GHz。这种晶体管据说比目前的器件快300%，比以前曾报道过的集成电路芯片快65%。根据该公司提供的材料，这种晶体管的性能优于用其他化合物半导体工艺(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)工艺)制造的器件。IBM公司宣称新的以锗硅工艺为基础的晶体管已经演示了其高速开关性能，但此技术目前仍处于研究开发阶段。该公司期望这种晶体管制造技术将会在2…     

英特尔下一代65纳米工艺制程投入使用

英特尔公司宣布制造出基于65纳米技术(下一代半导体批量制造工艺)的全功能SRAM (静态随机存储器)芯片这种65纳米制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。高级晶体管:英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管,这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下,今天最先进的晶体管(用于英特尔奔腾4处理器)其门长度仍有50纳米长。更小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。应变硅(…     

AMD和IBM开发出提高晶体管速度的应变硅技术

芯片制造巨头AMD和IBM公司联合开发出一种新的应变硅技术,他们声称能将晶体管的速度提高24%。这种称之为双应力线性的应变硅工艺通过拉伸一个晶体管中的硅原子和压缩另一个晶体管中的硅原子来提高n沟道晶体管和p沟道晶体管的性能。这种技术无需复杂和高成本的新制造方法,用普通     

纳米器件与检测工具

<正> IBM制造出首个碳纳米管晶体管 IBM的研究人员已经制造出世界上第一个碳纳米管晶体管阵列,利用这一突破性的晶体管技术制造的芯片将比现在的硅芯片面积更小、速度更快。这个碳纳米管晶体管阵列所使用的碳纳米管是由碳原子排列而成的微小圆柱体,是现在的硅晶体管的1/500,而且无须对它们逐个进行处理,即不用从大量的纳米管中费力地寻找有用的电子属性个体。     

美开发出芯片制造新技术

据新华社洛杉矶1998年8月30日电,美国德克萨斯仪器公司的研究人员最近宣布,他们已经开发出更精细的芯片制造技术,能在指甲大小的芯片上集成4亿个晶体管,芯片时钟速度高达1千兆赫。 与之相比,目前普遍使用的台式计算机芯片最多集成有750万个晶体管,时钟速度最高为     

45nm工艺与关键技术

介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。     

高压功率达林顿开关管的芯片设计与制造

本文论述了高压达林顿开关管芯片的设计思想和制造方法,重点考虑了耐压、电流特性、开关速度及工作可靠性的协调问题,按设计方案制造的产品达到了设计要求.     

芯片技术挺进1OGHz

一个研制下一代芯片制造技术的联合组织日前传来捷报,科技人员成功地研制了第一台利用远紫外线(euv)光刻技术的芯片制造设备,这标志着半导体工业在生产10GHz芯片的征途中迈出了可喜的一步. 目前,芯片制造普遍使用深紫外线光刻技术,Intel使用这种刻画技术可以制造厚度为100纳米的晶体管.但是,如果希望继续减少晶体管厚度,现在的刻画技术将成为不可逾越的障碍.利用远紫外线光刻技术将可以造出厚度仅为30纳米的晶体管.比较这两种刻画技术,Intel的工程师作了一个形象的比喻:如果在纸上画线,深紫外线光刻使用的是钝铅笔,而远紫外线光刻使用的是削尖了的铅笔.     

提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究

影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。     

高速数字I/O缓冲器瞬态行为建模及其在同步开关噪声分析中的应用

本文阐述了从最新版本的IBIS(I/O Buffer Information Specification)建模数据中构造高速数字I/O缓冲器的瞬态行为模型的推导过程,获得了建模所需要的充分条件.与相应的晶体管级模型(SPICE模型)相比,该方法在获得了更高仿真精度的同时,提高了具有大量同步开关器件芯片互连的仿真速度.采用这些模型有效地分析了多芯片互连非线性电路中的同步开关噪声,证实了差分波形传输信号的优越性.