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绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器多应用在变频器、开关电源和分布式发电系统等工作频率较高的场合。逆变器工作频率越高,缓冲电路吸收的过电压能量在开关器件下一次关断动作前放电完毕的时间就越短。提出了一种改进型IGBT逆变器缓冲电路,通过改变放电回路的放电电容,可以满足IGBT逆变器在高频应用下的要求。通过理论分析和电路仿真,证明了该改进型缓冲电路的有效性和适用性。 相似文献
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论述了由单片机控制的高频开关电源型电力系统操作电源的主电路结构、控制电路原理和软件设计.介绍了以IGBT为主开关器件,以80C196KB型单片机为控制中心,采用PWM技术进行控制,完成的220V、40AH的电力系统直流操作电源系统.现场运行证明,该电源系统设计合理,功能完善,性能好,可靠性高. 相似文献
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本文根据电镀电源的工作特点,提出了选用高频开关电源来实现的电路方案。笔者根据近年的应用实践研究,对在实践中比较成功的ZVS PWM软开关方案,进行了较深入的工作分析,描述了其优缺点。 相似文献
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主要介绍了48kW大功率高频开关电源的研制。介绍了国内外开关电源的现状,分析了全桥移相变换器的工作原理和软开关技术的实现,软开关能降低开关损耗,提高电路效率。给出了电源系统的整体设计及主要器件的选择。试验结果表明,该装置完全满足了设计要求,并成功地应用于电镀生产线上。 相似文献
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针对高频大功率应用场合,提出了一种基于中心抽头变压器的倍频式感应加热电源。采用结构对称的两个半桥、共用谐振电容、抽头变压器耦合的方式,使得负载工作频率为功率开关管工作频率的两倍,达到倍频的目的。功率开关管具有软开关特性,且导通时间为其开关周期的25%,相对于传统的桥式逆变器来说,明显降低了开关管的功耗。详细分析了8个不同的工作模式及相应的系统参数关系,给出了电路参数的设计方法。最后以IGBT为功率开关管,设计了一台小型样机,通过实验验证了所提出的电源拓扑、理论分析及参数选取方法的正确性。 相似文献
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本文介绍采用PWM信号控制以IGBT为主开关元件的高频开关稳压电源。PWM信号由TL494IC片产生,用EXB840专用驱动器驱动IGBT。该电源具有输出电压稳定.电路简单,体积小,可靠性高,效率高和通用性强等特点。 相似文献
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采用新型谐振式软开关技术,成功地研制出激励高功率轴快流CO2激光器的零电流谐振式软开关电源。该电源工作在25 kHz的开关频率下,主电路采用半桥式谐振变换方式,电源处于软开关工作方式,IGBT功率管为零电流开通和关断。该电源输出电流5~120 mA连续可调,功率管低损耗工作,无需镇流电阻,实现了6支CO2激光放电管的并联起辉和稳定工作。 相似文献
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大功率H桥逆变器中广泛采用IGBT作为开关器件,传统的IGBT开关损耗计算是基于供应商提供的开关能量曲线,而该曲线上所提供的开关能量与逆变器实际运行时的数据有较大出入。为此,提出了一套完整的大功率H桥逆变器的损耗分析与精确计算方法。逆变器损耗主要包括IGBT损耗和电解电容损耗,而IGBT损耗又包括导通损耗、开通损耗、关断损耗和反向恢复损耗。给出了各类损耗的定量计算方法,并且采用了双脉冲测试方法获得实际开关能量曲线,因此计算结果更加精确。搭建了一台3.45kVA的实验样机,1kHz开关频率下满载运行时,计算损耗为218W,实测损耗为210W。实验结果验证了所提出的分析与计算方法的准确性。 相似文献
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综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。 相似文献