绝缘体上外延硅薄膜MOS工艺的五管存储单元

和一般互补MOS 工艺的六管存储单元相比较,五管存储单元所需要的面积大约只占百分之七十。目前已经研制出在绝缘体上外延硅薄膜(简称ESFI)的存储矩阵,这个矩阵的单元面积为5700微米~2(9密耳~2)。此外,还提出了一种读出电路和估计了2048单元存储器芯片的典型数据。     

Peregrine推出UltraCMOS~ Global 1射频前端

<正>2014年4月9日,射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱Peregrine半导体公司(纳斯达克股票代码:PSMI)在电子设计创新会议(EDI CON 2014)上,宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global 1是行业中第一个可重构射频前端(RFFE)系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件,所以UltraCMOS Global 1是单一平台的设计——一个SKU,可全球使用——能够在全球所     

蓝宝石上生长的薄膜硅晶体管

发现了一种在单晶蓝宝石上利用高温分解 SiH_4来淀积硅薄膜的方法。薄膜的电子衍射和劳埃反射检验都示出了单晶花样。硅薄膜的霍尔迁移率在空穴密度10~(17)/厘米~3时为135厘米~2/伏特·秒。制成了电流5毫安时具有1000微姆欧跨导值的绝缘栅场效应晶体管,其尺寸为:源到漏的间距为10微米,作用区宽度为120微米。这跨导值可与在块状硅上制成的同样元件相比较,因此这种晶体管是极有希望的薄膜硅器件。     

一种新型硅基厚膜压力/温度传感器的设计和制作

设计并制作了一种新型传感器,它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分.其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜(500μm× 500 μm),增大了体硅上高应力区的面积,在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力.压敏电阻设计为折线结构,采用优化的几何尺寸,并将其部分制作在高应力体硅上以获得更高灵敏度.体硅上的温敏电阻随压敏电阻利用同步注入工艺制作,减小了工艺复杂度.该器件工艺简单,成品率高,与标准IC工艺兼容.初步的测试结果表明器件具有良好的性能.     

采用单管单元的高密度存储电路

前言目前单管存储单元是一种最有发展前途的动态存储元件,而且它可以明显地增加单元的密度。在具有高密度的存储器中,不仅要估计到由于工艺不完善而影响成品率,而且也必须仔细地考虑芯片尺寸引起的参数容差。对单管单元的随机存储器来说,为了可靠地鉴别存储在单元中的信息,就需要有灵敏的读出放大器,这种考虑就变成更重要了。因为放大器的性能取决于参数的容差,所以放大器的灵敏度对随机存储器总的成品率影响很大。在简短地描述存储单元后,讨论了不同参数容差对灵敏     

新型集成电路及其应用

<正> 立体集成电路目前,集成电路(IC)的集成度已经做得很高,以随机存储器(RAM)为例,256千位CMOS 静态随机存储器(SRAM)在一个6.68×8.86mm~2硅芯片上就集成了160万个元件;日本东芝公司1985年11月投产的1兆位CMOS DRAM,在一个4.5×12.3mm~2硅片上     

集成微流体测控芯片的研制

设计、研制了集成有微泵、微沟道、微流量传感器、温度传感器的微流体测控芯片.采用有限元软件ANSYS模拟分析了将其作为冷却芯片时微沟道的散热作用,分析确定了芯片上各元件的结构.该集成芯片为硅-玻璃结构,在硅片上,利用ICP法刻蚀无阀微泵泵体和微沟道;在7740玻璃片上,以溅射、剥离法制作微流量和温度传感器;图形精确对准后硅/玻璃以静电键合方法封接.无阀微泵采用压电元件驱动.测试结果表明:集成芯片具有冷却功能,循环水的流速最大可达25.4mm/s.     

基于超窄数据的低功耗数据Cache方案

降低耗电量已经成为当前最重要的设计问题之一.现代微处理器多采用片上Cache来弥合主存储器与中央处理器(CPU)之间的巨大速度差异,但Cache也成为处理器功耗的主要来源,设计低功耗的Cache存储体变得越来越重要.仅需要很少的几位就可以存储的超窄数据(VNV)在Cache的存储和访问中都占有很大的比例.据此,提出了一种基于超窄数据的低功耗Cache结构(VNVC).在VNVC中,数据存储体被分为低位存储体和高位存储体两部分.在标志位控制下,用来存放超窄数据的高存储单元将被关闭,以节省其动态和静态功耗.VNVC仅通过改进存储体来获得低功耗,不需要额外的辅助硬件,并且不影响原有Cache的性能,所以适合于各种Cache组织结构.采用12个Spec2000测试程序的仿真结果表明,4位宽度的超窄数据可以获得最大的节省率,平均可节省动态功耗29.85%、静态功耗29.94%.     

集成运算放大器在电子线路中的应用 第三讲

六、集成运放在模拟变换电路中的应用在广泛的应用领域中,经常需要实现各种物理量之间的相互转换。例如实现电压-电压,电压-电流,电压-频率,电压-时间之间的转换。在这方面,集成运放可以起到非常有效的有源转换元件的作用。运放所固有的高Aod往往可以保证转换器具有很高的转换精度,而运放的高CMRRo则又保证了转换器的转换特性在很大程度上与电源电压无关。因此,正确设计的转换器电路通常具有很理想的性能。通过本节的讨论,我们将看到集成运放在这方面的应用是相当活跃的。     

SOI SRAM测试研究

SOI（绝缘体上硅）静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码.     

微机中的高速缓冲存储器Cache

目前计算机系统中的内存主要为集成度高、价格低的动态随机存储器,但由于其存储单元依赖于电容的充电电荷来存储信息,为了保持储存数据的正确必须反复对储存单元进行充电,所以存取速度难以提高,在半导体存储器中,双极型静态RAM的存取速度可与CPU速度处于同一数量级,但这种RAM价格较贵,功耗大,集成度低,要达到与动态RAM相同的容量时,其体积就比较大,也就不可能将存储器都采用静态RAM。因此使用分级处理的方法来解决速度和容量的冲突,即在主存和CPU之间使用一个速度极快但容量相对小的缓存(Cache)。     

激光雷达集成电路存储单元上电复位状态机设计

为了提高激光雷达集成电路存储单元上电复位的稳定性,提出基于集成DSP的激光雷达集成电路存储单元上电复位状态机设计方法。构建激光雷达集成电路存储单元复位状态机的总体结构模型,采用内核电源电路进行单极点高通滤波控制,通过由DSP集成信息模块等组成的上电复位机控制的方法,进行激光雷达集成电路存储单元的程序加载和基线恢复控制,通过基线恢复器实现激光雷达集成电路存储单元的掉电复位和连通性测试,实现激光雷达集成电路的逻辑时序控制和上电状态机设计,实现激光雷达集成电路存储单元的硬件优化设计。仿真结果表明,设计的激光雷达集成电路存储单元上电复位状态机稳定性较好,集成控制性能较强,提高了激光雷达集成信号采集能力。     

分类器动态集成的入侵数据流检测算法

入侵数据流具有快速更新以及概念漂移的特点,静态集成分类器无法及时反映整个空间的数据分布,入侵检测正确率不高,对此,文中提出了一种单分类器动态集成的入侵检测方法,该方法动态分配各分类器权值并用区间估计检查概念漂移并更新分类器。实验结果表明,在处理超平面构造的数据流上,分类效果优于多数投票、加权投票两种静态分类方法,在真实入侵实数据集上有高检测率。     

多孔硅的I-V特性及NO2气敏特性研究

采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品.利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响.结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加.当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min.     

超微粒氧化铁薄膜的敏感特性研究

随着半导体技术和微电子技术的发展,半导体气敏元件的品种、数量和质量都有了很快的发展。为了满足信息社会对气体传感器小型化、集成化和智能化的要求,气敏材料正在向超微细化、薄膜化和复合化的方向发展。超微粒薄膜气敏材料由于具有工作温度低、灵敏度高、响应恢复快、易集成、一致性和稳定性较好的独特优点,在近期内得到了很大的发展,并且成为当前气敏材料研究的热门课题。 本文采用PCVD法生长出均匀透明的非晶氧化铁敏感膜,经热处理而制备的薄膜型气敏元件,无需掺杂便具有优良的气敏性能,显示出良好的应用前景。     

多孔硅的Ⅰ-Ⅴ特性及NO2气敏特性研究

采用双槽电化学腐蚀法在p＋单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向Ⅰ-Ⅴ特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向Ⅰ-Ⅴ特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90mA／cm^2,腐蚀时间为30min时．所得多孔硅气敏元件对体积分数为200&#215;10^-9的NO2的灵敏度可达到5．25,响应时间与恢复时间约分别为14min与10min。     

面向本地分布式存储系统的动态副本策略

针对本地分布式存储系统的拓扑结构与存储组成单元的特性,提出了一种基于频度的动态副本算法FBDR。FBDR分别采用基于密度的单次频度分析和基于区间长度的两次频度聚合的方法对文件访问流进行分析,作为确定热点文件的依据,具有较高的命中率。在副本创建位置选择上,综合考虑了存储单元的可用空间、负载、IO性能等因素,使热点文件获得更高的IO速率,同时兼顾了存储单元之间的负载与资源利用的平衡。     

GD—1型光电开关

GD—1型光电开关由砷化镓发光二极管、硅光电池等新型半导体光电元件组成。工作波段为不可见红外光9000埃左右,较一般可见光器件穿透力强。因此,本装置发送与接收体之间距离可达六米左右,由于采用新型半导体元件,因此本开关与一般可见光电开关相比,具有动作灵     

一种基于动态依赖关系的类集成测试方法

类间集成测试是面向对象软件测试的重要组成部分,合适的测试顺序能够极大地节省测试成本.类间依赖关系构成环路的情况下,需要删除某些依赖关系以消除环路,同时需要引进测试桩.忽略类间动态依赖关系导致测试桩的数目不足,难以完成测试.文中提出一种基于动态依赖关系的类集成测试方法.首先分析了类之间的静态依赖和动态依赖关系;然后在保证...     

基于电流信息的CMOS SRAM存储单元故障测试

针对深亚微米技术,提出了差分静态电流技术和动态电流技术相结合的方法对CMOS SRAM存储单元进行故障诊断,针对该方法改进了0-1算法。改进的0-1算法与传统的March算法相比,明显降低了测试开销。以四单元存储器为诊断实例,针对桥接故障、开路故障与耦合故障,实现了100%故障诊断覆盖率。实验结果证明了新方法具有故障覆盖率高的特点,能够诊断传统逻辑测试法难以探测的部分故障。