NiS纳米丝的制备和表征

纳米材料的性质与纳米粒子的大小和形状密切相关，因此，合成纳米粒子时，在控制其大小及尺寸分布的同时控制其形状是十分重要的。一维纳米结构如纳米棒、纳米线和纳米管等由于具有新奇的光、电等特性和潜在的应用前景，已引起人们极大的兴趣，是当前纳米材料研究中的热点之一。     

名词释义——准一维纳米材料

准一维纳米材料是指在两维方向上为纳米尺度，长度为宏观尺度的新型纳米材料。如纳米棒、纳米线、半导体纳米量子线、纳米线阵列等都属于准一维纳米材料。这些新型材料的实验研究，为进一步研究纳米结构和准一维纳米材料的性能，建立准一维纳米材料的新理论和推进它们在纳米结构器件中的应用奠定了基础。     

正交相SnO2纳米带的电子显微学研究

自从1991年，Iijima发现纳米碳管以来，一维纳米材料（包括纳米线、纳米带、纳米棒等）成为材料科学研究中一个崭新的热点。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维三维材料的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广泛关注和研究。     

ZnO纳米带的电子显微学研究

自从1991年Iijima发现纳米炭管以来，一系列的一维纳米材料(包括纳米线、纳米带、纳米棒等)被相继用不同的方法制备出来。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维、三维材料的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广     

钛酸铅超细纳米晶及纳米线的制备与结构表征

近来，一维纳米材料吸引了物理学、材料学和化学界的广泛关注，成为纳米材料研究的热点。纳米线是物质在纳米尺度上的一种特殊结构，其优异的光学、电学和力学性能，在纳米器件的应用领域极具发展前景。纳米线的制备技术及物性的测量是材料在纳米原型器件制作和应用的关键，不断探索低维纳米材料的制备新技术，合成出多种材料的纳米线具有重要意义。     

ZnO纳米棒的制备与表征

近年来，一维纳米材料如纳米管、纳米线、纳米棒等由于在纳米电子器件和光电子器件中的潜在应用前景而吸引了众多科研小组的兴趣。ZnO纳米材料作为一种宽带系半导体，因其可以在各种高科技产品中的应用如光催化剂、气敏元件、光电二极管、变电阻等已引起人们广泛的研究，到现在为止，许多方法用来制备一维ZnO纳米材料，如电弧法、化学气相沉积、模板法和电化学沉积等。本文用溶液法合成ZnO纳米棒，并对其进行电子显微学的观察与表征。     

五角星形纳米线形貌的电镜表征

由于纳米材料所表现出的不同于体材料的特性，近年来对纳米材料的制备和表征进行了大量的研究，尤其是准一维纳米材料，如纳米线等。纳米线的性质不仅与其体材料的性质有关，而且还与其直径、长度、晶体取向和形状有关。因此有必要对纳米线的特殊形貌进行表征，从而研究纳米线的结构、形貌与性能之间的关系。     

聚焦电子束辐照原位制备单晶纳米棒

低维纳米材料相对于传统材料因其独特的物理化学性能已经成为研究热点。其制备方法主要有气相沉积法、电化学沉积法、模板法和聚焦电子束诱导沉积法等。所谓聚焦电子束诱导沉积法是指将电子束汇聚到几纳米区域的基材上，同时注入适当气氛，进而在基材上生成纳米线、纳米锥、纳米棒和纳米点等低纳纳米材料的方法。     

碳化硅纳米线中的一维无序结构

控制合成一维纳米材料是当前纳米材料的研究热点,纳米线的物理、力学等性能与他们的微观结构和几何形貌是密切相关的。SiC纳米线由于具有优越的力学、热学、电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性,在高温、高频、大功率及高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力,也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相,     

关于准一维ZnSe纳米结构的合成与应用

硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7 eV,是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种,如纳米带、纳米线、纳米棒等。由于纳米材料与薄膜材料相比具有表面积大、量子效应等独特的物理及化学特性,使得基于纳米材料的纳米器件在过去的几年内被广泛的制备与研究。目前准一维ZnSe纳米材料已经制备出多种纳米器件,文中将对ZnSe纳米结构的合成以及应用作介绍。     

CoPt磁性纳米材料的研究进展

目前对CoPt磁性纳米材料的研究主要集中在CoPt磁性纳米颗粒、纳米线以及纳米薄膜三个方面,从这三个方面对CoPt磁性材料的研究进展进行详细地介绍。主要阐述了CoPt磁性纳米材料制备方法以及性能特征,同时系统地分析了影响CoPt磁性纳米材料的磁学性能的关键因素。     

钛酸和铌酸纳米结构的合成、表征和形成机制

自碳纳米管发现以来，纳米管、纳米线等纳米结构的研究受到广泛重视。钛酸和铌酸是半导体，有光催化和离子交换特性，可用于气体传感器，能量转换和环境净化等，由这些材料组成的纳米材料有可能成为很好的纳米器件。本文工作中，我们合成了这类层状化合物的多种纳米管、纳米线、纳米带和纳米片。     

弯曲生长SiC纳米线的TEM表征

由于纳米线/管/棒在力学、电学、光学等方面巨大的潜在应用价值，近年来人们投入了越来越多的兴趣来合成和表征各种一维纳米材料。其中立方结构的β-SiC纳米线帖于其优越的物理、力学性能（如高的硬度、强度、高的抗氧化和腐蚀性能、低的密度和热膨胀系数和高的热转换能力）受到广泛的关注，此外，β-SiC是一种宽带半导体材料，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力。     

我国首个纳米棒场效应晶体管研制成功

近日,中科院微电子所依靠独立开发的全新技术,成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料（纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等）具有较常规材料更为优越的性能,在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景,引起了国际学术界的极大关注。     

纳米线、纳米管的制备、表征及其应用

在高度集成化浪潮的推动下,现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切。纳米线、纳米管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件,在纳米研究领域中的地位显得愈发重要。本文从一维纳米材料的研究范畴入手,介绍了纳米线、纳米管的制备方法,技术要点以及各种相关表征方法,并涉及了当前一维纳米材料的一些应用研究,为基于纳米线、纳米管功能器件的研制提供前期参考。     

硅纳米线纳米器件的研究进展

硅纳米线作为一类重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面具有很好的应用前景,可以用于高性能场效应晶体管、单电子探测器和场发射显示器件等纳米器件的制备.介绍了近两年来硅纳米线作为检测细胞、葡萄糖、过氧化氢、牛类血清蛋白和DNA杂交方面的纳米传感器、纳米晶体管、光电探测器等纳米器件的最新进展,并对其研究前景做了展望.     

Si纳米线及其器件研究进展

Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还介绍了Si纳米线所制备纳米器件的电学、电子输运等特性,说明了掺硼、掺磷纳米线分别具有p型、n型半导体特征。最后介绍了Si纳米线在电子器件、纳米线电池、传感器方面的相关应用。     

ZnS一维纳米结构中的高密度孪晶

一维纳米材料在纳米电子器件和光电子器件方面具有潜在的应用前景,因此,近年来有关一维纳米材料的研究吸引了许多科研小组的兴趣。已经制备出各种一维纳米构态例如纳米线、纳米带等。在众多已制备的一维纳米材料中,ZnS作为一种宽带系半导体在很多领域有着广泛的应用。它可以用在光学涂料、固态太阳能电池、光电调节器,光电导元件、场效应晶体管,     

准一维半导体纳米材料的研究进展

探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。     

基于多孔氧化铝模板的一维ZnO纳米线的制备

多孔氧化铝由于具有纳米级的孔径、尺寸可调等独特的优点,成为合成纳米材料的一种常用模板.以多孔氧化铝为模板,制备出了纳米量级的纤维、纳米棒、金属管、半导体等新型材料.制备出了优良的多孔氧化铝有序孔洞阵列;以其为模板,采用直流电化学沉积的方法,在其规则排列的孔中沉积得到锌的纳米线;然后将其在高温下氧化,得到氧化锌的纳米线.利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜等手段研究了它们的微结构性质,X射线衍射谱表明,用电化学沉积方法得到的锌和氧化锌纳米线均为多晶结构.