高密度金丝键合中的劈刀系列化实验

针对高密度细间距金丝键合中劈刀选型困难的问题,筛选出11种劈刀作为试验对象,研究它们在不同材质上的匹配性与键合能力,以及在高密度细间距、深腔/近壁特殊应用状态下的工艺特性。通过焊点形态、拉力测试及显微镜拍照对比方式,得出劈刀可靠性变化曲线以及使用寿命。最后通过归纳分析,梳理出11种劈刀适用范围,供实际生产选型。     

小尺寸、细间距焊盘键合的工艺研究

随着技术的进步，对混合电路的集成度要求越来越高，芯片的功能不断增加，尺寸却越来越小，从而导致焊盘在整个芯片中所占的面积比率明显上升，因此造成焊盘，以及焊盘间的间距减小，这就给正常的键合带来了困难。然而引线键合是厚膜工艺申的关键技术，它直接影响集成电路的可靠性和成品率。因此通过此项研究制定相应的工艺规范，使小尺寸、细间距焊盘的芯片可以顺利完成键合组装。     

劈刀对金丝键合的影响

本文详细地剖析了劈刀的结构，分析了孔径、末端直径、锥芯角度、内切斜面角度、面角等参数对键合点形貌及键合强度的影响。通过理论分析和试验，证明了劈刀的选用对键合失效乃至产品失效的重要性与必然性。     

基于田口方法的微波组件金丝键合工艺优化

为了提高微波组件金丝键合的可靠性,采用楔形金丝键合工艺进行了金丝互连,通过田口试验方法设计 和试验验证,确定了金丝键合最优化的工艺参数组合。研究结果表明：键合金丝质量的影响因素依次是超声功率、键 合压力和键合时间,优化的工艺参数组合依次为超声功率、键合压力、键合时间,优化的工艺参数组合为超声功率 15、键合压力16、键合时间50;采用优化后的工艺参数进行金丝键合操作,获得了稳定性良好的互连金丝,完全满 足混合集成微波电路金丝键合互连应用的需求。     

牢固金丝键合方法的探讨

为了适应潮流，电子产品正在向小型化方向发展，为此，他们面临着一个困难的处境：减小硅片尺寸，同时增加更多的功能（输入／输出的数量）。然而，集成电路元器件的产量是随着输刖输出数量的增加而降低的，因为金属丝键合工序（该工序为输入／输出提供互连）的产能保持不变，这种发展的底线是是否盈利。作者将几种金属丝键合方式做了比较，基于金属丝键合的扩散理论以及能量对材料的影响，着重分析了一种牢固键合——金丝球焊的模型，并且通过实验得出了金丝键合的最佳工艺条件。     

微组装技术中的金丝键合工艺研究

金丝键合是微组装工艺中的一道关键工艺,金丝键合质量的好坏直接影响微波组件的可靠性以及微波特性.对金丝键合工艺的影响因素进行了分析,并通过设计实验方案对25 μm金丝进行键合实验.对键合金丝进行拉力测试,测量结果全部符合军标GJB 548B-2005要求.根据测量结果寻求最佳键合参数,对实际生产具有一定的指导意义.     

基于正交试验的金丝键合工艺参数优化

金丝键合是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术。介绍了引线键合技术的基本形式,分析了键合工艺参数对键合质量的影响。基于正交试验方法,通过对影响25μm金丝键合第一键合点质量的工艺参数优化进行试验研究,确定最优化的工艺参数水平组合,达到提高金丝键合工艺可靠性的目的。     

化学镀镍钯金电路板金丝键合可靠性分析

在微组装工艺应用领域,为保证印制电路板上裸芯片键合后的产品可靠性,采用化学镀镍钯金工艺（ENEPIG）,可在焊接时避免“金脆”问题、金丝键合时避免“黑焊盘”问题。针对化学镀镍钯金电路板的金丝键合（球焊）可靠性进行了研究,从破坏性键合拉力测试、第一键合点剪切力测试以及通过加热条件下的加速材料扩散试验、键合点切片分析、键合点内部元素扫描等多方面分析,与常规应用的镀镍金基板键合强度进行了相关参数对比,最终确认了长期可靠性满足产品生产要求。此外,对镍钯金电路板金丝键合应用过程中需要注意的相关事项进行了总结与说明。     

软基板金丝键合可靠性提升方法研究

金丝键合[1]是利用热、压力、超声波能量使金丝与焊盘紧密结合,从而实现芯片与基板间的电气互联和芯片间的信息互通的一种技术。金丝键合是微组装的主流技术,也是一项关键技术。理想状态下,金丝和基板之间会发生原子间的相互扩散,从而使金与金之间实现原子量级上的键合。基板的金表层和金丝的可靠键合是非常关键的质量控制点。微波组件组装过程中,常常因为金丝键合出现缺陷而导致整个产品的失效。对软基板的金丝键合改进方案进行了研究,对比分析了改进前后的实验数据,得出了最优方案,优化了软基板金丝键合工艺的可靠性。试验结果表明,采取了有效的措施之后,消除了失效隐患,对提高软基板键合点的可靠性具有指导意义。     

金丝球焊复合键合工艺可靠性研究

对芯片铝焊盘上不同重叠面积的金丝球焊复合键合的可靠性进行研究,并与非复合键合进行对比.结果 表明,随着复合键合重叠面积的减少,键合拉力和界面生成的合金化合物面积均无明显变化,而剪切强度呈下降趋势.高温储存结果表明,复合键合拉力值满足国军标要求.复合键合有掉铝和弹坑缺陷隐患.经分析,原因是复合键合时施加的超声能量破坏了硅...     

基于正交试验的微波多芯片组件金丝键合技术

本文对金丝键合技术进行研究,从键合样品处理方法与键合工艺两方面分析了影响金丝键合质量的关键工艺参数,对金丝键合工艺进行优化,优化后的金丝键合可靠性大幅提升。微波多芯片组件是雷达等军用电子装备的核心部件,金丝键合工艺是实现微波多芯片组件电气互联的核心技术环节。微波组件中包含金丝数量庞大,金丝键合技术对于微波组件性能与可靠性有至关重要影响。     

提高基板键合可靠性的等离子清洗工艺研究

通过等离子轰击可以有效提高金丝键合的可靠性。氩气等离子清洗后,基板容易金丝键合,破坏性拉力测试后键合点留压点,键合力有明显提高。5880基板最优的清洗参数是功率200 W,清洗时间600 s,气体流量150 ml/min,并且等离子处理之后2 h内完成键合,效果最佳。     

细线径漆包线圈键合工艺优化及可靠性分析

以多芯片组件中常用到的细线径漆包线圈为研究对象,对影响其键合可靠性的各因素进行了研究.结果表明:线圈引脚搪锡后去除卤素元素、键合后涂覆或线圈直接键合法,可避免发生电化学反应腐蚀;合理的键合参数和漆包线圈引脚变形量的控制能减小引脚根部应力;适当的点胶加固措施,可避免线圈产生谐振而受损;调试时不应拨动漆包线圈,以避免本体松...     

铜丝键合工艺在微电子封装中的应用

在铜丝或铜条长期应用于分立器件及大功率器件的同时，近年又出现了晶片的铜金属化工艺。由此，业内人士采用铜作为丝焊键合的一种材料使用，进而开始了一些新工艺的研究。结果证实，铜金属化使电路的线条更细、密度更高。因而铜丝可以作为一种最有发展前景及成本最低的互连材料替换金丝，可进行大量高引出端数及小焊区器件的球形或楔形键合工艺。主要阐述铜丝键合工艺在微电子封装中的现状及未来发展方向。     

LED金线键合工艺的质量控制

文章介绍LED引线键合的工艺技术参数翻要求和相关产品质量管控规范,讨论了劈刀、金线等工具和原材辩对键合质量的影响。     

基于新型NiPbAu基底的金丝楔形键合工艺研究

利用楔形键合设备进行金丝在镀镍钯金Ro5880基板上的键合实验。采用正交实验法分析了镀层厚度、键合功率、键合时间、键合温度等工艺参数对楔形键合的影响。同时,在镀镍金Ro5880板上进行了对比试验。研究发现:与镀镍金基板相比,镀镍钯金基板在可焊性、键合强度、成本方面均有着巨大的优势,在电子组装、封装领域有着广阔的应用前景。     

细间距陶瓷封装柱状阵列件组装工艺

CGA(陶瓷栅格阵列)封装件由于具有良好的散热性、高可靠性等优势,在军事、航天领域的应用正不断增多.从CGA件的封装结构、设计尺寸到装焊工艺进行了介绍和分析,对装配过程中的难点、关键点作出了说明和探讨.     

微波组件硅铝丝键合工艺参数的优化

通过控制单一变量的试验方法,研究了超声功率、超声时间、键合压力等参数对硅铝丝键合一致性和可靠性的影响,分析了每个参数对硅铝丝键合的影响规律.通过正交试验方法,优化了键合参数组合,并进行试验验证.通过环境试验对微波组件中硅铝丝键合的可靠性进行评价,在某产品上进行验证,并抽样对其可靠性进行评价.产品键合点形貌良好,一致性高...     

T/R组件中金丝键合的仿真与优化

金丝键合是微波多芯片T/R组件中实现IVRvlIC芯片电气互连的关键技术,键合的金丝直径,跨距、拱高和数目对组件的微波传输特性具有很大的影响.本文对金丝键合的等效电路模型进行了分析,并采用三维电磁场仿真软件HFSS对金丝键合进行建模分析和仿真优化,最终得出最优结果.