高压电极铝箔腐蚀孔洞模型的探讨

利用SEM、TEM观测了高压腐蚀铝箔表面和横截面的形貌,介绍了3种高压电极铝箔的腐蚀孔洞模型:圆孔、方孔、条状凹槽;通过对当前市场上国内、日本的高压高比容电极箔腐蚀孔洞的实际形貌特征进行对比分析,发现:具有实际意义的理想腐蚀孔洞应当具有介于条状凹槽和圆孔之间的形状;通过改进电蚀技术来提高高压电子铝箔的比电容还有相当大的空间;在电蚀过程中抑制簇状并孔发生并促进线状并孔发生以使得腐蚀孔洞呈现条状沟槽形状是今后高压电极箔制造技术的改进与发展方向之一。     

日本铝电极箔制造技术研究的新进展

总结了日本近几年在铝电解电容器电极箔制造工艺上所取得的成果,着重分析阳极箔交流腐蚀中的多级变频复合腐蚀工艺、预处理工艺及阳极箔化成工艺的最新进展。指出目前我国电极箔生产技术在几个方面与日本的差距。     

中高压铝电解电容器用电极箔腐蚀工艺研究

采用硫酸-盐酸腐蚀体系研究了中高压铝电解电容器电极箔多段腐蚀方法。通过三段腐蚀工艺和二段腐蚀工艺的比较,发现多段腐蚀能提高铝箔表面小孔成核率,减少腐蚀介质对氧化膜的进一步腐蚀,有利于小孔向纵深发展。三段腐蚀工艺制备的电极箔表面孔尺寸为0.6～1.0μm,孔深34～36μm,比容高达2.5×10–6F/cm2。     

基于相场法的电极箔粉末烧结模拟及影响因素分析

以粉末涂层型电极箔为研究对象,采用相场法对颗粒烧结及孔隙的收缩进行仿真模拟,根据实际烧结孔隙数据建立了五种不同空间结构类型的孔隙模型,通过模拟计算不同粒径烧结孔隙变化,验证了模型模拟的有效性。采用单因素分析法探究了烧结温度及孔隙类型的改变对最终孔隙面积的影响规律,结果表明：仿真模拟中烧结温度影响颗粒间烧结速度;孔隙的类型影响最终铝粉烧结形貌,并进一步影响烧结形成的孔隙面积,其中以三角形孔隙面积最小。模型的建立对不同烧结温度、烧结时间、孔隙类型的粉末涂层型电极箔有效表面积的预测具有重要参考价值。     

低压铝箔交流腐蚀工艺中的超声波辅助应用

采用国产铝箔,在超声波辅助条件下,对铝箔进行交流腐蚀,研究了超声波辅助腐蚀对腐蚀箔比容和力学性能的影响。结果发现:当腐蚀箔保持率为1.63g/dm2,采用磁力搅拌的腐蚀箔比容只有71.8×10–6F/cm2,而采用超声波辅助腐蚀的腐蚀箔比容为79.4×10–6F/cm2,提高了10.6%,且抗拉强度提高约20%。     

铝电解电容器容量不稳定现象分析与控制

铝电解电容器的无容量主要是因为接触电阻大、裂箔、铆接不良、铆接花瓣小、正极箔表面箔灰厚及原箔腐蚀太深而造成.容量时有时无主要是铆偏、箔片断片、抽芯、铆花毛刺、导针毛刺、铝箔边缘毛刺、露箔等原因而造成.在生产过程中加强铆接、卷绕工序的质量控制,避免出现容量不稳定的现象.     

中高压电子铝箔腐蚀系数的研究

分析比较了基于矩形凹槽模型、圆孔隧道模型、正立方孔隧道模型计算出的中、高压电子铝箔腐蚀系数与KDK公司(H100)形成箔实际腐蚀系数的关系。结果表明:中、高压电子铝箔真实理论极限腐蚀系数应介于正立方孔-圆孔理论极限腐蚀系数之间。中压电子铝箔(220～485 V)通过电蚀扩面提高化成箔比电容余地还很大,高压电子铝箔(>485 V)的实际腐蚀系数与理论极限腐蚀系数已经很接近,通过电蚀扩面提高比电容的余地较小。     

提高铝箔腐蚀系数的途径

本文论述了退火温度对铝箔微观结构的影响;并通过对低压软、硬箔电化学腐蚀试验结果的分析,讨论了腐蚀液的组成和浓度、腐蚀电流密度及退火温度对铝箔腐蚀系数的影响;探讨了提高铝箔腐蚀系数的途径。     

低压化成铝箔箔脆原因及解决途径

适用于50~100 WV铝电解电容器的高比容低压化成铝箔的脆性(简称"箔脆")容易导致电容器的多方面严重质量问题。根据理论分析与实践经验思考,提出了箔脆问题的解决办法。通过改良深度腐蚀工艺与化成过程的液体馈电工艺条件,即通过减弱后期腐蚀强度和降低液体馈电温度,提高了铝箔的夹芯层厚度和均匀性,使耐折弯强度(折曲强度)明显提高,有效地解决了箔脆问题。     

高比表面积铝电解电容器用电极箔的研究进展

随着科学技术的飞速发展，电子产品正朝着更多功能和更小尺寸的方向演进。作为最为广泛使用的电子器件之一，铝电解电容器亦顺应这一趋势，迈向更小体积和更大容量的发展。为实现这一目标，制备具有高比表面积的电极箔成为关键途径之一。本文全面梳理了多种扩大铝箔比表面积的方法，详细阐述了包括化学腐蚀法、电化学腐蚀法和粉末烧结法在内的多种扩大铝箔比表面积技术，及其影响因素与优缺点。在总结现有技术的基础上，展望了铝电解电容器阳极箔比容量提升的未来发展趋势。     

中高压阳极铝箔直流脉冲电蚀工艺及机理研究

用直流脉冲电源对高纯铝箔进行电化学侵蚀,研究了影响腐蚀箔性能的工艺参数条件,探索了隧道孔生长机理.结果表明:在硫酸和盐酸电解质体系中,影响腐蚀箔性能的工艺参数有直流脉冲电流密度、脉冲频率、占空比以及脉冲时间等;控制直流脉冲的电流密度峰值在0.8 A/cm2以上、脉冲电流单次通电延续时间在0.53 ms左右,能使铝箔产生纵横交错的隧道孔.     

光铝箔热处理对腐蚀箔比容的影响

中高压铝电解电容器用阳极箔的制取是一项综合技术,成品箔技术特性的好坏有赖于光铝箔的制箔技术、热处理(退火)技术和腐蚀技术等是否合理的应用。通过对国产箔两年的研制,我们认为以上诸种技术是互为补充、互相制约的,某一环节技术的失调将造成整个制箔技术水平跌落。本文仅就光铝箔退火技术进行探讨。     

低表面附着铜含量的铝阴极箔研究

利用铝铜合金电子铝箔生产的铝电解电容器用阴极箔的表面附着铜含量一般高达50mg/m2以上。研究了该类阴极箔表面附着铜的来源,提出了用浓硝酸清洗附着铜的方法。实验结果表明,箔表面大部分附着铜由腐蚀过程中的铜沉积产生;通过调整硝酸浸洗体系的含量、温度和浸洗时间等参数,可将铝箔表面的附着铜含量大幅度降低至5mg/m2以下,而阴极箔的其它性能不受影响。     

电沉积Zn预处理对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响

恒定电流下在酸碱预处理后的铝箔表面电沉积微量Zn,得到电沉积改性预处理铝箔,对其进行直流电化学腐蚀。使用EDS能谱分析电沉积Zn铝箔表面元素;利用金相显微镜与扫描电镜从断面、表面观察样品铝箔腐蚀形貌;利用极化曲线、失重率、减薄率观测样品铝箔的腐蚀电位、腐蚀效果,研究不同预处理工艺对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响。结果表明:电沉积Zn预处理后,由于沉积在铝箔表面的Zn和Al存在电位差,形成Al-Zn微电池促进铝箔腐蚀发孔,其腐蚀电位由酸碱预处理铝箔的-0.83 V下降到-0.87 V,铝箔腐蚀后隧道孔数量较多,分布更加均匀,减薄率下降,失重率上升,得到了比表面积更大的铝电解电容器用阳极腐蚀箔。     

阳极铝箔交流腐蚀发孔对比容的影响

采用５０Ｈｚ交流电腐蚀发孔和进一步腐蚀阳极铝箔，在腐蚀箔表面形成透明钝化型腐蚀膜且蚀孔孔径较大。在交流电腐蚀过程中不产生发黑、掉粉和减薄现象。另外，该工艺对盐酸浓度和硫酸添加剂浓度的适应范围很宽。     

合金阴极箔化学腐蚀氯离子清洗工艺的研究

介绍了合金阴极箔经化学腐蚀后清洗铝箔表面残留氯离子的几种方法 ,比较了各种方法的优缺点 ,提出了清洗不同比容阴极箔的适用方法     

AlCl_3溶液浸泡对非铬酸系铝箔化成速度及比电容的影响

在室温下,先用NaOH溶液对非铬酸系高纯阳极铝箔进行预处理,再用0.1 mol/L的AlCl3溶液浸泡20 min,然后对铝箔进行腐蚀,清洗及化成。研究了AlCl3溶液浸泡对铝箔化成速度及化成箔比电容的影响。结果显示:在530 V电压化成时,与普通铝箔相比,经AlCl3溶液浸泡过的铝箔的化成时间缩短约了3 min,化成箔的比电容提高了大约4.6%,达到0.612×10–6 F.cm–2。     

高纯铝箔的真空退火

本文对几种主要国产硬态高纯铝箔,在腐蚀前和腐蚀后,以同种箔在相同腐蚀、形成条件下进行了真空退火与空气炉退火的对比试验,结果表明低压比电容提高了;还初步探讨了真空退火能使铝箔比电容提高的机理。     

Cu、Fe对Al-Mn箔腐蚀形貌及比电容量的影响

作者研究了(0.0053～0.82)wt%Cu、(0.032～0.70)wt%Fe对Al-Mn合金箔腐蚀形貌和比电容量(C_s)的影响。测定了Cu-Cs、Fe/Mn-Cs曲线,用SEM(附WDS)观察了箔材腐蚀形貌和箔表面Cu、Fe等元素的分布,用IBAS和TEM(附EDAX)观测了含Fe化合物的参数、成份与高倍形貌。发现Cu在铝箔中有利于形成均匀、细密的蚀孔,使比电容量提高很大。Fe在铝箔中趋向于形成化合物,含大颗粒(d>0.58μm)化合物的铝箔在腐蚀时,箔面形成深而大的蚀孔,造成不均匀腐蚀,但这类化合物的蚀孔大约只有10~8个/cm~2,对箔的比电容量影响较小。     

电容器用铝箔制造业基地转移机遇

<正>近年来铝电解电容器生产基地向我国加速转移且铝电解电容器产量高速增长,促使我国的电子铝箔加工业和电极箔加工业飞速发展。目前国内电极箔主要生产企业包括深圳东阳光、江苏中联科技集团、扬州升达集团、凯普松电子科技(宜昌三峡)有限公司、凯普松电子科技(包头)有限公司、肇庆华锋电子铝箔有限公司、新疆众和股份有限公司等,整个行业呈现出较好的发展态势。