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碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对<111>方向的三块碲锌镉晶片进行了不同的机械磨抛、化学机械抛光、化学抛光,在相同的测量条件下用三维形貌干涉仪进行表面监测.比较了碲锌镉晶片不同的磨抛方法对碲锌镉晶片表面机械损伤的情况,开展了碲锌镉晶片不同的磨抛方法对损伤的去除程度的对比实验,进行了碲锌镉晶片表面粗糙度及平整度实现的研究. 相似文献
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介绍了表面抛光的工艺过程和技术原理,对影响抛光质量的关键部件抛光盘主轴和承载器进行分析研究。通过抛光压力精密控制,抛光结果满足晶片表面平坦化要求。 相似文献
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碲镉汞晶片表面加工损伤的电化学腐蚀观察方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了一种新的观察碲镉汞(CMT)晶片表面加工损伤的方法--电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理,给出了实验结果。实验表明:机械磨抛的CMT晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来;磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应,而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕;结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下W3.5磨料在CMT晶片表面产生的最大加工损伤深度约32--40μ 相似文献
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磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤 总被引:5,自引:3,他引:2
用X射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Te溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的损伤,发现精磨精抛的HgCdTe晶片表面的损伤结构与切割、粗磨造成的损伤结构明显不同。根据实验结果分析,认为机械划痕是精磨精抛过程中的主要损伤结构,并提出一个新的表面损伤模型──表面不完全损伤模型。用X射线形貌相测出了精磨精抛HgCdTe晶片表面的平均损伤和最大损伤深度。结合压痕实验,确定了机械划痕周围的晶格应变区是高密度位错增殖区;在特定条件下,测出两者之间的比值约为5。最后讨论了最大损伤深度和平均损伤深度对探测器性能的影响。 相似文献
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本文报道一种新的观察碲镉汞(CMT)晶片表面加工损伤的方法──电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理,给出了实验结果。实验表明:机械磨抛的CMT晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来;磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应,而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕;结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下W3.5磨料在CMT晶片表面产生的最大加工损伤深度约32~40pm;机械磨抛产生的划痕和其在表面留下的应力沟道区是CMT晶片表面在磨抛加工中受到损伤的主要机构。分析认为平均损伤深度主要影响磨抛CMT晶片的表面复合速度,而最大加工损伤深度则对CMT器件、特别是多元器件性能参数的均匀性影响比较大;故控制好CMT晶片表面加工的最大损伤深度也是制备性能均匀的CMT多元探测器的一个重要环节。 相似文献
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晶片双面磨抛设备主要用于双面磨抛晶片,其压力控制的精度、速度以及稳定性是影响晶片磨抛质量和磨抛效率的关键性指标,为了满足双面磨抛设备对压力的控制要求,设计了闭环压力控制系统,通过动态调整控制参数实现了对压力的精确控制. 相似文献
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通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111) A和(111) B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系,深度腐蚀的实验也发现,表面腐蚀坑所对应的缺陷只局限于10μm的表层内,这表明大部分腐蚀坑所对应的不是通常认为的穿越位错. 进一步分析的结果表明,不同腐蚀剂形成的腐蚀坑所对应的缺陷有可能是不同类型的位错,甚至也可能起源于微沉淀物,通常将碲锌镉材料的腐蚀坑所对应的缺陷简单地归结为材料的位错是缺乏实验依据的. 相似文献
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用X射线双晶衍射法测量了x=0.273、晶向为[110]的碲镉汞晶体在切、磨过程中引入的加工损伤,测出了在切割、M5金刚砂研磨过程中产生的损伤层厚度分别为4μm~7#m、12μm~20μm,并测出在碲锅汞晶体中存在大量取向差为90"~810"之间的亚晶块. 相似文献
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碲镉汞表面钝化层研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文简要了碲镉汞光导探测器表面钝化层的研究及结果,介绍了阳极氧化膜的制备,氧化膜的化学组成及氧化膜的物理化学性质,阐述了阳极氧化膜的退火处理。经过退火处理,提高了氧化膜的绝缘性能。 相似文献
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文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。采用碲锌镉缓冲结构生长了碲镉汞液相外延片,其碲锌镉与碲镉汞薄膜界面附近的杂质得到了有效的控制。 相似文献