用于强流离子注入的多极头离子源

多极头离子源技术已在融合和等离子加工的中性束加热方面获得了应用,但把这种离子源应用于离子注入的报道却少见。多极头离子源的几何形状能满足离子注入所希望的若干特征,具有束流引出面积大,产生静等离子体和形成手段灵活等特点。与常规的弗里曼源不同,它不需外加磁场、用于强流离子注入机的多极头离子源已研制成功,实验结果表明这种离子源的性能与标准弗里曼源相似,而且源的寿命更长。本文将介绍用BF_3作为掺杂气体的多极头离子源性能和寿命的实验结果。     

国外离子注入机发展动态

国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展，为适应中００、０．５μｍ工艺的需求，国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机，现将其现状介绍如下：新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于０．５度。２００ｍｍ晶片内注入...     

256MDRAM时代的离子注入机

２５６ＭＤＲＡＭ时代的离子注入机村上隆志，高桥武人，川崎洋司随着ＤＲＡＭ器件高密度的发展，对离子注入机提出了更高的要求，离子注入技术为适应这种需求也迅速发展起来。ＤＲＡＭ各个时期的设计尺寸、圆片尺寸、离子注入技术的发展过程如图１所示。近几年来，中束流...     

高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用

高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。     

离子注入机的国内外现状

本文简要介绍了离子注入和器件的关系,概述了离子注入机的发展现状和趋势,初步探讨了我国离子注入机不能形成产业的原因。     

当代离子注入机—设计周密的智能型离子注入机

当代的离子注入机已不是从前那种难以驾驭的机器了;它们可以是加工过程中操作人员的工程伙伴。Piter Burggraaf,Senior Editor如果离子注入机能思维,它就应考虑到生产、工艺过程控制和自动维护的功能:它将集启动、设定和装载于一身——从操作人员那里接过这些重担。这种“会思维”的离子注入机可以控制离子加工过程中与增加产额有关的许多参数,如束扫描,圆片旋转和倾斜,圆片带     

离子源灯丝绝缘子的优化设计

通过对离子注入机离子源灯丝绝缘子的结构、尺寸、实际工作效果等方面的分析,提出了一种注入机离子源灯丝绝缘子的优化设计.该方案减少了离子源因绝缘效果不良引起的系统工作不稳定故障,灯丝使用寿命延长至50 h以上.     

集成电路离子注入机发展现状与趋势

离子注入机是集成电路制造的核心装备之一,本文重点介绍了当前集成电路领域离子注入机的分类和基本性能参数,描述了其系统组成以及相关的关键技术;同时,基于集成电路发展趋势,分析了集成电路离子注入机的发展趋势.     

离子注入机的束断系统

从离子源引出的离子束,在沿着注入机的主光路系统运行到基片的过程中,要受到许多控制。本文所论述的束断系统,其作用是当基片上的注入剂量达到给定标准时,将离子束偏移到主光路系统之外。     

用于注入机的新型大束流ECR离子源

前面已经介绍过一种大束流ECR离子源,它能产生O~+的含量达80％的200mA氧束流。最近,又研制出能产生束流密度大于100mA/cm~2的两种更先进的ECR离子源,其中一种既能提供高束流密度,又克服了以前离子源中所存在的微波传送窗口易于损伤的毛病,高速回流电子轰击传送窗口产生的这种损伤限制了离子源的使用寿命。通过采用多个微波入口结构引导微波进入等离体室,既满足了产生ECR的条件,同时又可以产生没有回流电子轰击窗口的高密度等离子体;另一种是消耗功率很小,产生束流很大的小型离子源,它的这两个特点是通过将等离子体室的内径减小到5cm而获得的,其直径比2.45千兆赫微波的传播临界尺寸还要小,在250瓦的低微波功率下已得到1×10~(13)/cm~3的大等离子体密度。     

离子注入机的去离子水冷却系统

本文介绍了在离子注入机上使用的去离子水冷却系统的结构、制水和使用效果。     

一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用

本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷注入Ｃｕ离子，使材料的ＰＴＣＲ突跳幅度增加，室温电阻率提高，证实Ｃｕ（２＋）离子在ＰＴＣＲ材料晶界起着电子陷阱作用。     

离子注入机的计算机控制扫描系统

本文讨论了影响常规静电扫描系统的均匀性的因素,并提出一种离子注入机的计算机控制扫描系统。     

离子注入机的EMC技术研究

本文在理论联系实际的基础上就离子注入机的电磁兼容性(EMC)问题进行了初步的研究。分析了离子注入机中的噪声干扰状况;提出了离子注入机中几个实际的噪声干扰模型;比较系统地介绍了离子注入机中常用的EMC技术及其实施措施。     

采用RFQ加速器的高能离子注入机

近几年来,具有兆电子伏(以下简称MeV)能量的离子束在很多领域中获得广泛利用。它在VLSI等半导体离子注入中尤其可望取得崭新的进展。这是因为用MeV级能量进行离子注入时,离子注入的深度比过去的中能离子注入要多好几倍。例如,已经有人提出要将它用于反向阱、埋入栅以及ROM编程等方面的设想,而且已经开始在某些器件中应用。不论是用     

离子注入机分析器模型的自动调束控制方法

采用系统辨识方法获得离子注入机分析器精确模型,然后将系统模型作为分析器控制器的前馈控制,提前预测控制输出,提高控制器的响应速度,并在此基础上增加反馈控制通道,用来修正模型误差和外界干扰.最后,将此控制方法应用于CIP300型离子注入机研发,自动调束的效率和成功率都有较大提升.     

一台专用强流氧离子注入机的研制

制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了S0I材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别：注氧时间长，注入剂量大，注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温，金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。     

中束流平行扫描式离子注入机的现状

全面介绍了当今集成电路制造工业中四种中束流平行扫描式离子注入机的发展情况，由于平行束扫描方式的实现，使得８英寸硅片的注入均匀性小于０．５％。